一种碳化硅二极管氧化层的光刻方法和装置与流程

技术特征：
1.一种碳化硅二极管氧化层的光刻方法，其特征在于，包括：对晶圆的氧化层进行增粘处理；在增粘处理后的氧化层表面涂覆光刻胶；采用光刻工艺对涂覆有所述光刻胶的晶圆进行光刻。2.根据权利要求1所述的碳化硅二极管氧化层的光刻方法，其特征在于，所述对氧化层表面进行增粘处理，包括：在所述金属层表面粘附增粘剂。3.根据权利要求2所述的碳化硅二极管氧化层的光刻方法，其特征在于，所述在所述金属层表面粘附增粘剂，包括：按照预设的第一环境温度将增粘液加热，使所述增粘液变为增粘剂并粘附至所述氧化层的表面；采用冷却板将粘附有增粘剂的晶圆冷却至常温。4.根据权利要求3所述的碳化硅二极管氧化层的光刻方法，其特征在于，所述氧化层的厚度为1.6um
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2.5um；所述预设的第一环境温度为100
±
0.5℃；所述增粘剂的厚度为10nm
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20nm。5.根据权利要求1所述的碳化硅二极管氧化层的光刻方法，其特征在于，所述在增粘处理后的氧化层表面涂覆光刻胶，包括：采用涂胶工艺在增粘处理后的氧化层表面涂覆光刻胶；其中，所述光刻胶为粘稠状，厚度均匀，且厚度为1.6um
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1.8um。6.根据权利要求5所述的碳化硅二极管氧化层的光刻方法，其特征在于，所述采用涂胶工艺在增粘处理后的氧化层表面涂覆粘稠状的光刻胶，包括：按照预设的第一转速，在所述氧化层的中间区域旋转喷洒所述光刻胶；当所述光刻胶不再流动后，按照预设的第二转速在所述氧化层的表面旋转涂覆所述光刻胶；按照预设的第二环境温度和预设的烘烤时间，对涂覆有所述光刻胶的晶圆进行烘烤，使粘稠状的光刻胶变为固态。7.根据权利要求6所述的碳化硅二极管氧化层的光刻方法，其特征在于，所述第一转速小于所述第二转速；所述预设的第二环境温度为115℃
‑
125℃；所述预设的烘烤时间为120s
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150s。8.根据权利要求1所述的碳化硅二极管氧化层的光刻方法，其特征在于，所述采用光刻工艺对涂覆有所述光刻胶的晶圆进行光刻，包括：采用曝光工艺对涂覆有所述光刻胶的晶圆进行曝光；使用显影工艺对晶圆表面进行显影，使曝光区域的光刻胶溶解；采用清洗液对晶圆表面进行清洗，并甩干所述晶圆，得到光刻胶掩膜图案。9.根据权利要求8所述的碳化硅二极管氧化层的光刻方法，其特征在于，所述采用曝光工艺对涂覆有所述光刻胶的晶圆进行曝光，包括：控制步进式光刻机发射紫外线，通过紫外线对涂覆有所述光刻胶的晶圆进行曝光。
10.根据权利要求9所述的碳化硅二极管氧化层的光刻方法，其特征在于，所述步进式光刻机的焦距为0um～0.1um；所述步进式光刻机的曝光剂量为315ms
±
5ms；所述紫外线的波长为365nm；所述紫外线的光强为680mw/cm2～750mw/cm2；所述紫外线的均匀性小于2％。11.一种碳化硅二极管氧化层的光刻装置，其特征在于，包括：增粘模块，用于对晶圆的氧化层进行增粘处理；涂覆模块，用于在增粘处理后的氧化层表面涂覆光刻胶；光刻模块，用于采用光刻工艺对涂覆有所述光刻胶的晶圆进行光刻。

技术总结
本发明提供一种碳化硅二极管氧化层的光刻方法和装置，对晶圆的氧化层进行增粘处理；在增粘处理后的氧化层表面涂覆光刻胶；采用光刻工艺对涂覆有所述光刻胶的晶圆进行光刻，能够保证光刻后的图形线条均匀，线条边缘整齐，进而提高工艺质量。本申请中氧化层表面增粘剂的厚度范围为10nm


技术研发人员：吴沛飞 刘瑞 朱涛 姚兆民 王克胜
受保护的技术使用者：国家电网有限公司 国网山西省电力公司检修分公司
技术研发日：2021.05.26
技术公布日：2021/9/24