一种微阵列平板显示器件的制作方法

1.本发明涉及平板显示器件领域，更具体地说，尤其是涉及到一种微阵列平板显示器件。


背景技术：

2.微阵列平板显示器将电信号形式的信息改变成图像并将该图像提供给使用者来运行，从显示器的结构和工作方式来看，它实际上是一种以微尖发射阵列为阴极的平板，具有主动发光、无图像畸变、宽视角、快速响应、环境适应性强等特点，但是微尖阵列发射体和阴极之间的接触面积小，会导致接触电阻增加，干扰电子发射，此外当发射体形成在阴极上时，发射体的配置不均匀，使得电子发射出现在部分区域中，当所发射的电子束到达阳极时，该所发射的电子束大大地发散，这些现象会劣化微阵列显示器件的特性，使得发射不容易受控，导致成像的颜色纯度和整个图像质量退化，并且微阵列显示器件的微阵列发射体的碳纳米管或碳纳米纤维，通过形成在绝缘体上的大的栅极开口而暴露，使得发射的电子常常流入到微阵列发射栅极中从而成为漏电流，引起电子发射和电子束发散，从而导致成像亮度和整个图像质量降低。


技术实现要素：

3.本发明实现技术目的所采用的技术方案是：该一种微阵列平板显示器件，其结构包括微阵列显示器主体、外壳、固定支架、散热槽、急停按钮、操作面板，所述外壳安装在微阵列显示器主体的外侧，所述固定支架嵌固安装在微阵列显示器主体的顶部后侧，所述微阵列显示器主体的顶部设有散热槽，所述操作面板安装在微阵列显示器主体的前端右侧，所述操作面板的顶部设有急停按钮，所述微阵列显示器主体包括平板显示屏、密封板、真空腔、微阵列装置、底板，所述平板显示屏安装在密封板的前端，所述微阵列装置嵌固安装在真空腔的内部，所述底板与真空腔的后端嵌固连接，所述密封板嵌固安装在真空腔的前端，所述真空腔的外侧与外壳嵌固连接，并且底板的后端与外壳相连接。
4.作为本发明的进一步改进，所述微阵列装置包括阳极基板、荧光层、支撑装置、栅极结构、发射装置、阴极基板，所述阳极基板的底部设有荧光层，所述支撑装置的一端安装在栅极结构的顶部，并且支撑装置的另一端与阳极基板的底部相连接，所述栅极结构嵌固安装在阴极基板的顶部，所述阴极基板的顶端内部设有发射装置，所述阳极基板的顶端与密封板的后端相连接，所述底板的前端与阴极基板的底端相连接，所述阳极基板与阴极基板材质均为玻璃，绝缘性好，所述支撑装置在阳极基板与栅极结构之间安装，所述发射装置在阴极基板顶侧内部均匀设有九个。
5.作为本发明的进一步改进，所述支撑装置包括支撑板、孔隙、支撑柱、弹簧，所述支撑板的底部设有孔隙，所述支撑柱嵌固安装在支撑板的两侧内部，所述弹簧在支撑柱的顶侧和底侧的外部间隙配合，所述支撑柱的底端在栅极结构的顶侧内部滑动连接，并且支撑柱的顶端与阳极基板的底部相连接，所述支撑柱在左右两端各设有一个，所述支撑板位于
阳极基板与栅极结构之间，并且支撑板的材质为陶瓷，绝缘性好、硬度大，所述孔隙设为开口宽、进口窄的倒梯形形状。
6.作为本发明的进一步改进，所述发射装置包括固定槽、发射体、发射极，所述阴极基板的顶部设有固定槽，所述发射体的左右两侧与固定槽的内部两端嵌固连接，所述发射体的顶部安装有发射极，所述发射体在阴极基板顶侧内部均匀设有九个，所述发射体与发射极材质均为碳纳米管，并且发射体安装在固定槽的内部，所述发射体底部与固定槽之间设有间隙。
7.作为本发明的进一步改进，所述栅极结构包括金属板、介电层、贯穿孔、绝缘层、薄膜晶体管，所述金属板的左右两侧与底层设有介电层，并且金属板底部的介电层下方安装有绝缘层，所述绝缘层的底侧内部安装有薄膜晶体管，所述金属板之间设有贯穿孔，所述金属板材质为铝，导电性好、热膨胀率低，并且金属板的内壁设为向内倾斜一定角度，所述介电层材质为复合陶瓷，绝缘性好，并且介电层安装在金属板的左右两侧与底层，所述绝缘层材质为橡胶，绝缘性好，所述贯穿孔设为圆形，且内壁设有倾斜一定角度，整体为梯形。
8.作为本发明的进一步改进，所述薄膜晶体管包括下栅极、活性层、源极、源极电极、漏极、漏极电极、内壁，所述下栅极嵌固安装在内壁底侧的内部，所述漏极电极的左端与内壁左侧的内部相连接，所述源极电极的右端安装在内壁右侧的内部，所述漏极设在漏极电极的右端，所述源极电极的左端内部源极，所述漏极与源极之间安装有活性层，所述下栅极材质为二氧化硅，绝缘性能好，所述活性层材质为非晶硅，可以制为很薄且光学性能好。
9.本发明的有益效果在于：1.发射体在固定槽的内部，使其于阴极基板接触面积增大，接触电阻减小，电子更均匀更大量地从发射形成电子束，且与阴极基板的顶部边缘不对准，使电子束聚焦，并且支撑板便于改善栅极共振，使到达荧光层电子束的强度增加，提高整个图像质量。
10.2.下栅极接入电压，有效抑制阳极电压引起的电子发射，且形成均匀电势，防止栅极局部电弧放电形为漏电流发散电子束，提高成像亮度，下栅极便于对不同电子束隔离，提高成像稳定性，电子束通过贯穿孔，使得电子在荧光层底部聚焦，提高显示器分辨率。
附图说明
11.图1为本发明一种微阵列平板显示器件的结构示意图。
12.图2为本发明一种微阵列显示器主体的立体结构示意图。
13.图3为本发明一种微阵列装置的内部结构示意图。
14.图4为本发明图3中a处支撑装置的局部结构放大示意图。
15.图5为本发明图3中b处发射装置的局部结构放大示意图。
16.图6为本发明一种栅极结构的内部结构示意图。
17.图7为本发明一种薄膜晶体管的内部结构示意图。
18.图中：微阵列显示器主体
‑
1、外壳
‑
2、固定支架
‑
3、散热槽
‑
4、急停按钮
‑
5、操作面板
‑
6、平板显示屏
‑
11、密封板
‑
12、真空腔
‑
13、微阵列装置
‑
14、底板
‑
15、阳极基板
‑
141、荧光层
‑
142、支撑装置
‑
143、栅极结构
‑
144、发射装置
‑
145、阴极基板
‑
146、支撑板
‑
43a、孔隙
‑
43b、支撑柱
‑
43c、弹簧
‑
43d、固定槽
‑
45a、发射体
‑
45b、发射极
‑
45c、金属板
‑
44a、介电层
‑
44b、贯穿孔
‑
44c、绝缘层
‑
44d、薄膜晶体管
‑
44e、下栅极
‑
e1、活性层
‑
e2、源极
‑
e3、源极电
极
‑
e4、漏极
‑
e5、漏极电极
‑
e6、内壁
‑
e7。
具体实施方式
19.以下结合附图对本发明做进一步描述：实施例1：如附图1至附图5所示：本发明一种微阵列平板显示器件，其结构包括微阵列显示器主体1、外壳2、固定支架3、散热槽4、急停按钮5、操作面板6，所述外壳2安装在微阵列显示器主体1的外侧，所述固定支架3嵌固安装在微阵列显示器主体1的顶部后侧，所述微阵列显示器主体1的顶部设有散热槽4，所述操作面板6安装在微阵列显示器主体1的前端右侧，所述操作面板6的顶部设有急停按钮5，所述微阵列显示器主体1包括平板显示屏11、密封板12、真空腔13、微阵列装置14、底板15，所述平板显示屏11安装在密封板12的前端，所述微阵列装置14嵌固安装在真空腔13的内部，所述底板15与真空腔13的后端嵌固连接，所述密封板12嵌固安装在真空腔13的前端，所述真空腔13的外侧与外壳2嵌固连接，并且底板15的后端与外壳2相连接。
20.其中，所述微阵列装置14包括阳极基板141、荧光层142、支撑装置143、栅极结构144、发射装置145、阴极基板146，所述阳极基板141的底部设有荧光层142，所述支撑装置143的一端安装在栅极结构144的顶部，并且支撑装置143的另一端与阳极基板141的底部相连接，所述栅极结构144嵌固安装在阴极基板146的顶部，所述阴极基板146的顶端内部设有发射装置145，所述阳极基板141的顶端与密封板12的后端相连接，所述底板15的前端与阴极基板146的底端相连接，所述阳极基板141与阴极基板146材质均为玻璃，绝缘性好，增强设备成像的稳定性，所述支撑装置143在阳极基板141与栅极结构144之间安装，便于起到支撑的作用，且改善栅极的共振现象，使得设备成像更稳定，所述发射装置145在阴极基板146顶侧内部均匀设有九个，使得到达荧光层142底部电子束的均匀分布，增强了显示图像的质量。
21.其中，所述支撑装置143包括支撑板43a、孔隙43b、支撑柱43c、弹簧43d，所述支撑板43a的底部设有孔隙43b，所述支撑柱43c嵌固安装在支撑板43a的两侧内部，所述弹簧43d在支撑柱43c的顶侧和底侧的外部间隙配合，所述支撑柱43c的底端在栅极结构144的顶侧内部滑动连接，并且支撑柱43c的顶端与阳极基板141的底部相连接，所述支撑柱43c在左右两端各设有一个，并且支撑柱43c的底端可以在栅极结构144的顶侧内部上下滑动，便于改善栅极的共振现象，使得设备成像更稳定，所述支撑板43a位于阳极基板141与栅极结构144之间，并且支撑板43a的材质为陶瓷，绝缘性好、硬度大，便于对阳极基板141与栅极结构144起到支撑的作用，使得发射的电子稳定性增加，提高成像的颜色纯度和整个图像质量，所述孔隙43b设为开口宽、进口窄的倒梯形形状，便于发射的电子经由孔隙43b到达荧光层142底部，使得到达荧光层142底部电子束的强度增加，增强了显示图像的亮度。
22.其中，所述发射装置145包括固定槽45a、发射体45b、发射极45c，所述阴极基板146的顶部设有固定槽45a，所述发射体45b的左右两侧与固定槽45a的内部两端嵌固连接，所述发射体45b的顶部安装有发射极45c，所述发射体45b在阴极基板146顶侧内部均匀设有九个，使得到达荧光层142底部电子束的均匀分布，增强了显示图像的质量，所述发射体45b与发射极45c材质均为碳纳米管，并且发射体45b安装在固定槽45a的内部，使得发射体45b和
阴极基板146的顶部边缘不对准，从而使产生的电子束聚焦效果更好，并且使得发射体45b和阴极基板146之间的接触面积增大，而这些部件之间的接触电阻减小，从而使接触电阻对电子发射的负面影响最小，所述发射体45b底部与固定槽45a之间设有间隙，电子更均匀更大量地从发射体45b发射，使得到达荧光层142底部的电子束的强度增加，增强了显示图像的亮度。
23.本实施例的具体使用方式与作用：本发明中，通过微阵列显示器主体1前端右侧的操作面板6，对阴极基板146顶侧内部的发射体45b施加电压，使得发射体45b发射出电子，发射体45b在固定槽45a的内部，且与阴极基板146的顶部边缘不对准，从而使产生的电子束聚焦效果更好，并且使发射体45b和阴极基板146之间的接触面积增大，而这些部件之间的接触电阻减小，从而使接触电阻对电子发射的负面影响最小，并且电子更均匀更大量地从发射体45b发射形成电子束，电子束经过栅极结构144进入倒梯形状的孔隙43b，便于使电子束进入支撑板43a内部，且支撑板43a便于改善栅极的共振现象，使得发射的电子稳定性增加，便于发射的电子束经由支撑板43a内部到达荧光层142底部，使得到达荧光层142底部电子束的强度增加，增强了显示图像的亮度，并且提高成像的颜色纯度和整个图像质量，使得荧光层142通过平板显示屏11显示图像。
24.实施例2：如附图6至附图7所示：其中，所述栅极结构144包括金属板44a、介电层44b、贯穿孔44c、绝缘层44d、薄膜晶体管44e，所述金属板44a的左右两侧与底层设有介电层44b，并且金属板44a底部的介电层44b下方安装有绝缘层44d，所述绝缘层44d的底侧内部安装有薄膜晶体管44e，所述金属板44a之间设有贯穿孔44c，所述金属板44a材质为铝，导电性好、热膨胀率低，提高微阵列平板显示器的寿命，并且金属板44a的内壁设为向内倾斜一定角度，使得发射的电子能够更有效地聚焦在荧光层142底部，并且发射电子所需的电场经由金属板44a施加，能够显著提高场致发射显示器的亮度，所述介电层44b材质为复合陶瓷，绝缘性好，避免漏电而使得电子发射和电子束发散减少，从而提高成像亮度和整个图像质量，并且介电层44b安装在金属板44a的左右两侧与底层，使得介电层44b仅形成在一部分金属板44a上，更有效地防止热膨胀系数形成差异，导致设备发生损坏，所述绝缘层44d材质为橡胶，绝缘性好，提高设备使用寿命，所述贯穿孔44c设为圆形，且内壁设有倾斜一定角度，整体为梯形，便于把发射出的电子聚集在荧光层142上，使得微阵列显示器的分辨率提高。
25.其中，所述薄膜晶体管44e包括下栅极e1、活性层e2、源极e3、源极电极e4、漏极e5、漏极电极e6、内壁e7，所述下栅极e1嵌固安装在内壁e7底侧的内部，所述漏极电极e6的左端与内壁e7左侧的内部相连接，所述源极电极e4的右端安装在内壁e7右侧的内部，所述漏极e5设在漏极电极e6的右端，所述源极电极e4的左端内部源极e3，所述漏极e5与源极e3之间安装有活性层e2，所述下栅极e1的底端接入电压，有效抑制阳极电压所引起的电子发射，并且在阳极部分与栅极部分之间总体上形成了均匀的电势，从而防止栅极局部的电弧放电，提高微阵列平板显示器的寿命，所述下栅极e1材质为二氧化硅，绝缘性能好，便于对不同像素单位的发出的电子进行屏蔽隔离，提高成像稳定性和图像质量，所述活性层e2材质为非晶硅，可以制为很薄且光学性能好，便于对像素电容快速充电，并且保持像素电容的电压，
实现快速响应和良好存储的统一，所述源极电极e4的右端接入电压，避免发射的电子流入到微阵列发射栅极中从而成为漏电流，导致电子发射和电子束发散，从而提高成像亮度和整个图像质量。
26.本实施例的具体使用方式与作用：本发明中，阴性基板146顶部的下栅极e1的底端接入电压，有效抑制阳极电压所引起的电子发射，并且在阳极部分与栅极部分之间总体上形成了均匀的电势，从而防止栅极局部的电弧放电，提高微阵列平板显示器的寿命，下栅极e1便于对不同像素单位的发出的电子进行屏蔽隔离，提高成像稳定性和图像质量，活性层e2便于对像素电容快速充电，并且保持像素电容的电压，实现快速响应和良好存储的统一，源极电极e4的右端接入电压，避免发射的电子流入到微阵列发射栅极中从而成为漏电流，导致电子发射和电子束发散，从而提高成像亮度和整个图像质量，金属板44a的内壁设为向内倾斜一定角度，且金属板44a形成的圆形贯穿孔44c整体为梯形，使得发射的电子能够更有效地聚焦在荧光层142底部，使得微阵列显示器的分辨率提高。
27.利用本发明所述技术方案，或本领域的技术人员在本发明技术方案的启发下，设计出类似的技术方案，而达到上述技术效果的，均是落入本发明的保护范围。