一种特定结构的边发射半导体激光耦合光纤的制作方法

技术特征：
1.一种特定结构的边发射半导体激光耦合光纤，其特征在于，包括：高折射率纤芯、低折射率包层、高分子涂覆层；所述的高折射率包层包覆于所述纤芯的外表面；所述的涂覆层包覆于所述包层的外表面；所述的纤芯横截面为非圆形。2.根据权利要求1所述的一种特定结构的边发射半导体激光耦合光纤，其特征在于，所述纤芯横截面的几何形状与半导体激光输出光斑形状相匹配，即四边形或椭圆形与输出光斑等效几何形状一致的图形。3.根据权利要求2所述的一种特定结构的边发射半导体激光耦合光纤，其特征在于，所述纤芯横截面的四边形长度大于边发射半导体激光器输出光斑的长轴，四变形宽度大于边发射半导体激光器输出光斑阵列的宽度。4.根据权利要求1所述的一种特定结构的边发射半导体激光耦合光纤，其特征在于，输出光纤的输入与输出端的包层横截面几何形状相同。5.根据权利要求4所述的一种特定结构的边发射半导体激光耦合光纤，其特征在于，所述光纤的输入和输出端的包层横截面几何形状都是圆形、四边形或椭圆形。6.根据权利要求1所述的一种特定结构的边发射半导体激光耦合光纤，其特征在于，输出光纤的输入与输出端的包层横截面几何形状不一致。7.根据权利要求6所述的一种特定结构的边发射半导体激光耦合光纤，其特征在于，所述光纤的输入和输出端的包层横截面几何形状为圆形，输出端为非圆形。8.根据权利要求1所述的一种特定结构的边发射半导体激光耦合光纤，其特征在于，所述光纤的纤芯横截面形状沿光纤轴向不一致，输入端纤芯横截面为圆形，输出端为与边发射半导体激光输出光斑形状相匹配的图形：方形或椭圆形。9.根据权利要求8所述的一种特定结构的边发射半导体激光耦合光纤，其特征在于，所述光纤的输入端纤芯的横截面形状为圆形，其半径为输出端纤芯截面形状的等效外接圆半径，输出端纤芯横截面为非圆形。10.根据权利要求1所示的一种特定结构的边发射半导体激光耦合光纤，其特征在于，所述光纤的轴向尺寸不一致，即输入端的尺寸与半导体激光器的输出光斑尺寸一致，输出端尺寸逐渐缩小。

技术总结
本发明公布了一种特定结构的边发射半导体激光耦合光纤，该光纤包括高折射率的纤芯，包覆于纤芯外表面的低折射率包层以及包覆与包层外表面的高分子涂覆层，其中纤芯的横截面为非圆形，可以是方形、椭圆形和矩形等与边发射半导体激光输出的光斑阵列相匹配的形状。该光纤可以提高光纤横截面有效耦合面积的利用率，提高半导体激光的输出功率密度。提高半导体激光的输出功率密度。提高半导体激光的输出功率密度。


技术研发人员：马修泉 郑家容 刘怀亮
受保护的技术使用者：广东国志激光技术有限公司
技术研发日：2021.07.27
技术公布日：2021/10/29