一种高抗PID复合封装胶膜及其制备方法与流程

本发明涉及一种复合封装胶膜，尤其涉及一种高抗pid复合封装胶膜及其制备方法。

背景技术：

用纯poe胶膜封装双面prec组件，成本较高。受限于eva的材料结构，老化后易发生降解和组件功率衰减，导致用其封装双面prec组件无法通过pid测试。用两层、三层或多层共挤膜封装双面prec组件，老化后易发生粘接力差、脱层等不良。

技术实现要素：

本发明主要是解决现有技术中存在的不足，提供一种用eva/poe树脂复配作为封装胶膜的原料，有效降低树脂中酯基含量，减少组件pid功率衰减的一种高抗pid复合封装胶膜及其制备方法。

本发明的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：

一种高抗pid复合封装胶膜，按以下百分比进行配比：eva树脂40～50％；poe树脂45～60％；相容剂0.01～0.1％；偶联剂0.04～1.5％；紫外吸收剂0.1～1％；交联剂0.1～2％；抗pid助剂0.01～0.1％。

作为优选，eva树脂为乙烯-醋酸乙烯共聚物，va含量18～26％，熔融指数为2～40g/10min.

作为优选，所述的poe树脂为乙烯-α烯烃共聚物，为乙烯-丁烯、乙烯-己烯、乙烯-辛烯中的一种或几种；熔融指数为2～50g/10min。

作为优选，所述的相容剂为丙烯酸型或环氧型中的一种或几种，具体为丙烯酸、丙烯酰胺、甲基丙烯酸甲酯、乙烯-丙烯酸(2-乙基己酯)共聚物、甲基丙烯酸缩水甘油酯中的一种或几种。相容剂为丙烯酸型或环氧型中的一种或几种。

作为优选，所述偶联剂为甲基丙烯酰氧烃基或烯烃基硅烷中的一种或几种，具体为甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基甲基二乙氧基硅烷中的一种或几种。

作为优选，所述紫外吸收剂为苯酮类或三嗪类中的一种或几种，具体为2，4-二羟基二苯甲酮、2-羟基-4-正辛氧基二苯甲酮、2-羟基-4-甲氧基二苯甲酮、2-(4，6-双(2，4-二甲基苯基)-1，3，5-三嗪-2-基)-5-辛氧基酚、2-(4，6-二苯基-1，3，5-三嗪-2-基)-5-己基氧基-苯酚中的一种或几种。

作为优选，所述交联剂为过氧化物类或丙烯酸酯类中的一种或几种，具体为二(4-甲基苯甲酰)过氧化物、1，1’-二(叔丁基过氧)环己烷、丁基-4，4’-二(叔丁基过氧化)戊酸酯、丙氧基化新戊二醇二丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、乙氧基化三羟甲基丙烷三丙烯酸酯中的一种或几种。

作为优选，所述所述抗pid助剂为离子捕捉剂或抗水解剂中的一种或几种，具体为磷酸锆、二硫化二异丙基黄原酸酯、纤维素黄原酸酯、单碳化二亚胺、聚碳化二亚胺中的一种或几种。

一种高抗pid复合封装胶膜及其制备方法，按以下步骤进行：

(1)将eva、poe树脂按照比例在混料机里混合30min至均匀；

(2)将相容剂、偶联剂、紫外吸收剂、交联剂、抗pid助剂用高速分散机剪切30min，使混合助剂粘度降低至1～300mpa·s；

(3)将混匀的助剂(2)加入(1)中，高速混合6～12h直至助剂完全吸收。将混匀的配料(3)通过供料系统添加进螺杆挤出机，在80～120℃流涎挤出，胶膜牵引进入压花辊压合形成花纹，经冷却定型后分切、收卷，按要求包装成成品。胶膜厚度为0.1～1mm。

一种高抗pid复合封装胶膜的用途，用于光伏双玻组件。最优选为适用于双面prec双玻组件。

加工方式为流涎挤出或压延成型中的一种。

有益效果：

1、用eva/poe树脂复配作为封装胶膜的原料，有效降低树脂中酯基含量，减少组件pid功率衰减。

2、导入相容剂，使得不同极性的eva/poe树脂能很好地融合，杜绝共挤膜中的脱层等问题。

3、添加抗pid助剂，优选出最佳比例为0.05％，解决组件pid功率衰减问题。

所制得的胶膜适配双面prec组件的封装，经过-1500v/192hpid测试后功率衰减在3％以内。

具体实施方式

下面通过实施例，对本发明的技术方案作进一步具体的说明。

实施例1：一种高抗pid复合封装胶膜，按以下百分比进行配比：

eva树脂40～50％；poe树脂45～60％；相容剂0.01～0.1％；偶联剂0.04～1.5％；紫外吸收剂0.1～1％；交联剂0.1～2％；抗pid助剂0.01～0.1％。

eva树脂为乙烯-醋酸乙烯共聚物，va含量18～26％，熔融指数为2～40g/10min.

所述的poe树脂为乙烯-α烯烃共聚物，为乙烯-丁烯、乙烯-己烯、乙烯-辛烯中的一种或几种；熔融指数为2～50g/10min。

所述的相容剂为丙烯酸、丙烯酰胺、甲基丙烯酸甲酯、乙烯-丙烯酸(2-乙基己酯)共聚物、甲基丙烯酸缩水甘油酯中的一种或几种。

所述偶联剂为甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基甲基二乙氧基硅烷中的一种或几种。

所述紫外吸收剂为2，4-二羟基二苯甲酮、2-羟基-4-正辛氧基二苯甲酮、2-羟基-4-甲氧基二苯甲酮、2-(4，6-双(2，4-二甲基苯基)-1，3，5-三嗪-2-基)-5-辛氧基酚、2-(4，6-二苯基-1，3，5-三嗪-2-基)-5-己基氧基-苯酚中的一种或几种。

所述交联剂为二(4-甲基苯甲酰)过氧化物、1，1’-二(叔丁基过氧)环己烷、丁基-4，4’-二(叔丁基过氧化)戊酸酯、丙氧基化新戊二醇二丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、乙氧基化三羟甲基丙烷三丙烯酸酯中的一种或几种。

所述抗pid助剂为磷酸锆、二硫化二异丙基黄原酸酯、纤维素黄原酸酯、单碳化二亚胺、聚碳化二亚胺中的一种或几种。

一种高抗pid复合封装胶膜及其制备方法，按以下步骤进行：

(1)将eva、poe树脂按照比例在混料机里混合30min至均匀；

(2)将相容剂、偶联剂、紫外吸收剂、交联剂、抗pid助剂用高速分散机剪切30min，使混合助剂粘度降低至1～300mpa·s；

(3)将混匀的助剂(2)加入(1)中，高速混合6～12h直至助剂完全吸收。

将混匀的配料(3)通过供料系统添加进螺杆挤出机，在80～120℃流涎挤出，胶膜牵引进入压花辊压合形成花纹，经冷却定型后分切、收卷，按要求包装成成品。胶膜厚度为0.1～1mm。

一种高抗pid复合封装胶膜的用途，用于光伏双玻组件。

技术特征：

1.一种高抗pid复合封装胶膜，其特征在于按以下百分比进行配比：

eva树脂40～50％；poe树脂45～60％；相容剂0.01～0.1％；偶联剂0.04～1.5％；紫外吸收剂0.1～1％；交联剂0.1～2％；抗pid助剂0.01～0.1％。

2.权利要求1所述的一种高抗pid复合封装胶膜，其特征在于：eva树脂为乙烯-醋酸乙烯共聚物，va含量18～26％，熔融指数为2～40g/10min。

3.权利要求1所述的一种高抗pid复合封装胶膜，其特征在于：所述的poe树脂为乙烯-α烯烃共聚物，为乙烯-丁烯、乙烯-己烯、乙烯-辛烯中的一种或几种；熔融指数为2～50g/10min。

4.权利要求1所述的一种高抗pid复合封装胶膜，其特征在于：所述的相容剂为丙烯酸、丙烯酰胺、甲基丙烯酸甲酯、乙烯-丙烯酸(2-乙基己酯)共聚物、甲基丙烯酸缩水甘油酯中的一种或几种。

5.权利要求1所述的一种高抗pid复合封装胶膜，其特征在于：所述偶联剂为甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基甲基二乙氧基硅烷中的一种或几种。

6.权利要求1所述的一种高抗pid复合封装胶膜，其特征在于：所述紫外吸收剂为2，4-二羟基二苯甲酮、2-羟基-4-正辛氧基二苯甲酮、2-羟基-4-甲氧基二苯甲酮、2-(4，6-双(2，4-二甲基苯基)-1，3，5-三嗪-2-基)-5-辛氧基酚、2-(4，6-二苯基-1，3，5-三嗪-2-基)-5-己基氧基-苯酚中的一种或几种。

7.权利要求1所述的一种高抗pid复合封装胶膜，其特征在于：所述交联剂为二(4-甲基苯甲酰)过氧化物、1，1’-二(叔丁基过氧)环己烷、丁基-4，4’-二(叔丁基过氧化)戊酸酯、丙氧基化新戊二醇二丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、乙氧基化三羟甲基丙烷三丙烯酸酯中的一种或几种。

8.权利要求1所述的一种高抗pid复合封装胶膜，其特征在于：所述抗pid助剂为磷酸锆、二硫化二异丙基黄原酸酯、纤维素黄原酸酯、单碳化二亚胺、聚碳化二亚胺中的一种或几种。

9.权利要求1所述的一种高抗pid复合封装胶膜及其制备方法，其特征在于按以下步骤进行：

(1)将eva、poe树脂按照比例在混料机里混合30min至均匀；

(2)将相容剂、偶联剂、紫外吸收剂、交联剂、抗pid助剂用高速分散机剪切30min，使混合助剂粘度降低至1～300mpa·s；

(3)将混匀的助剂(2)加入(1)中，高速混合6～12h直至助剂完全吸收。将混匀的配料(3)通过供料系统添加进螺杆挤出机，在80～120℃流涎挤出，胶膜牵引进入压花辊压合形成花纹，经冷却定型后分切、收卷，按要求包装成成品。胶膜厚度为0.1～1mm。

10.权利要求9所述的一种高抗pid复合封装胶膜的用途，其特征在于：用于光伏双玻组件。

技术总结
本发明涉及一种复合封装胶膜，尤其涉及一种高抗PID复合封装胶膜及其制备方法。按以下百分比进行配比：EVA树脂40～50％；POE树脂45～60％；相容剂0.01～0.1％；偶联剂0.04～1.5％；紫外吸收剂0.1～1％；交联剂0.1～2％；抗PID助剂0.01～0.1％。用EVA/POE树脂复配作为封装胶膜的原料，有效降低树脂中酯基含量，减少组件PID功率衰减；导入相容剂，使得不同极性的EVA/POE树脂能很好地融合，杜绝共挤膜中的脱层等问题；添加抗PID助剂，优选出最佳比例为0.05％，解决组件PID功率衰减问题。

技术研发人员：苏丹;黄元旦;邵佳俊;魏晓勇;周志英
受保护的技术使用者：浙江祥邦科技股份有限公司
技术研发日：2021.05.07
技术公布日：2021.08.10