一种抛光垫的制作方法

技术特征：
1.一种抛光垫，其特征在于，包括抛光层，所述抛光层包括抛光表面和位于抛光表面上的抛光单元，所述抛光单元至少为一个，抛光单元具有平均高度d1，抛光单元组成抛光单元群，抛光单元群的一端形成接触表面，接触表面与被研磨材料直接接触，每个抛光单元在接触表面的投影为平行四边形；多个抛光单元组成第一部分，第一部分的抛光单元在第一方向上延伸并均匀间隔，多个抛光单元组成第二部分，第二部分的抛光单元与第一方向平行的方向延伸并均匀间隔，第一部分的抛光单元的间隔与第二部分的抛光单元的间隔相等，在第一方向上的间隔距离为w1；抛光单元由多个第一部分和第二部分组成，第一部分与第二部分的彼此之间的间隔相等，在第二方向上间隔距离为w2；抛光单元的接触表面的面上具有通道，通道为直线，包括多个第一通道和多个第二通道，第一通道与所述第一方向平行，和/或，第二通道与所述第二方向平行；所述抛光单元的接触表面具有面积s1，抛光单元在接触表面上投影的平行四边形在第一方向和第二方向上的边长分别为l1和l2，第一方向和第二方向的夹角为θ，如下：s1＝l1*l2*sinθ所述通道在抛光单元接触表面的投影具有面积sa，在每个抛光单元上，所述第一通道数量为n，平均宽度为waa，长度为l1；所述第二通道数量为m，平均宽度为wab，长度为l2，所述通道的平均深度为da，其中n，m为整数，m n≥1，交点数量nb＝m*n,如下：sa＝n*waa*l1*sinθ m*wab*l2*sinθ
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nb*waa*wab*sinθ所述抛光单元的有效接触面积ss，如下：ss＝s1
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sa＝sinθ*(l1*l2
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n*waa*l1
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m*wab*l2 nb*waa*wab)抛光层有效接触面积比rs3定义如下：rs3＝ss/((l1 w1)*(l2 w2)*sinθ)＝((l1*l2
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n*waa*l1
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m*wab*l2 nb*waa*wab))/((l1 w1)*(l2 w2))，rs3的范围是50
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85％；研磨面积比定义如下：rs1＝l1*l2/((l1 w1)*(l2 w2))，rs1的范围是0.60
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0.92；抛光单元的有效接触面积比rs2定义如下：rs2＝ss/s1，rs2的范围是0.5
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0.97；有效通道宽度比rw4＝(n*waa m*wab)/(w1 w2),rw4的范围是0.1
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3.75；有效通道体积比rv5＝(sa*da)/(sinθ*((l1 w1)*(l2 w2)
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l1*l2)*d1)；rv5的范围是0.03
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3.4。2.根据权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，所述抛光单元的l1和l2的范围为10
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20mm。3.根据权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，有效接触面积比rs3的范围为60
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70％。4.根据权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，所述多个第一通道间隔均匀分布，和/或，所述多个第二通道间隔均匀分布。5.根据权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，所述抛光单元具有相同或大致相同的高度，所述通道具有相同或大致相同的深度。
6.根据权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，所述平均高度d1为所述抛光层厚度的0.2
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0.8倍。7.根据权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，所述通道的平均深度da为所述抛光单元高度d1的0.4
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1倍。8.根据权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，所述waa和wab的范围为0.15
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0.6mm。9.根据权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，所述抛光单元的w1和w2的范围为0.5
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5mm。10.根据权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，所述第一通道的数量为2
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5中任一个，和/或，第二通道的数量为2
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5中任一个。11.根据权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，其中抛光单元在接触表面的投影为长方形、正方形或菱形。

技术总结
本实用新型公开一种抛光垫，包括抛光层，所述抛光层包括抛光表面和位于抛光表面上的抛光单元，所述抛光单元至少为一个，抛光单元组成抛光单元群，抛光单元群的一端形成接触表面，接触表面与被研磨材料直接接触，每个抛光单元在接触表面投影为平行四边形；多个抛光单元分别组成第一部分和第二部分，第一部分沿第一方向延伸并均匀间隔，第二部分沿与第一方向平行的方向延伸并均匀间隔；并且，抛光单元的接触表面的面上具有通道，且包括第一通道和第二通道；本实用新型抛光垫的结构与限定的抛光单元面积比，有效面积比、有效通道体积比以及有效通道的宽度比等参数相结合时，具有优异的综合性能。综合性能。综合性能。


技术研发人员：黄学良 蔡长益 罗乙杰 桂辉辉 刘敏 杨佳佳 邱瑞英 张季平
受保护的技术使用者：湖北鼎汇微电子材料有限公司
技术研发日：2021.01.22
技术公布日：2021/10/8