一种碳化硅晶体的二次退火方法与流程

技术特征：
1.一种碳化硅晶体的二次退火方法，包括：将碳化硅晶体放置在坩埚中在退火炉内进行退火处理；所述坩埚包括：大坩埚；设置在所述大坩埚内的小坩埚，小坩埚与大坩埚同轴放置；设置在所述小坩埚内的环形石墨毡；所述碳化硅晶体水平方向放置在环形石墨毡的中心。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述碳化硅晶体的直径为4～8英寸。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述环形石墨毡的内径为碳化硅晶体直径的1/3～2/3，外径不小于碳化硅晶体直径，厚度为碳化硅晶体厚度的0.3～2.5倍。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述小坩埚的内径是碳化硅晶体直径的1.1～2.0倍。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述大坩埚的内径是小坩埚外径的1.1～3.0倍。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述小坩埚底部与大坩埚底部之间的距离为20～150mm。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述大坩埚和小坩埚之间的间隙体积为大坩埚体积的20～40％。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述大坩埚和小坩埚之间的间隙中填充有保温材料。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述保温材料选自石墨毡或碳化硅粉料中的一种或两种。10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火处理的方法包括：升温至退火温度后保温，然后进行一次降温，最后进行二次降温；所述升温的时间为10～20小时；所述退火温度为2000～2500℃；所述保温时间为20～40小时；所述一次降温为在20～40小时降温至1000～1250℃；所述二次降温为在10～15小时降温至室温。

技术总结
本发明提供了一种碳化硅晶体的二次退火方法，包括：将碳化硅晶体放置在坩埚中在退火炉内进行退火处理；所述坩埚包括：大坩埚；设置在所述大坩埚内的小坩埚；设置在所述小坩埚内的环形石墨毡；所述晶体水平方向放置在环形石墨毡的中心。本发明在二次退火阶段使用“双坩埚”模式加“环形石墨毡”，减少温度梯度，使温度梯度保持在2～6℃，使晶体内部应力得到缓慢释放，同时避免晶体在退火过程中产生新的应力。本发明提供的二次退火的方法可对坩埚高度和晶体厚度进行合理配置，同时放置多块晶体，增加效率。加效率。


技术研发人员：陈荣坤 李文勇 马敬军 张冬
受保护的技术使用者：河北天达晶阳半导体技术股份有限公司
技术研发日：2021.07.26
技术公布日：2021/10/29