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光刻
一种获取目标光源光斑分布方法与流程
一种获取目标光源光斑分布方法,本发明涉及计算光刻技术领域,具体涉及一种获取目标光源光斑分布方法。
标签:
光斑
光源
光刻
目标
方法
2023-10-26
一种获取目标光源光斑分布方法与流程
一种获取目标光源光斑分布方法,本发明涉及计算光刻技术领域,具体涉及一种获取目标光源光斑分布方法。
标签:
光斑
光源
光刻
目标
方法
2023-10-25
一种获取目标光源光斑分布方法与流程
一种获取目标光源光斑分布方法,本发明涉及计算光刻技术领域,具体涉及一种获取目标光源光斑分布方法。
标签:
光斑
光源
光刻
目标
方法
2023-10-25
掩模工艺校正方法和使用其制造光刻掩模的方法与流程
掩模工艺校正方法和使用其制造光刻掩模的方法相关申请的交叉引用2.本技术要求2021年9月6日提交的韩国专利申请no.10-2021-0118545的优先权,其公开内容以引用方式并入本文。技术领域3.本发明构思涉及一种掩模工艺校正(mpc)方法和使用其制造光刻掩模的方法。
标签:
光刻
方法
工艺
优先权
专利申请
2023-04-05
光刻设备的制作方法
本技术涉及半导体制造技术领域,特别是涉及一种光刻设备。
标签:
光刻
特别是
半导体
设备
2023-04-04
基于失效率的过程窗口的制作方法
基于失效率的过程窗口相关申请的交叉引用2.本技术要求于2020年7月3日递交的pct申请pct/cn2020/100137和于2021年3月16日递交的pct申请pct/cn2021/081068的优先权,并且这些pct申请的全部内容通过引用并入本文中。技术领域3.本公开涉及改善器件制造过程的性能的技术。所述技术可以结合光刻设备或量测设备而使用。
标签:
光刻
过程
设备
优先权
技术
2023-04-03
像差影响系统、模型和制造过程的制作方法
像差影响系统、模型和制造过程相关申请的交叉引用2.本技术要求于2020年6月10日提交的us申请63/037,494的优先权和2021年2月10日提交的us申请63/147,831的优先权,该申请通过引用整体并入本文。技术领域3.本文的描述总体上涉及半导体制造中的光刻,更具体地,涉及计算光刻。
标签:
光刻
优先权
本文
半导体
总体上
2023-04-03
一种回收光刻胶匀胶装置的制作方法
本实用新型涉及光刻胶回收利用技术领域,具体涉及一种回收光刻胶匀胶装置。
标签:
光刻
装置
回收利用
胶匀胶
2023-04-02
掩模工艺校正方法和使用其制造光刻掩模的方法与流程
掩模工艺校正方法和使用其制造光刻掩模的方法相关申请的交叉引用2.本技术要求2021年9月6日提交的韩国专利申请no.10-2021-0118545的优先权,其公开内容以引用方式并入本文。技术领域3.本发明构思涉及一种掩模工艺校正(mpc)方法和使用其制造光刻掩模的方法。
标签:
光刻
方法
工艺
优先权
专利申请
2023-03-29
光刻设备的制作方法
本技术涉及半导体制造技术领域,特别是涉及一种光刻设备。
标签:
光刻
特别是
半导体
设备
2023-03-28
基于失效率的过程窗口的制作方法
基于失效率的过程窗口相关申请的交叉引用2.本技术要求于2020年7月3日递交的pct申请pct/cn2020/100137和于2021年3月16日递交的pct申请pct/cn2021/081068的优先权,并且这些pct申请的全部内容通过引用并入本文中。技术领域3.本公开涉及改善器件制造过程的性能的技术。所述技术可以结合光刻设备或量测设备而使用。
标签:
光刻
过程
设备
优先权
技术
2023-03-27
掩模工艺校正方法和使用其制造光刻掩模的方法与流程
掩模工艺校正方法和使用其制造光刻掩模的方法相关申请的交叉引用2.本技术要求2021年9月6日提交的韩国专利申请no.10-2021-0118545的优先权,其公开内容以引用方式并入本文。技术领域3.本发明构思涉及一种掩模工艺校正(mpc)方法和使用其制造光刻掩模的方法。
标签:
光刻
方法
工艺
优先权
专利申请
2023-03-20
光刻设备的制作方法
本技术涉及半导体制造技术领域,特别是涉及一种光刻设备。
标签:
光刻
特别是
半导体
设备
2023-03-18
基于失效率的过程窗口的制作方法
基于失效率的过程窗口相关申请的交叉引用2.本技术要求于2020年7月3日递交的pct申请pct/cn2020/100137和于2021年3月16日递交的pct申请pct/cn2021/081068的优先权,并且这些pct申请的全部内容通过引用并入本文中。技术领域3.本公开涉及改善器件制造过程的性能的技术。所述技术可以结合光刻设备或量测设备而使用。
标签:
光刻
过程
设备
优先权
技术
2023-03-18
像差影响系统、模型和制造过程的制作方法
像差影响系统、模型和制造过程相关申请的交叉引用2.本技术要求于2020年6月10日提交的us申请63/037,494的优先权和2021年2月10日提交的us申请63/147,831的优先权,该申请通过引用整体并入本文。技术领域3.本文的描述总体上涉及半导体制造中的光刻,更具体地,涉及计算光刻。
标签:
光刻
优先权
本文
半导体
总体上
2023-03-17
一种回收光刻胶匀胶装置的制作方法
本实用新型涉及光刻胶回收利用技术领域,具体涉及一种回收光刻胶匀胶装置。
标签:
光刻
装置
回收利用
胶匀胶
2023-03-16
基于失效率的过程窗口的制作方法
基于失效率的过程窗口相关申请的交叉引用2.本技术要求于2020年7月3日递交的pct申请pct/cn2020/100137和于2021年3月16日递交的pct申请pct/cn2021/081068的优先权,并且这些pct申请的全部内容通过引用并入本文中。技术领域3.本公开涉及改善器件制造过程的性能的技术。所述技术可以结合光刻设备或量测设备而使用。
标签:
光刻
过程
设备
优先权
技术
2023-03-08
像差影响系统、模型和制造过程的制作方法
像差影响系统、模型和制造过程相关申请的交叉引用2.本技术要求于2020年6月10日提交的us申请63/037,494的优先权和2021年2月10日提交的us申请63/147,831的优先权,该申请通过引用整体并入本文。技术领域3.本文的描述总体上涉及半导体制造中的光刻,更具体地,涉及计算光刻。
标签:
光刻
优先权
本文
半导体
总体上
2023-03-08
一种回收光刻胶匀胶装置的制作方法
本实用新型涉及光刻胶回收利用技术领域,具体涉及一种回收光刻胶匀胶装置。
标签:
光刻
装置
回收利用
胶匀胶
2023-03-07
像差影响系统、模型和制造过程的制作方法
像差影响系统、模型和制造过程相关申请的交叉引用2.本技术要求于2020年6月10日提交的us申请63/037,494的优先权和2021年2月10日提交的us申请63/147,831的优先权,该申请通过引用整体并入本文。技术领域3.本文的描述总体上涉及半导体制造中的光刻,更具体地,涉及计算光刻。
标签:
光刻
优先权
本文
半导体
总体上
2023-03-03
一种回收光刻胶匀胶装置的制作方法
本实用新型涉及光刻胶回收利用技术领域,具体涉及一种回收光刻胶匀胶装置。
标签:
光刻
装置
回收利用
胶匀胶
2023-03-02
像差影响系统、模型和制造过程的制作方法
像差影响系统、模型和制造过程相关申请的交叉引用2.本技术要求于2020年6月10日提交的us申请63/037,494的优先权和2021年2月10日提交的us申请63/147,831的优先权,该申请通过引用整体并入本文。技术领域3.本文的描述总体上涉及半导体制造中的光刻,更具体地,涉及计算光刻。
标签:
光刻
优先权
本文
半导体
总体上
2023-02-28
一种回收光刻胶匀胶装置的制作方法
本实用新型涉及光刻胶回收利用技术领域,具体涉及一种回收光刻胶匀胶装置。
标签:
光刻
装置
回收利用
胶匀胶
2023-02-27
光刻胶检查设备、光刻胶检查方法以及电子束曝光设备
光刻胶检查设备、光刻胶检查方法以及电子束曝光设备相关申请的交叉引用2.本技术基于并要求于2021年8月9日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请no.10-2021-0104898的优先权,该韩国专利申请的公开内容通过引用整体并入本文。技术领域3.本发明构思涉及电子束曝光设备、使用电子束曝光设备的光刻胶检查方法以及光刻胶检查设备。
标签:
光刻
电子束
韩国
设备
专利申请
2023-02-19
用于光刻表面形貌测量的系统和方法与流程
本发明实施例涉及一种用于光刻表面形貌测量的系统和方法。
标签:
光刻
形貌
测量
表面
方法
2023-02-19
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