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一种高密封度的真空灭弧室屏蔽罩的制作方法

2021-10-30 11:11:00 来源:中国专利 TAG:真空 屏蔽 密封 灭弧室


1.本技术涉及真空灭弧室的技术领域,尤其是涉及一种高密封度的真空灭弧室屏蔽罩。


背景技术:

2.真空灭弧室,是中高压电力开关的核心部件,其主要作用是通过管内真空优良的绝缘性使中高压电路切断电源后能迅速熄弧并抑制电流,避免事故和意外的发生,主要应用于电力的输配电控制系统,还应用于冶金、矿山、石油、化工、铁路、广播、通讯、工业高频加热等配电系统。
3.真空灭弧室的主要结构包括密绝缘外壳、导电回路、屏蔽罩、动触头、动导电杆、静触头、静导电杆、波纹管等,其中,屏蔽罩的作用为防止触头在燃弧过程中产生大量的金属蒸汽和液滴喷溅,污染绝缘外壳的内壁。由于真空灭弧室的组装操作需求,屏蔽罩的罩口部分与导电杆之间需流出供动静触头沿导电杆轴向通过的空间。
4.针对上述中的相关技术,发明人认为存在有以下缺陷:屏蔽罩的罩口与导电杆之间的空间减弱了屏蔽罩对内部动静触头的密封程度,易造成燃弧过程中产生的金属蒸汽和液滴喷溅从此空间溢出而损伤真空灭弧室的绝缘外壳。


技术实现要素:

5.为了改善屏蔽罩与导电杆之间的空隙较大导致屏蔽罩的密封度低的问题,本技术提供一种高密封度的真空灭弧室屏蔽罩。
6.本技术提供的一种高密封度的真空灭弧室屏蔽罩采用如下的技术方案:
7.一种高密封度的真空灭弧室屏蔽罩,包括屏蔽筒体,还包括补偿挡片,所述补偿挡片设有两个,其中一个所述补偿挡片位于动触头远离静触头的一侧,另一个所述补偿挡片位于静触头远离动触头的一侧,两个所述补偿挡片分别套设于动导电杆和静导电杆上,所述补偿挡片与屏蔽筒体可拆卸连接,所述补偿挡片具有绝缘性。
8.通过采用上述技术方案,补偿挡片与屏蔽筒体连接,将背景技术中屏蔽罩与导电杆之间的间隙填补,提高了屏蔽罩对位于其内部的触头的封闭状态的密封程度,减小了燃弧过程中产生的金属蒸汽和液滴喷溅溢出屏蔽罩外的几率。
9.可选的,所述屏蔽筒体分为相互同轴设置的静筒体和动筒体,所述动筒体位于静筒体内侧且二者之间留有间隙,位于动导电杆上的所述补偿挡片与动筒体可拆卸连接,位于静导电杆上的所述补偿挡片与静筒体可拆卸连接。
10.通过采用上述技术方案,静筒体与静导电杆固定不动,动筒体随动导电杆的移动而轴向移动,且二者相互内外设置使动触头和静触头始终处于屏蔽筒体和补偿挡片的笼罩内,提高了屏蔽罩对动触头和静触头的密封程度。
11.可选的,所述补偿挡片包括相互同轴相对固定的上压环和下压环,所述动筒体和静筒体均包括连接板,所述动筒体的连接板和静筒体的连接板的板面相互平行,同一个所
述补偿挡片的上压环和下压环分别与同一个连接板的相对两侧相抵接。
12.通过采用上述技术方案,上压环和下压环将连接板共同夹持以实现对屏蔽筒体的固定,提高了静筒体或动筒体与补偿挡片之间的轴向位置稳定性。
13.可选的,所述下压环同轴固定连接有固定套筒,所述固定套筒设有外螺纹结构,所述固定套筒穿过连接板,所述上压环与固定套筒螺纹连接。
14.通过采用上述技术方案,螺纹连接操作简单且自带锁定,螺纹的设置实现安装固定的同时简化了零件的结构复杂性以及操作过程。
15.可选的,所述下压环朝向连接板的一侧设有止转凸起,所述连接板上设有供止转凸起插入的止转孔,所述止转凸起的高度与连接板的厚度相等。
16.通过采用上述技术方案,止转凸起的端部与上压环接触,起到对上压环限位的效果,同时对连接板起到周向止转的效果,减小上压环旋转的过程中补偿挡片对连接板的摩擦。
17.可选的,所述动筒体的筒口位于其远离自身连接板的一端,所述静筒体的筒口位于其远离自身连接板的一端,所述动筒体的筒口固定连接有动翻边,所述动翻边的翻折方向为朝向屏蔽筒体的轴线。
18.通过采用上述技术方案,动翻边对动筒体上的电弧起到阻止溢出的目的,提高屏蔽罩的绝缘效果。
19.可选的,所述静筒体的筒口处同轴可拆卸连接有阻电环,所述阻电环远离静筒体的一侧设有静翻边,所述静翻边的翻折方向为朝向屏蔽筒体的轴线。
20.通过采用上述技术方案,静翻边对静筒体上的电弧起到阻止溢出的目的,进一步提高屏蔽罩的绝缘效果,同时静翻边通过阻电环与静筒体可拆卸连接,不会阻碍动筒体、动触头和静触头的安装操作空间。
21.可选的,所述静筒体的筒口处设有内螺纹,所述阻电环与静筒体螺纹连接。
22.通过采用上述技术方案,阻电环通过螺纹结构与静筒体连接,操作简便,实现连接的同时也提高了二者同轴度和稳定性。
23.综上所述,本技术包括以下至少一种有益技术效果:
24.1.通过补偿挡片和动筒体、静筒体的设置,在动触头和静触头做相互靠近或远离的移动过程中,屏蔽罩使自身内外部的空间之间始终无直接连通的通道,有效地减小了燃弧过程中产生的金属蒸汽和液滴喷溅溢出至屏蔽罩外的量;
25.2.通过止转凸起的设置,止转凸起在上压环、下压环通过螺纹安装的过程中对上压环的终程位置进行限定,有效地减小了上压环和下压环对连接板的挤压和摩擦,保护了连接板的结构。
附图说明
26.图1是本技术实施例中用于体现高密封度的真空灭弧室屏蔽罩的结构示意图。
27.图2是本技术实施例中用于体现静筒体与补偿挡片连接关系的爆炸示意图。
28.附图标记说明:1、屏蔽筒体;11、动筒体;111、动翻边;12、静筒体;121、阻电环;1211、静翻边;13、连接板;131、止转孔;2、补偿挡片;21、上压环;22、下压环;221、固定套筒;222、止转凸起;3、动导电杆;31、动触头;323、波纹管;4、静导电杆;41、静触头;5、瓷壳;51、
端盖。
具体实施方式
29.以下结合附图1

2对本技术作进一步详细说明。
30.本技术实施例公开一种高密封度的真空灭弧室屏蔽罩,如图1所示,包括屏蔽筒体1和补偿挡片2,屏蔽筒体1分为相互同轴且内外套设的动筒体11和静筒体12,补偿挡片2用于将动筒体11和静筒体12分别与触头两侧的静导电杆4或动导电杆3相互连接。
31.如图1和2所示,导电杆分为相互同轴的静导电杆4和动导电杆3,触头分为静触头41和动触头31;静触头41位于静导电杆4朝向动导电杆3的端部,动触头31位于动导电杆3朝向静导电杆4的端部,动导电杆3带动动触头31靠近或远离静触头41移动。屏蔽筒体1外部同轴设有绝缘瓷壳5,绝缘瓷壳5的两端通过端盖51封堵,动触头31与动触头31远离静触头41一侧的端盖51之间设有与动导电杆3同轴的波纹管323;补偿挡片2的材料为石英石,补偿挡片2设有两个,其中一个补偿挡片2套设于静导电杆4上且位于静触头41与端盖51之间,另一个补偿挡片2套设于动导电杆3上且位于动触头31与波纹管323之间。
32.如图1和2所示,动筒体11和静筒体12均为筒状物,动筒体11位于静筒体12内,动筒体11的外侧壁与静筒体12的内侧壁之间留有3

4mm的均匀间隙;动筒体11的一端和静筒体12的一端均为筒口,另一端为连接板13,动筒体11和静筒体12的筒口朝向相对。动筒体11通过补偿挡片2与动导电杆3同步移动,当动触头31与静触头41接触导电时,动触头31和静触头41均位于动筒体11的长度范围内,当动导电杆3朝向远离静导电杆4的方向移动至终程位置时,动筒体11的连接板13仍未移动出静筒体12的筒口。
33.如图1和2所示,动筒体11的筒口处一体成型有用于阻止屏蔽筒体1内的电弧溢出的动翻边111,动翻边111的翻折方向朝向静导电杆4的轴线,动翻边111的内环径向尺寸大于动触头31和静触头41的径向尺寸;静筒体12的筒口处安装有阻电环121,阻电环121远离静筒体12的一端一体成型有静翻边1211,静翻边1211的翻折方向朝向动导电杆3的轴线。静筒体12的筒口处成型有内螺纹结构,阻电环121的外侧壁上成型有外螺纹结构,阻电环121通过螺纹连接实现与静筒体12的安装固定,阻电环121与静筒体12的可拆分设置旨在灭弧室整体组装时为将动筒体11插入静筒体12内提供空间条件。
34.如图1和2所示,连接板13中心处开设有供补偿挡片2和静导电杆4或动导电杆3穿过的通孔,补偿补偿挡片2分为上压环21和下压环22,下压环22于上压环21分别与连接板13的相对两侧板面相抵接,下压环22位于靠近动触头31与静触头41的一侧,下压环22上一体成型有固定套筒221,固定套筒221与下压环22同轴,固定套筒221的内侧壁与静导电杆4或动导电杆3的外侧壁贴合,固定套筒221的外侧壁成型有外螺纹结构,上压环21的内环侧壁成型有内螺纹结构。将上压环21与下压环22分别置于连接板13的相对两侧,使固定套筒221穿过连接板13,而后旋转上压环21以使上压环21与固定套筒221螺纹连接,直至上压环21与下压环22分别将连接板13的相对两侧抵紧。
35.如图1和2所示,下压环22朝向上压环21的一侧一体成型有若干止转凸起222,连接板13上开设有供止转凸起222插入的止转孔131,当下压环22于连接板13相互抵接时,止转凸起222远离下压环22的端部与连接板13背离下压环22的板面平齐。止转凸起222用于对连接板13进行周向止转限位,同时,减小旋转上压环21时补偿挡片2对连接板13的摩擦力造成
的连接板13磨损。
36.本技术实施例一种高密封度的真空灭弧室屏蔽罩的实施原理为:
37.动触头31和动导电杆3、静触头41和静导电杆4分别安装完毕后,先将阻电环121套于动导电杆3上,再将下压环22套设至相应位置而后将动筒体11和静筒体12分别安装,两个补偿挡片2的上压环21安装完毕后,将动导电杆3的端部伸入静筒体12内,此时便可将阻电环121安装与静筒体12的筒口处,这时屏蔽罩即组装完成,继续组装端盖51瓷壳5等其他零件即可。
38.本具体实施方式的实施例均为本技术的较佳实施例,并非依此限制本技术的保护范围,故:凡依本技术的结构、形状、原理所做的等效变化,均应涵盖于本技术的保护范围之内。
再多了解一些

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