有机发光显示装置、制造其的方法和用于其的像素电路与流程

技术特征：
1.一种有机发光显示装置，包括：有机发光二极管；第一晶体管，被配置为响应于施加到连接到所述第一晶体管的第一栅电极的第一节点的电压，来控制从连接到电力电压线的第二节点流到所述有机发光二极管的电流的量；第三晶体管，连接在所述第一节点与第三节点之间，并且被配置为响应于施加到所述第三晶体管的第三栅电极的电压而使所述第一晶体管二极管连接，其中所述第三节点在所述第一晶体管与所述有机发光二极管之间；以及栅绝缘层，置于所述第一晶体管的第一有源区与所述第一栅电极之间以及所述第三晶体管的第三有源区与所述第三栅电极之间，其中所述栅绝缘层的在所述第一有源区与所述第一栅电极之间的第一部分中的介电常数大于所述栅绝缘层的在所述第三有源区与所述第三栅电极之间的第二部分中的介电常数。2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第二部分与所述第三栅电极和所述第三有源区重叠。3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，当从与所述第三栅电极的上表面垂直的方向观看时，所述第二部分的面积与所述第三栅电极的与所述第三有源区重叠的部分的面积相同。4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，当从与所述第三栅电极的上表面垂直的方向观看时，所述第二部分的面积大于所述第三栅电极的与所述第三有源区重叠的部分的面积。5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述栅绝缘层包括氧化硅，并且在所述第二部分中每单位体积的氧原子的数量大于在所述第一部分中每单位体积的氧原子的数量。6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述栅绝缘层包括氧化硅，并且所述第二部分包括氟或碳。7.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，进一步包括：第四晶体管，连接在所述第一节点与第四电压线之间，并且被配置为响应于施加到所述第四晶体管的第四栅电极的电压来初始化所述第一栅电极的电压；其中所述栅绝缘层置于所述第四晶体管的第四有源区与所述第四栅电极之间，其中所述栅绝缘层的在所述第一有源区与所述第一栅电极之间的所述第一部分中的所述介电常数大于所述栅绝缘层的在所述第四有源区与所述第四栅电极之间的第三部分中的介电常数。8.根据权利要求7所述的有机发光显示装置，其中，所述第三部分与所述第四栅电极和所述第四有源区重叠。9.根据权利要求7所述的有机发光显示装置，其中，当从与所述第四栅电极的上表面垂直的方向观看时，所述第三部分的面积与所述第四栅电极的与所述第四有源区重叠的部分的面积相同。10.根据权利要求7所述的有机发光显示装置，其中，当从与所述第四栅电极的上表面垂直的方向观看时，所述第三部分的面积大于所述第四栅电极的与所述第四有源区重叠的
部分的面积。11.根据权利要求7所述的有机发光显示装置，其中，所述栅绝缘层包括氧化硅，并且在所述第三部分中每单位体积的氧原子的数量大于在所述第一部分中每单位体积的氧原子的数量。12.根据权利要求7所述的有机发光显示装置，其中，所述栅绝缘层包括氧化硅，并且所述第三部分包括氟或碳。13.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，进一步包括：第七晶体管，连接在所述有机发光二极管与第四电压线之间，并且被配置为响应于施加到所述第七晶体管的第七栅电极的电压来初始化所述有机发光二极管的像素电极的电压，其中所述栅绝缘层置于所述第七晶体管的第七有源区与所述第七栅电极之间，其中所述栅绝缘层的在所述第一有源区与所述第一栅电极之间的所述第一部分中的所述介电常数大于所述栅绝缘层的在所述第七有源区与所述第七栅电极之间的第五部分中的介电常数。14.根据权利要求13所述的有机发光显示装置，其中，所述第五部分与所述第七栅电极和所述第七有源区重叠。15.根据权利要求13所述的有机发光显示装置，其中，当从与所述第七栅电极的上表面垂直的方向观看时，所述第五部分的面积与所述第七栅电极的与所述第七有源区重叠的部分的面积相同。16.根据权利要求13所述的有机发光显示装置，其中，当从与所述第七栅电极的上表面垂直的方向观看时，所述第五部分的面积大于所述第七栅电极的与所述第七有源区重叠的部分的面积。17.根据权利要求13所述的有机发光显示装置，其中，所述栅绝缘层包括氧化硅，并且在所述第五部分中每单位体积的氧原子的数量大于在所述第一部分中每单位体积的氧原子的数量。18.根据权利要求13所述的有机发光显示装置，其中，所述栅绝缘层包括氧化硅，并且所述第五部分包括氟或碳。19.一种制造有机发光显示装置的方法，所述方法包括：在基板之上形成包括第一有源区和第三有源区的半导体层；形成覆盖所述半导体层的栅绝缘层；将氧离子、氟离子或碳离子注入到所述栅绝缘层的与所述第三有源区相对应的第二部分中；在所述栅绝缘层上形成与所述第一有源区相对应的第一栅电极和与所述第三有源区相对应的第三栅电极，以形成包括所述第一有源区和所述第一栅电极并且被配置为控制流到有机发光二极管的电流的量的第一晶体管以及包括所述第三有源区和所述第三栅电极并且被配置为响应于施加到所述第三栅电极的电压而使所述第一晶体管二极管连接的第三晶体管；并且形成电连接到所述第一晶体管的所述有机发光二极管。20.根据权利要求19所述的方法，
其中，所述半导体层的所述形成包括：在所述基板之上形成包括所述第一有源区、所述第三有源区和第四有源区的半导体层，其中，所述氧离子、所述氟离子或所述碳离子的所述注入包括：将所述氧离子、所述氟离子或所述碳离子注入到所述栅绝缘层的与所述第三有源区相对应的所述第二部分以及所述栅绝缘层的与所述第四有源区相对应的第三部分中，其中，所述第一晶体管和所述第三晶体管的所述形成包括：在所述栅绝缘层上形成与所述第一有源区相对应的所述第一栅电极、与所述第三有源区相对应的所述第三栅电极以及与所述第四有源区相对应的第四栅电极，以形成包括所述第一有源区和所述第一栅电极并且被配置为控制流到所述有机发光二极管的所述电流的所述量的所述第一晶体管、包括所述第三有源区和所述第三栅电极并且被配置为响应于施加到所述第三栅电极的所述电压而使所述第一晶体管二极管连接的所述第三晶体管以及包括所述第四有源区和所述第四栅电极并且被配置为响应于施加到所述第四栅电极的电压来初始化所述第一栅电极的电压的第四晶体管。21.根据权利要求19所述的方法，其中，所述栅绝缘层的所述形成包括：形成包括氧化硅的所述栅绝缘层。22.根据权利要求19所述的方法，其中，所述第二部分与所述第三栅电极和所述第三有源区重叠。23.根据权利要求19所述的方法，其中，当从与所述半导体层的上表面垂直的方向观看时，所述第二部分的面积与所述第三栅电极的与所述第三有源区重叠的部分的面积相同。24.根据权利要求19所述的方法，其中，当从与所述半导体层的上表面垂直的方向观看时，所述第二部分的面积大于所述第三栅电极的与所述第三有源区重叠的部分的面积。25.一种制造有机发光显示装置的方法，所述方法包括：在基板之上形成包括第一有源区和第三有源区的半导体层；形成覆盖所述半导体层的栅绝缘层；将硅离子注入到所述栅绝缘层的与所述第一有源区相对应的第一部分中；在所述栅绝缘层上形成与所述第一有源区相对应的第一栅电极和与所述第三有源区相对应的第三栅电极，以形成包括所述第一有源区和所述第一栅电极并且被配置为控制流到有机发光二极管的电流的量的第一晶体管以及包括所述第三有源区和所述第三栅电极并且被配置为响应于施加到所述第三栅电极的电压而使所述第一晶体管二极管连接的第三晶体管；并且形成电连接到所述第一晶体管的所述有机发光二极管。26.根据权利要求25所述的方法，其中，所述硅离子的所述注入包括：将所述硅离子注入到所述栅绝缘层的除了所述栅绝缘层的第二部分之外的部分中，所述第二部分与所述第三有源区相对应。27.根据权利要求25所述的方法，其中，所述半导体层的所述形成包括：在所述基板之上形成包括所述第一有源区、所述第三有源区和第四有源区的半导体层，其中，所述硅离子的所述注入包括：
将所述硅离子注入到所述栅绝缘层的除了所述栅绝缘层的第二部分和第三部分之外的部分中，其中所述第二部分与所述第三有源区相对应，并且所述第三部分与所述第四有源区相对应，其中，所述第一晶体管和所述第三晶体管的所述形成包括：在所述栅绝缘层上形成与所述第一有源区相对应的所述第一栅电极、与所述第三有源区相对应的所述第三栅电极以及与所述第四有源区相对应的第四栅电极，以形成包括所述第一有源区和所述第一栅电极并且被配置为控制流到所述有机发光二极管的所述电流的所述量的所述第一晶体管、包括所述第三有源区和所述第三栅电极并且被配置为响应于施加到所述第三栅电极的所述电压而使所述第一晶体管二极管连接的所述第三晶体管以及包括所述第四有源区和所述第四栅电极并且被配置为响应于施加到所述第四栅电极的电压来初始化所述第一栅电极的电压的第四晶体管。28.根据权利要求25所述的方法，其中，所述栅绝缘层的所述形成包括：形成包括氧化硅的所述栅绝缘层，在所述栅绝缘层中每单位体积包括的氧原子的数量是每单位体积包括的硅原子的数量的1.9倍或更多倍。29.根据权利要求26所述的方法，其中，所述栅绝缘层的所述第二部分与所述第三栅电极和所述第三有源区重叠。30.根据权利要求26所述的方法，其中，当从与所述半导体层的上表面垂直的方向观看时，所述栅绝缘层的所述第二部分的面积与所述第三栅电极的与所述第三有源区重叠的部分的面积相同。31.根据权利要求26所述的方法，其中，当从与所述半导体层的上表面垂直的方向观看时，所述栅绝缘层的所述第二部分的面积大于所述第三栅电极的与所述第三有源区重叠的部分的面积。32.一种用于有机发光显示装置的像素电路，包括：驱动晶体管，被配置为控制从电力电压线流到有机发光二极管的电流；补偿晶体管，被配置为响应于施加到所述补偿晶体管的补偿栅电极的电压而使所述驱动晶体管二极管连接；以及栅绝缘层，置于所述驱动晶体管的驱动有源区与所述驱动晶体管的驱动栅电极之间以及所述补偿晶体管的补偿有源区与所述补偿栅电极之间，其中所述栅绝缘层的在所述驱动有源区与所述驱动栅电极之间的第一部分中的介电常数大于所述栅绝缘层的在所述补偿有源区与所述补偿栅电极之间的第二部分中的介电常数。33.根据权利要求32所述的像素电路，其中，所述第二部分的面积与所述补偿栅电极的与所述补偿有源区重叠的部分的面积相同。34.根据权利要求32所述的像素电路，其中，所述第二部分的面积大于所述补偿栅电极的与所述补偿有源区重叠的部分的面积。

技术总结
本发明涉及有机发光显示装置、制造其的方法和用于其的像素电路。该有机发光显示装置包括：有机发光二极管；驱动晶体管，被配置为控制从电力电压线到有机发光二极管的电流；补偿晶体管，被配置为响应于施加到补偿晶体管的补偿栅电极的电压而使驱动晶体管二极管连接；以及栅绝缘层，置于驱动晶体管的驱动有源区与驱动栅电极之间以及补偿晶体管的补偿有源区与补偿栅电极之间。栅绝缘层的在驱动有源区与驱动栅电极之间的第一部分中的介电常数大于栅绝缘层的在补偿有源区与补偿栅电极之间的第二部分中的介电常数。部分中的介电常数。部分中的介电常数。


技术研发人员：朴商镇 金永大 金贞善 李相振 李雅戀
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：2021.03.29
技术公布日：2021/10/28