真空镀膜机的制作方法

1.本技术属于显示屏电子元件镀膜技术领域，特别涉及一种真空镀膜机。


背景技术：

2.近年来，在显示屏电子元件的制造领域，广泛使用真空蒸镀法进行有机层的成膜，在镀膜过程中大多采用晶振进行基板蒸镀速率的检测。
3.在现有的真空镀膜机中，基板大多放置在载盘的外侧进行镀膜，而位于基板内侧的晶振通常是设置在载盘中心的支撑柱轴线上，与基板的距离相隔较远。而蒸镀源中材料蒸发速率的流晕分布是呈余弦分布的，沉积在基板上的距离和方向也成余弦分布，即位置不同，蒸镀速率与镀膜厚度存在差异。因此，当晶振与基板之间的距离相隔较远时，晶振所测得的数据与基板实际的蒸镀速率与镀膜厚度偏差越大，蒸镀速率与镀膜厚度检测不准确。


技术实现要素：

4.本技术的目的在于提供一种真空镀膜机，旨在解决现有技术中蒸镀速率与镀膜厚度检测不准确的技术问题。
5.本技术提供一种真空镀膜机，包括：
6.腔体；
7.支撑柱，设置在所述腔体内；
8.载盘，包括连接部件和载板，所述载板通过所述连接部件与所述支撑柱连接，以使所述载板可沿所述支撑柱的轴向转动，所述载板呈环状并具有第一镂空部，所述载板沿其自身周向分布有多个基板承载区；
9.晶振系统，包括至少一个第一晶振，所述第一晶振位于所述第一镂空部并靠近所述基板承载区设置。
10.相对于现有技术，本技术提供的真空镀膜机至少实现了如下有益效果：
11.本技术所提供的真空镀膜机中支撑柱设置在腔体内，载盘包括连接部件和沿其自身周向分布有多个基板承载区的载板。载板通过连接部件与支撑柱连接，以使载板可沿支撑柱的轴向转动。载板呈环状并具有第一镂空部，第一镂空部给第一晶振预留了安装位置，使第一晶振位于第一镂空部并靠近基板承载区设置，即第一晶振能够更靠近基板承载区。由于基板放置于基板承载区，因此第一晶振能够更靠近基板，第一晶振检测到的蒸镀速率与镀膜厚度与基板实际的蒸镀速率与镀膜厚度更接近，从而第一晶振能够更准确检测基板的蒸镀速率与镀膜厚度。
附图说明
12.为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本
申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
13.图1是本技术实施例提供的一种真空镀膜机的结构示意图；
14.图2是本技术实施例提供的载盘与晶振系统的一种位置关系示意图；
15.图3是本技术实施例提供的另一种真空镀膜机的结构示意图；
16.图4是本技术实施例提供的载盘的一种结构示意图；
17.图5是本技术实施例提供的另一种真空镀膜机的结构示意图；
18.图6是本技术实施例提供的载盘的另一种结构示意图；
19.图7是本技术实施例提供的侧板的结构示意图；
20.图8是本技术实施例提供的另一种真空镀膜机的结构示意图；
21.图9是本技术实施例提供的载盘与晶振系统的另一种位置关系示意图；
22.图10是本技术实施例提供的载盘与晶振系统的另一种位置关系示意图；
23.图11是本技术实施例提供的线束连接机构的一种结构示意图；
24.图12是本技术实施例提供的线束连接机构的另一种结构示意图；
25.图13是本技术实施例提供的线束连接机构的另一种结构示意图；
26.图14是本技术实施例提供的线束连接机构的另一种结构示意图；
27.图15是本技术实施例提供的另一种真空镀膜机的结构示意图；
28.图16是本技术实施例提供的载盘与晶振系统的另一种位置关系示意图。
29.图中标记的含义为：
30.10、转动系统；1、腔体；2、支撑柱；3、载盘；31、连接部件；311、连接板；3111、第一通孔；312、侧板；3121、第二通孔；32、载板；321、基板承载区；41、第一晶振；42、第二晶振；43、第三晶振；44、第四晶振；51、固定连接件；511、第一正极导线；512、第一负极导线；52、旋转连接件；521、第二正极导线；522、第二负极导线；6、主挡板；7、蒸镀源；8、传动机构。
具体实施方式
31.为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
32.需说明的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利的限制。术语“第一”、“第二”仅用于便于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明技术特征的数量。“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。此外，术语“水平”、“竖直”、“悬垂”等术语并不表示要求部件绝对水平或悬垂，而是可以稍微倾斜。如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平，并不是表示该结构一定要完全水平，而是可以稍微倾斜。
33.还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元
件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
34.为了说明本技术所述的技术方案，以下结合具体附图及实施例进行详细说明。
35.请参阅图1，图1是本技术实施例提供的一种真空镀膜机的结构示意图，图 1中方向x即可以表示支撑柱2的轴向方向。
36.本技术实施例提供的真空镀膜机包括腔体1和支撑柱2，支撑柱2设置在腔体1内；还包括载盘3，载盘3包括连接部件31和载板32，载板32通过连接部件 31与支撑柱2连接，以使载板32可沿支撑柱2的轴向转动，载板32呈环状并具有第一镂空部，载板32沿自身周向分布有多个基板承载区321；还包括晶振系统，晶振系统包括至少一个第一晶振41，第一晶振41位于第一镂空部并靠近基板承载区321设置。
37.可选的，支撑柱2的一端可以设置在腔体1内，支撑柱2的另一端可以伸出腔体1外且可以与转动系统10连接，以使支撑柱2在转动系统10的驱动下沿支撑柱2的轴向进行转动。连接部件31的一个部位可以与支撑柱2位于腔体1内的一端连接，连接部件31的另一个部位可以与载板32连接，以使呈环状的载板32 能够与支撑柱2连接，并可以随着支撑柱2的转动沿支撑柱2的轴向转动。环状的载板32上沿周向分布了多个用于放置基板的基板承载区321。如图2所示，第一晶振41位于载板32的第一镂空部并靠近基板承载区321设置，即第一晶振41 能够更靠近基板，第一晶振41检测到的蒸镀速率与镀膜厚度与基板实际的蒸镀速率与镀膜厚度更接近，从而第一晶振41能够更准确检测基板的蒸镀速率与镀膜厚度。
38.基板承载区321的设置方式有多种，基板承载区321可以是一个通孔，也可以是其他用于放置基板的结构，只要基板放置在基板承载区321，真空镀膜机工作时，载板32转动的同时可以对基板进行镀膜即可，本技术实施例对此不作限定。
39.第一晶振41的设置位置有多种，第一晶振41可以设置在支撑柱2上，也可以设置在腔体1内壁上，只要第一晶振41位于载板32的第一镂空部并靠近基板承载区321设置即可。第一晶振41的数量可以是一个，也可以是多个，当设置有多个第一晶振41时，每个晶振之间的间隔可以是相等的，也可以是不相等的。如图2中提供了四个第一晶振41等距间隔设置的方案，具体第一晶振41的数量以及位置分布可以根据实际情况进行选择，本技术实施例对此不作限定。
40.还需要说明的是，连接部件31只要能使呈环状的载板32可以绕支撑柱2的轴向转向即可，本技术实施例对此不作限定。
41.参阅图3，图3是本技术实施例提供的另一种真空镀膜机的结构示意图。在本技术实施例中，为了让晶振系统的线束，如第一晶振41的线束能够更方便的引出腔体1外，支撑柱2与转动系统10之间可以错位设置。即支撑柱2与转动系统10可以通过传动机构8连接，当转动系统10转动时，可以通过传动机构8带动支撑柱2沿轴向转动，从而支撑柱2可以带动载盘3沿支撑柱2的轴向转动。
42.传动机构8的结构可以有多种，如传动机构8可以是连接支撑柱2与转动系统10的传送带，此时，支撑柱2在传送带的带动下随着转动系统10转动，且支撑柱2的转动方向与转动系统10的转动方向相同。传动机构8还可以是相互啮合的两个齿轮，其中一个齿轮与支撑柱2连接，另一个齿轮与转动系统10连接，此时在两个齿轮的配合下，支撑柱2可以随着转动系统10转动，且支撑柱2的转动方向与转动系统10的转动方向相反。
43.需要理解的是，传动机构8的结构包括但不限于上述传送带或齿轮，传动机构8采用齿轮结构时，也可以采用多级传动，即齿轮的数量可以根据实际需求设置，而不限于上述的两个齿轮。传动结构8可以设置在腔体1内，也可以设置在腔体1外，只要在转动系统10转动时，传动机构8可以带动支撑柱2随着转动系统10的转动而沿轴向转动即可，本技术实施例对此不作限定。
44.本技术实施例中支撑柱2与转动系统10错位设置，第一晶振41的线束在引出腔体1外时，可以不用贯穿转动系统10，只需穿过腔体1壁即可，从而使第一晶振41的线束引出更加方便。
45.参阅图1、图4和图6，图4是本技术实施例中与图1所提供的真空镀膜机对应的载盘的结构示意图，图5是本技术实施例提供的另一种真空镀膜机的结构示意图，而图6是本技术实施例中与图5所提供的真空镀膜机对应的载盘的结构示意图。本技术实施例中，连接部件31可以包括连接板311，其中连接板311 连接于支撑柱2，与载板32沿支撑柱2的轴向间隔设置；还包括侧板312，侧板 312的一端与连接板311连接，侧板312的另一端与载板32连接。
46.可选的，在本技术实施例中载盘3可以呈双层结构，即连接板311的一端与支撑柱2连接，连接板311再通过侧板312连接载板32，以使载板32与支撑柱2 之间可以建立连接，从而使得载板32可以随支撑柱2的转动而转动。
47.参阅图1、图4，本技术实施例中，侧板312的一端与连接板311的外边缘连接，侧板312的另一端与载板32的外边缘连接；在连接板311上开设有多个第一通孔3111，各基板承载区321位于第一通孔3111沿支撑柱2的轴向在载板32上的正投影之内。
48.具体而言，当侧板312的一端与连接板311的外边缘连接，侧板312的另一端与载板32的外边缘连接时，该载盘3形成一个相对封闭的结构，此时基板承载区321处于相对封闭的位置，在放置基板时存在一定难度。基于此，可以在连接板311上开设多个第一通孔3111，第一通孔3111的数量可以与基板承载区 321的数量对应，且每个基板承载区321位于对应的第一通孔3111沿支撑柱2的轴向在载板32上的正投影之内，以使基板可以从第一通孔3111处放置在对应的基板承载区321。
49.需要说明的是，为了使基板能够轻松的从第一通孔3111处放置在基板承载区321，该第一通孔3111的面积相对于基板承载区321较大，以基板承载区321 为基板孔为例，该第一通孔3111的孔径大于基板孔的孔径。
50.参阅图5、图6，本技术实施例中，侧板312的一端与连接板311的外边缘连接，侧板312的另一端与载板32朝向第一镂空部的内边缘连接。
51.当侧板312连接于载板32朝向第一镂空部的内边缘时，载板32处于开放状态，即此时可以直接将基板放置在基板承载区321。换而言之，此时可以不再需要在连接板311上开设第一通孔3111也可以将基板很轻松的放置在基板承载区321。
52.参阅图1、图7，侧板312的一端与连接板311的外边缘连接，侧板312的另一端与载板32的外边缘连接，侧板312在基板承载区321对应的位置处开设第二通孔3121。
53.具体而言，当侧板312的一端与连接板311的外边缘连接，侧板312的另一端与载板32的外边缘连接时，该载盘3形成一个相对封闭的结构，此时基板承载区321处于相对封闭的位置，在放置基板时存在一定难度。此时可以通过在侧板312上开设第二通孔3121，以使基板可以从第二通孔3121处放置在基板承载区321。
54.需要说明的是，第二通孔3121的位置可以是各第二通孔3121在载板32所在平面上的正投影中心与各基板承载区321的中心位于同一直线，第二通孔3121 形状与基板承载区321形状相同，即第二通孔3121可以与基板承载区321一一对应。第二通孔3121还可以设置在相邻两个基板承载区321的中间位置，以使基板可以从该第二通孔3121处放置在其对应的相邻两个基板承载区321。
55.需要说明的是，载盘3也可以不为双层结构，如图8所示，连接部件31可以呈伞状，一端与支撑柱2连接，另一端与载板32的外边缘连接，以使载板32可以随着支撑柱2的转动而沿支撑柱2的轴向转动，基于此结构，为了方便放置基板，也可以在连接部件31对应位置处开设通孔。应该理解的是，连接部件31 也可以呈伞状，一端与支撑柱2连接，另一端与载板32朝向第一镂空部的内边缘连接，基于此结构，可以不必开设通孔也可以放置基板。
56.参阅图9、图10，本技术实施例中，晶振系统可以包括至少一个第二晶振 42，第二晶振42设置在载板32上。
57.可以理解的是，由于第二晶振42设置在载板32上，因此第二晶振42能够随着载板32转动，与各个基板承载区321的相对位置保持不变。第二晶振42通过随载板32转动时检测蒸镀速率与镀膜厚度，再结合第一晶振41的检测结果，能够有效降低误差，从而能够更准确检测到基板的蒸镀速率与镀膜厚度。
58.本技术实施例中，第二晶振42可以位于相邻的两个基板承载区321之间；或者，第二晶振42可以位于基板承载区321背离第一镂空部的一侧。
59.参阅图9，第二晶振42可以设置在相邻的两个基板承载区321之间，位于基板承载区321的同一圆环上，具有与放置在基板承载区321的基板等效的位置，可以更精准的实时检测基板的蒸镀速率与镀膜厚度。
60.参阅图10，为了释放相邻的两个基板承载区321之间的空间，第二晶振42 还可以设置在基板承载区321背离第一镂空部的一侧，能够靠近基板，也可以实时检测基板的蒸镀速率与镀膜厚度。
61.需要说明的是，第二晶振42的数量可以是一个，也可以是多个，第二晶振 42的数量与具体设置位置包括但不限于如图9、图10中所示的方案，具体第二晶振42的数量以及位置分布可以根据实际情况进行选择，本技术实施例对此不作限定。
62.参阅图11至图13，图11是本技术实施例提供的线束连接机构的一种结构示意图，图12和图13皆是本技术实施例提供的线束连接机构的另一种结构示意图。本技术实施例中，基于第一晶振41设置在与转动系统10连接的支撑柱2上，以及第二晶振42设置在载板32上，工作时，支撑柱2带动载板32转动，可能会导致第一晶振41和第二晶振42的线束缠绕在一起，因此，第一晶振41和/或第二晶振42可以通过线束连接机构与腔体1内的线束电性连接。
63.本技术实施例中，线束连接机构包括固定连接件51，固定连接件51固定于支撑柱2并与支撑柱2同轴设置，固定连接件51包括相互绝缘设置的第一正极导线511和第一负极导线512；线束连接机构还包括旋转连接件52，旋转连接件52 与第一晶振41和/或第二晶振42电性连接，旋转连接件52包括相互绝缘设置的第二正极导线521和第二负极导线522，其中，旋转连接件52相对固定连接件51 绕支撑柱2的轴向可转动设置，且第一正极导线511与第二正极导线521连接，第一负极导线512与第二负极导线522连接。
64.具体而言，固定连接件51与旋转连接件52配合使用，固定连接件51的外表面可以与旋转连接件52的内表面贴合，旋转连接件52相对固定连接件51绕支撑柱2的轴向转动时，第一正极导线511与第二正极导线521可以保持导通，第一负极导线512与第二负极导线522可以保持导通。第一晶振41或第二晶振42的线束可以在第一晶振41或第二晶振42相对于腔体1发生转动时，其线束也能同步进行转动，从而与腔体1内的线束保持相对静止，有效避免发生线束缠绕的情况。
65.需要说明的是，可以仅第一晶振41通过线束连接机构与腔体1内的线束电性连接，也可以仅第二晶振42可以通过线束连接机构与腔体1内的线束电性连接，还可以第一晶振41和第二晶振42都通过线束连接机构与腔体1内的线束电性连接，具体的连接情况可以根据实际需求选择，本技术实施例对此不作限定。
66.参阅图11，本技术实施例中，固定连接件51的外表面呈球面，固定连接件 51包括沿支撑柱2的轴向分布的第一半球面和第二半球面，第一半球面为第一负极导线512，第二半球面为第一正极导线511。
67.具体而言，固定连接件51可以呈球体，其外面表呈球面，相应的，旋转连接件52的内表面也可以呈球面。其中固定连接件51的第一半球面为第一负极导线512，固定连接件51的第二半球面为第一正极导线511，即相应的，旋转连接件52的内表面中与第一半球面贴合的部分包括第二负极导线522，旋转连接件 52的内表面中与第二半球面贴合的部分包括第二正极导线521，以使旋转连接件52绕固定连接件51旋转时，第一正极导线511与第二正极导线521可以保持导通，且第一负极导线512与第二负极导线522可以保持导通。
68.参阅图12，本技术实施例中，固定连接件51的外表面呈圆柱形，固定连接件51包括沿支撑柱2的轴向分布的第一圆弧面和第二圆弧面，第一圆弧面为第一负极导线512，第二圆弧面为第一正极导线511。
69.具体而言，固定连接件51还可以呈圆柱体，其外面表呈圆柱形，相应的，旋转连接件52的内表面也可以呈圆柱形。其中固定连接件51的第一圆弧面为第一负极导线512，固定连接件51的第二圆弧面为第一正极导线511，即相应的，旋转连接件52的内表面中与第一圆弧面贴合的部分包括第二负极导线522，旋转连接件52的内表面中与第二圆弧面贴合的部分包括第二正极导线521，以使旋转连接件52绕固定连接件51旋转时，第一正极导线511与第二正极导线521 可以保持导通，且第一负极导线512与第二负极导线522可以保持导通。
70.需要说明的是，固定连接件51并不限于上述的球体和圆柱体，还可以是椭圆球体或圆锥体等，只要固定连接件51的外表面与旋转连接件52的内表面贴合，使得旋转连接件52可以绕着固定连接件51转动，且正负极导通即可，本技术实施例对此不作限定。
71.参阅图11、图12，本技术实施例中，旋转连接件52的结构可以是第二负极导线522与第二正极导线521沿支撑柱2的轴向分布。
72.结合固定连接件51的结构，与固定连接件51的第一负极导线512和第一正极导线511沿支撑柱2的轴向分布相对应，旋转连接件52的第二负极导线522与第二正极导线521也沿支撑柱2的轴向分布，以使固定连接件51的外表面与旋转连接件52的内表面贴合并旋转时，正负极保持导通。
73.参阅图13，本技术实施例中，旋转连接件52的结构可以是第二正极导线521 套设于第二负极导线522之内，且至少部分第二负极导线522的内壁面露出并与第一负极导线
512连接，第二正极导线521在第二负极导线522内与第一正极导线511连接。
74.结合固定连接件51的结构，旋转连接件52的第二正极导线521套设于第二负极导线522之内，第二正极导线521与第一正极导线511连接，旋转连接件52 与第一负极导线512贴合的部分，第二负极导线522的内壁面露出且与第一负极导线512连接，以使固定连接件51的外表面与旋转连接件52的内表面贴合并旋转时，正负极保持导通。
75.本技术实施例中，旋转连接件52的结构还可以是第二负极导线522套设于第二正极导线521之内，且至少部分第二正极导线521的内壁面露出并与第一正极导线511连接，第二负极导线522在第二正极导线521内与第一负极导线512 连接。
76.结合固定连接件51的结构，旋转连接件52的第二负极导线522套设于第二正极导线521之内，第二负极导线522与第一负极导线512连接，旋转连接件52 与第一正极导线511贴合的部分，第二正极导线521的内壁面露出且与第一正极导线511连接，以使固定连接件51的外表面与旋转连接件52的内表面贴合并旋转时，正负极保持导通。
77.本技术实施例中，第一晶振41和/或第二晶振42的数量可以为n个，其中n 为大于1的整数。在这种情况下，每个第一晶振41或每个第二晶振42都可以通过上述线束连接机构与腔体1内的线束电性连接。此时，每个第一晶振41或每个第二晶振42对应一个线束连接机构，虽然能够有效避免线束缠绕问题，但是基于线束连接机构的数量过多，可能导致腔体1内空间浪费以及布线复杂等问题。
78.为了解决上述腔体1内空间浪费以及布线复杂的问题，参阅图14，图14是本技术实施例提供的线束连接机构的另一种结构示意图。
79.本技术实施例中，固定连接件51可以包括n个沿支撑柱2的轴向分布的第一正极导线511，以及n个沿支撑柱2的轴向分布的第一负极导线512；旋转连接件 52可以包括n个沿支撑柱2的轴向分布的第二正极导线521，以及n个沿支撑柱2 的轴向分布的第二负极导线522，其中，n个第一正极导线511与n个第二正极导线521一一对应导通，n个第一负极导线512与n个第二负极导线522一一对应导通，每个第二正极导线521与一个第一晶振41或第二晶振42的正极电性连接，每个第二负极导线522与一个第一晶振41或第二晶振42的负极电性连接。
80.具体而言，假设第一晶振41的数量为四个，则如图14所示，固定连接件51 可以包括四个沿支撑柱2的轴向分布的第一正极导线511，以及四个沿支撑柱2 的轴向分布的第一负极导线512，相应的，旋转连接件52可以包括四个沿支撑柱2的轴向分布的第二正极导线521，以及四个沿支撑柱2的轴向分布的第二负极导线522。每个第一晶振41的正极连接其中一个第二正极导线521，其负极连接其中一个对应的第二负极导线522，且在固定连接件51的外表面与旋转连接件52的内表面贴合并旋转时，每个第一正极导线511与每个第二正极导线521 一一对应保持导通，每个第一负极导线512也与每个第二负极导线522一一对应保持导通。
81.即多个第一晶振41只需要使用一个上述线束连接机构即可实现与腔体1内的线束电性连接。同理，当第二晶振42的数量为多个时，也可以使用一个上述线束连接机构实现第二晶振42与腔体1内的线束电性连接。基于此，当第一晶振41和/或第二晶振42的数量为多个时，无需再使用大量的线束连接机构，而是至多使用两个上述线束连接机构即可同时实现第一晶振41和第二晶振42与腔体1内的线束电性连接，有效解决了腔体1内空间浪费以及
布线复杂的问题。
82.参阅图1，本技术实施例中，真空镀膜机还包括主挡板6，主挡板6设置在腔体1内壁，且位于载盘3背离支撑柱2的一侧。主挡板6具有第二镂空部，且第二镂空部与第一镂空部的位置对应，以使主挡板6遮挡住基板承载区321且不遮挡第一晶振41。
83.具体而言，基板放置在基板承载区321进行镀膜时，通常是通过腔体1内的蒸镀源7挥发后蒸镀在基板上，蒸镀的过程中可能存在需要更换蒸镀源7的情况，此时，一般可以关闭主挡板6上的蒸镀膜层，在蒸镀源7更换好后再开启主挡板6上的蒸镀膜层，从而使得更换后的蒸镀源7继续对基板进行镀膜。
84.为了使得镀膜厚度更准确，本技术实施例中的主挡板6具有第二镂空部，即主挡板6无论是在开启蒸镀膜层还是在关闭蒸镀膜层的状态下，都仅能够遮挡住基板承载区321，而不遮挡第一晶振41。基于此结构，在更换蒸镀源7的过程中，第一晶振41仍然可以实时检测到蒸镀速率，从而可以在更换好的蒸镀源 7的蒸镀速率稳定后再开启主挡板6上的蒸镀膜层，进而可以保证基板上的镀膜厚度更均匀。
85.参阅图15，图15是本技术实施例提供的另一种真空镀膜机的结构示意图。本技术实施例中，腔体1底部设置有蒸镀源7；晶振系统包括至少一个第三晶振 43，第三晶振43设置在腔体1内壁，且靠近蒸镀源7设置，第三晶振43用于获取蒸镀源7的蒸镀速率。
86.可以理解的是，第三晶振43靠近蒸镀源7设置，可以实时获取蒸镀源7的蒸镀速率，再结合第一晶振41的检测结果，能够有效降低误差，从而能够更准确检测到基板的蒸镀速率与镀膜厚度。
87.需要说明的是，腔体1底部可以设置有多个蒸镀源7，相应的，第三晶振43 的数量可以与蒸镀源7对应，即每个第三晶振43对应检测一个蒸镀源7的蒸镀速率。
88.参阅图15、图16，本技术实施例中，晶振系统包括至少一个第四晶振44，第四晶振44位于载板32背离第一镂空部的一侧。
89.具体而言，第四晶振44可以固定在腔体1内壁上，位于载板32背离第一镂空部的一侧，且靠近基板承载区321设置。与第一晶振41配合，分别测量基板内外两侧的蒸镀速率与镀膜厚度，结合第一晶振41和第四晶振44的检测结果，能够有效降低误差，从而能够更准确检测到基板的蒸镀速率与镀膜厚度。
90.需要说明的是，第四晶振44的数量可以是一个，也可以是多个，第四晶振 44的数量以及位置分布可以根据实际情况进行选择，本技术实施例对此不作限定。
91.参阅图15，本技术实施例中，第一晶振41和第四晶振44中至少一者与载板 32处于同一个平面上。
92.具体而言，可以是第一晶振41与载板32处于同一个平面上，也可以是第四晶振44与载板32处于同一个平面上，还可以是第一晶振41和第四晶振44都与载板32处于同一个平面上。其中第一晶振41和第四晶振44与载板32处于同一个平面上，可以使第一晶振41和第四晶振44检测到的蒸镀速率和镀膜厚度与基板实际的蒸镀速率和镀膜厚度更接近，从而使得检测到的蒸镀速率和镀膜厚度更加准确。
93.需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有
的要素。
94.本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想。以上仅是本技术的优选实施方式，应当指出，由于文字表达的有限性，而客观上存在无限的具体结构，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术原理的前提下，还可以做出若干改进、润饰或变化，也可以将上述技术特征以适当的方式进行组合；这些改进润饰、变化或组合，或未经改进将发明的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均应视为本技术的保护范围。