一种快速繁育恒山黄芪纯化株系的方法与流程

1.本发明涉及恒山黄芪纯化株系繁育领域，特别涉及一种快速繁育恒山黄芪纯化株系的方法。


背景技术：

2.恒山黄芪是一种药用价值很高的中药材，生长在绵延广阔的恒山背阴山坡上，尤以山下浑源县所产的黄芪质量最好、数量最多，被誉为"黄芪之乡"。恒山黄芪的特点是条长而直，皮光纤细，色泽黄亮，粉性大，空心小。黄芪除药用之外，还可食用，用来烹肉、泡酒、做菜、煮汤，做出各种富有营养的风味小吃。恒山农民炖猪、羊、鸡、牛肉时，都要放一些黄芪，这样肉熟得快、营养高。然而目前恒山黄芪存在如下三个问题：1、解决恒山黄芪种源混杂，种质退化问题；2、为建立良种繁育基地提供大量优质、稳定的种苗。3、目前生产中无优良品种。


技术实现要素：

3.为解决上述现有技术存在的问题，本发明的目的在于提供一种快速繁育恒山黄芪纯化株系的方法；提高了恒山黄芪纯化株系的繁育速度，针对目前市场存在的恒山黄芪种源混杂，种质退化问题；为建立良种繁育基地提供大量优质、稳定的种苗。具有很好的市场前景，在黄芪推广，以及黄芪栽培种均具有重要作用。
4.为达到上述目的，本发明的技术方案为：
5.一种快速繁育恒山黄芪纯化株系的方法，由如下步骤组成：
6.步骤一、外植体选择：按照田间性状，根部形态符合恒山黄芪特征指标的选择方法，选择绿色茎秆带大量白色绒毛的植株的顶芽进行繁育；
7.步骤二、外植体消毒：将采取的顶芽灭菌消毒；
8.步骤三、初代培养：将消毒后的顶芽播种于无菌培养基，在培养基上，置于25℃、光照时间12h/d、光照强度2000lx的人工气候箱中进行培养；将发芽7d的小苗用手术刀切割成带有顶芽的茎段接种在培养基上，置于25℃下培养至分化产物；
9.步骤四、继代培养：从初代培养产物中挑取分化成苗的1
‑
2cm植株接种至诱导培养基，置于夜温12℃，日温22
‑
25℃，2000lx光照强度环境培养。
10.步骤五、生根培养：当继代培养的种苗繁殖数量达到要求，将扩繁的种苗姐终于生根培养基，25℃，3000lx光照强度培养；
11.步骤六、炼苗移栽：选择苗长4cm以上、生根数较多、生长健壮的瓶苗，用自来水洗净培养基，在通风阴凉处晾干水份，栽植于盛有营养土的营养钵中，置于相对湿度70％以上，温度17～20℃的温室进行驯化。当组培苗完全成活并长到一定大小后，即可移向大田用于生产；至此，完成恒山黄芪的纯化的快速扩繁。
12.进一步的，所述步骤一中，根部形态符合恒山黄芪特征指标具体指主根深长，棒状，稍带木质，浅棕黄色至深棕色；外植体选择时间为4月中旬。
13.进一步的，所述步骤二中，外植体消毒具体为：将采集的顶芽用流动自来水冲洗30min，用75％酒精消毒15min，再用0.1％hgcl消毒15min，用无菌水漂洗5次。
14.进一步的，所述步骤三具体为：初代培养：在超净工作台上，将消毒后带顶芽的茎段接种于ph值为5.8的1/2ms (2.0
㎎ꢀ
/l)6ba (0.5
㎎
/l)naa (2.0
㎎
/g)ac无菌培养基上，置于25℃、光照时间12h/d、光照强度2000lx的人工气候箱中进行培养，30天后重新接种在以上培养基上进行增殖，共增殖3代；
15.进一步的，所述步骤四具体为：继代培养：将初代培养物中获得的短枝切割成4～5cm的短枝，保留2个节接种在ph值为5.8的 1/2ms (0.5
㎎
/l)6ba (1.0
㎎
/l)naa (2.0
㎎
/g)ac无菌培养基上，置于夜温12℃，日温22
‑
25℃，2000lx光照强度环境进行继代培养。
16.进一步的，所述步骤五具体为：生根培养：经过1次继代培养后，当瓶苗长到10cm、包含5～7个节时，将瓶苗转接到ph值为5.8的 1/2ms (2.0
㎎
/l)naa 1g/l香蕉 (2.0
㎎
/g)ac的生根培养基上进行生根培养。
17.相对于现有技术，本发明的有益效果为：
18.本发明一种快速繁育恒山黄芪纯化株系的方法，提高了恒山黄芪纯化株系的繁育速度，针对目前市场存在的恒山黄芪种源混杂，种质退化问题；为建立良种繁育基地提供大量优质、稳定的种苗。具有很好的市场前景，在黄芪推广，以及黄芪栽培种均具有重要作用。
具体实施方式
19.下面结合具体实施方式对本发明技术方案做进一步详细描述：
20.一种快速繁育恒山黄芪纯化株系的方法，由如下步骤组成：
21.步骤一、外植体选择：按照田间性状，根部形态符合恒山黄芪特征指标的选择方法，选择绿色茎秆带大量白色绒毛的植株的顶芽进行繁育；
22.步骤二、外植体消毒：将采取的顶芽灭菌消毒；
23.步骤三、初代培养：将消毒后的顶芽播种于无菌培养基，在培养基上，置于25℃、光照时间12h/d、光照强度2000lx的人工气候箱中进行培养；将发芽7d的小苗用手术刀切割成带有顶芽的茎段接种在培养基上，置于25℃下培养至分化产物；
24.步骤四、继代培养：从初代培养产物中挑取分化成苗的1
‑
2cm植株接种至诱导培养基，置于夜温12℃，日温22
‑
25℃，2000lx光照强度环境培养。
25.步骤五、生根培养：当继代培养的种苗繁殖数量达到要求，将扩繁的种苗姐终于生根培养基，25℃，3000lx光照强度培养；
26.步骤六、炼苗移栽：选择苗长4cm以上、生根数较多、生长健壮的瓶苗，用自来水洗净培养基，在通风阴凉处晾干水份，栽植于盛有营养土的营养钵中，置于相对湿度70％以上，温度17～20℃的温室进行驯化。当组培苗完全成活并长到一定大小后，即可移向大田用于生产；至此，完成恒山黄芪的纯化的快速扩繁。
27.进一步的，所述步骤一中，根部形态符合恒山黄芪特征指标具体指主根深长，棒状，稍带木质，浅棕黄色至深棕色；外植体选择时间为4月中旬。
28.进一步的，所述步骤二中，外植体消毒具体为：将采集的顶芽用流动自来水冲洗30min，用75％酒精消毒15min，再用0.1％hgcl消毒 15min，用无菌水漂洗5次。
29.进一步的，所述步骤三具体为：初代培养：在超净工作台上，将消毒后带顶芽的茎
段接种于ph值为5.8的1/2ms (2.0
㎎ꢀ
/l)6ba (0.5
㎎
/l)naa (2.0
㎎
/g)ac无菌培养基上，置于25℃、光照时间12h/d、光照强度2000lx的人工气候箱中进行培养，30天后重新接种在以上培养基上进行增殖，共增殖3代；
30.进一步的，所述步骤四具体为：继代培养：将初代培养物中获得的短枝切割成4～5cm的短枝，保留2个节接种在ph值为5.8的 1/2ms (0.5
㎎
/l)6ba (1.0
㎎
/l)naa (2.0
㎎
/g)ac无菌培养基上，置于夜温12℃，日温22
‑
25℃，2000lx光照强度环境进行继代培养。
31.进一步的，所述步骤五具体为：生根培养：经过1次继代培养后，当瓶苗长到10cm、包含5～7个节时，将瓶苗转接到ph值为5.8的 1/2ms (2.0
㎎
/l)naa 1g/l香蕉 (2.0
㎎
/g)ac的生根培养基上进行生根培养。
32.试验例：
33.一种快速繁育恒山黄芪纯化株系的方法，包括如下步骤：
34.步骤一、外植体选择：按照田间性状，根部形态符合恒山黄芪特征指标的选择标准，于4月中旬选择绿色茎秆带大量白色绒毛的植株的顶芽作为外植体；
35.步骤二、外植体消毒：将采集的顶芽用流动自来水冲洗30min，用75％酒精消毒15min，再用0.1％hgcl消毒15min，用无菌水漂洗5 次。
36.步骤三、初代培养：在超净工作台上，将消毒后带顶芽的茎段接种于ph值为5.8的1/2ms (2.0
㎎
/l)6ba (0.5
㎎
/l)naa (2.0
㎎ꢀ
/g)ac无菌培养基上，置于25℃、光照时间12h/d、光照强度2000 lx的人工气候箱中进行培养，30天后重新接种在以上培养基上进行增殖，共增殖3代。
37.步骤四、继代培养：将初代培养物中获得的短枝切割成4～5cm 的短枝，保留2个节接种在ph值为5.8的1/2ms (0.5
㎎
/l)6ba (1.0
ꢀ㎎
/l)naa (2.0
㎎
/g)ac无菌培养基上，置于夜温12℃，日温 22
‑
25℃，2000lx光照强度环境进行继代培养。
38.步骤五、生根培养：经过1次继代培养后，当瓶苗长到10cm、包含5～7个节时，将瓶苗转接到ph值为5.8的1/2ms (2.0
㎎ꢀ
/l)naa 1g/l香蕉 (2.0
㎎
/g)ac的生根培养基上进行生根培养。
39.步骤六、炼苗移栽：选择苗长4cm以上、生根数较多、生长健壮的瓶苗，用自来水洗净培养基，在通风阴凉处晾干水份，栽植于盛有营养土的营养钵中，置于相对湿度70％以上，温度17～20℃的温室进行驯化。当组培苗完全成活并长到一定大小后，即可移向大田用于生产。至此，完成恒山黄芪的纯化的快速扩繁。
40.本发明一种快速繁育恒山黄芪纯化株系的方法，提高了恒山黄芪纯化株系的繁育速度，针对目前市场存在的恒山黄芪种源混杂，种质退化问题；为建立良种繁育基地提供大量优质、稳定的种苗。具有很好的市场前景，在黄芪推广，以及黄芪栽培种均具有重要作用。
41.所得恒山黄芪株高50
‑
80厘米。主根深长，棒状，稍带木质，浅棕黄色至深棕色。茎直立，上部多分枝。奇数羽状复叶互生；小叶6
‑
13 对，小叶片椭圆形或长卵圆形，先端钝尖，截形或具短尖头，全缘，两面被有白色长柔毛；托叶披针形或三角形。总状花序腋生，小花梗被黑色硬毛；花萼钟形，萼齿；花冠蝶形，淡黄色。荚果膜质膨胀.半卵圆形，先端尖刺状，被黑色短柔毛，种子5
‑
6枚，肾形，黑色。花期 6
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7月，果期7
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9月。喜凉爽干燥气候，多生于海拔800
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1300米间的向阳山坡或灌丛边缘。
42.以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何
不经过创造性劳动想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求书所限定的保护范围为准。