SiC基板的切削方法与流程

技术特征：
1.一种sic基板的切削方法，利用切削刀具对sic基板进行切削，其中，一边使该切削刀具在径向上进行超声波振动，一边对卡盘工作台所保持的sic基板进行切削，该切削刀具是利用对碳化钨和钴进行烧结而成的结合剂来固定磨粒而得的。2.根据权利要求1所述的sic基板的切削方法，其中，sic基板由露出硅的硅面和在该硅面的相反侧的面上露出碳的碳面形成正面和背面，将该切削刀具与sic基板的接触点处的该切削刀具的旋转方向设为从该碳面侧朝向该硅面侧的方向而对sic基板进行切削。3.根据权利要求1或2所述的sic基板的切削方法，其中，该切削刀具的刀尖伸出量被设定为刃厚的20倍以上且30倍以下。

技术总结
本发明提供SiC基板的切削方法，能够抑制切削刀具的破损和崩边，并且能够抑制对SiC基板进行切削时的切削刀具的消耗。SiC基板的切削方法是利用切削刀具(21)对SiC基板(200)进行切削的方法。在SiC基板的切削方法中，一边使切削刀具(21)的切削刃(212)在径向上进行超声波振动，一边对卡盘工作台(10)所保持的SiC基板(200)进行切削，该切削刀具(21)是利用对碳化钨和钴进行烧结而成的结合剂固定磨粒而得的。的。的。


技术研发人员：大野胜利 平岩卓
受保护的技术使用者：株式会社迪思科
技术研发日：2021.04.09
技术公布日：2021/10/18