显示装置的制作方法

显示装置
1.本技术要求于2020年4月14日提交的第10
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2020
‑
0045270号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
2.本公开涉及一种显示装置和该显示装置的驱动方法，更具体地，涉及一种能够通过使用具有纳米级或微米级尺寸的超小发光元件来发光的显示装置和该显示装置的驱动方法。


背景技术：

3.随着信息技术的发展，可以是用户与信息之间的连接介质的显示装置的重要性已经被强调。因此，诸如液晶显示装置、有机发光显示装置和等离子体显示装置的显示装置的使用已经不断增加。
4.有机发光显示装置通过使用有机发光二极管(oled)发光。因为使用有机材料形成有机发光二极管，所以随着时间的推移或随着驱动时间段的累积，有机发光二极管会劣化或者发光效率会降低。
5.最近，为了解决有机发光二极管的上述问题，已经通过在发光元件中使用无机材料而进行了研究。例如，对具有纳米级或微米级尺寸并通过使用由无机材料形成的超小发光元件而发光的显示装置的研究已经在不断进行。
6.在该背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对公开的背景技术的理解，因此其可以包含不形成现有技术的信息。


技术实现要素：

7.本公开的一个或更多个方面在于提供一种显示装置，该显示装置能够通过阻断可以从外部被视为所谓的暗点的子像素的驱动电流来改善功耗。
8.本公开的一个或更多个方面在于提供显示装置的驱动方法。
9.本公开内容的一个或更多个方面不限于以上描述的方面，并且可以在不脱离本公开内容的精神和范围的情况下进行各种扩展。
10.根据本公开的一个或更多个方面，提供了一种显示装置。
11.根据一个或更多个示例实施例，显示装置可以包括：子像素，包括发光单元和驱动晶体管，发光单元包括第一电极、第二电极和连接在第一电极与第二电极之间的多个发光元件，驱动晶体管被配置为将驱动电流供应到发光单元；检测器，电连接到发光单元，以检测所述多个发光元件中的短路；以及阻断控制器，被配置为基于检测器的输出来控制驱动电流的阻断。
12.在一个或更多个示例实施例中，所述多个发光元件中的每个发光元件包括具有纳米级或微米级尺寸的无机发光二极管。
13.在一个或更多个示例实施例中，发光单元可以包括多个组，所述多个组中的每个
组包括彼此并联连接的多个发光元件，并且所述多个组可以在第一电极与第二电极之间彼此串联连接。
14.在一个或更多个示例实施例中，检测器包括至少一个比较器，所述至少一个比较器被配置为将参考电压与在所述第一电极或将所述多个组串联连接的节点中的至少一个节点处的电压进行比较。
15.在一个或更多个示例实施例中，所述至少一个比较器可以包括电连接到第一电极以将第一电极的电压与第一参考电压进行比较的主比较器。
16.在一个或更多个示例实施例中，第一参考电压可以通过使用与所述多个组的数量对应的值来确定。
17.在一个或更多个示例实施例中，第一参考电压可以通过将所述多个组的数量乘以设定比例(例如，预定比例)来确定。
18.在一或更多个示例实施例中，主比较器可以包括放大器，放大器具有用于接收第一电极的电压的第一输入端子、用于接收第一参考电压的第二输入端子以及用于输出第一电极的电压与第一参考电压的比较的结果作为低电平信号和高电平信号中的一者的输出端子。
19.在一个或更多个示例实施例中，阻断控制器可以在第一电极的电压比第一参考电压小时基于主比较器的输出而通过阻断控制线输出阻断驱动电流的截止信号。
20.在一个或更多个示例实施例中，子像素还可以包括阻断晶体管，阻断晶体管被配置为响应于截止信号而截止。
21.在一个或更多个示例性实施例中，阻断晶体管可以电连接到驱动晶体管的栅电极，以响应于截止信号而使驱动晶体管截止。
22.在一个或更多个示例实施例中，阻断晶体管可以位于驱动电流经由驱动晶体管从第一电源流到第二电源的路径中。
23.在一个或更多个示例实施例中，所述至少一个比较器还可以包括辅助比较器，辅助比较器电连接到相应的节点，以将相应的节点的电压与第二参考电压进行比较。
24.在一个或更多个示例实施例中，阻断控制器可以基于主比较器和辅助比较器的输出而通过阻断控制线输出阻断驱动电流的截止信号。
25.在一个或更多个示例实施例中，阻断控制器可以被配置成通过对主比较器和辅助比较器的输出进行逻辑or运算来输出截止信号。
26.本公开的一个或更多个示例实施例提供了一种显示装置的驱动方法。
27.在一个或更多个示例实施例中，显示装置的驱动方法可以包括：感测包括第一电极、第二电极和连接在第一电极与第二电极之间的多个发光元件的发光单元的至少一个电压；将感测的至少一个电压与参考电压进行比较；以及响应于比较的结果产生用于阻断供应到发光单元的驱动电流的截止信号。
28.在一个或更多个示例实施例中，发光元件中的每个可以是具有纳米级或微米级尺寸的无机发光二极管。
29.在一个或更多个示例实施例中，发光单元可以包括多个组，所述多个组中的每个组包括彼此并联连接的多个发光元件，并且所述多个组可以在第一电极与第二电极之间彼此串联连接。
30.在一个或更多个示例实施例中，比较步骤可以包括将第一电极的电压与第一参考电压进行比较。
31.在一个或更多个示例实施例中，比较步骤还可以包括将使所述多个组串联连接的节点的电压与第二参考电压进行比较。
32.依照根据本公开的显示装置和该显示装置的驱动方法，能够通过检测包括在子像素的发光单元中的多个发光元件之间发生的短路并且根据是否检测到短路或短路的发光元件的比例而阻断子像素的驱动电流来改善功耗。
附图说明
33.图1示出了示出根据本公开的一个或更多个示例实施例的显示装置的示意图。
34.图2示出了根据图1的显示面板的俯视平面图。
35.图3和图4分别示出了示出根据本公开的一个或更多个示例实施例的发光元件的透视图和剖视图。
36.图5a至图5c示出了示出根据图2的子像素的示例的电路图。
37.图6示出了用于描述根据本公开的一个或更多个示例实施例的发光单元中出现暗点的情况的示意图。
38.图7示出了另外示出根据本公开的一个或更多个示例实施例的检测器和阻断控制器(blocking controller)的示意图。
39.图8a至图8c示出了用于接收根据图7的截止信号的阻断晶体管添加到其的子像素的电路图。
40.图9示出了示出根据本公开的一个或更多个示例实施例的显示装置的驱动方法的流程图。
具体实施方式
41.在下文中将参照附图更全面地描述本公开，在附图中示出了公开的示例实施例。如本领域技术人员将认识到的，可以以各种不同的方式修改所描述的实施例，所有这些都不脱离本公开的精神或范围。
42.为了清楚地描述本公开，省略了与描述无关的部分，并且贯穿说明书，同样的附图标记指同样的或相似的组成元件。因此，可以在其他附图中使用上述附图标记。
43.此外，因为附图中示出的组成构件的尺寸和厚度是为了更好地理解和易于描述而任意给出的，所以本公开不限于示出的尺寸和厚度。在附图中，为了清楚起见，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。
44.将理解的是，尽管在这里可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语仅用来将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本公开的范围的情况下，这里讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可以被称为第二元件、组件、区域、层或部分。
45.为了易于描述，这里可以使用空间相对术语，诸如“在
……
之下”、“在
……
下方”、“下”、“在
……
下面”、“在
……
上方”、“上”等，用来描述如图中示出的一个元件或特征与另
一(其他)元件或特征的关系。将理解的是，除了图中描绘的方位之外，这样的空间相对术语旨在包含装置在使用中或在操作中的不同方位。例如，如果图中的装置被翻转，则被描述为“在”其他元件或特征“下方”或“之下”或“下面”的元件随后将被定位为“在”所述其他元件或特征“上方”。因此，示例术语“在
……
下方”和“在
……
下面”可以包含上方和下方两种方位。装置可以被另外定位(例如，旋转90度或处于其他方位)，并且应该相应地解释这里使用的空间相对描述语。在一个或更多个示例性实施例中，还将理解的是，当层被称为“在”两个层“之间”时，该层可以是所述两个层之间的唯一层，或者也可以存在一个或更多个示例中间层。
46.这里使用的术语仅出于描述特定实施例的目的，并且不旨在限制本公开。如这里所使用的，术语“基本上”、“约”和相似术语用作近似术语而不用作程度术语，并且旨在解释本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值中的固有偏差。
47.如这里所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一”和“一个(种/者)”也旨在包括复数形式。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包括”和/或其变型时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。如这里所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。诸如
“……
中的至少一个(种/者)”的表述在一列元件之后时修饰整列元件，而不修饰该列中的个别元素。此外，当描述本公开的实施例时，“可以”的使用指“本公开的一个或更多个实施例”。此外，术语“示例性”旨在指示例或说明。如这里所使用的，术语“使用”及其变型可以被认为分别与术语“利用”及其变型同义。
48.将理解的是，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”、“结合到”另一元件或层或者“与”另一元件或层“相邻”时，该元件或层可以直接在另一元件或层上、直接连接到、直接结合到所述另一元件或层或者与所述另一元件或层直接相邻，或者可以存在一个或更多个中间元件或中间层。相反，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”、“直接结合到”或“紧邻”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。
49.图1示出了示出根据本公开的一个或更多个示例实施例的显示装置的示意图。
50.参照图1，显示装置dd可以包括显示面板100、时序控制器200、扫描驱动器300、光发射驱动器400、数据驱动器500和电源管理单元600。
51.显示面板100可以包括多个像素px[i,j]。像素px[i,j]可以包括p行(p是正整数)和q列(q是正整数)。位于同一行(在下文中，也可以称为水平线)中的像素px[i,j]可以连接到同一扫描线和同一发射控制线。在一个或更多个示例实施例中，位于同一列(在下文中，也可以称为竖直线)中的像素px[i,j]可以连接到同一数据线。例如，位于第i行(i是小于或等于p的正整数)第j列(j是小于或等于q的正整数)的像素px[i,j]可以连接到第i扫描线sl[i]和第i发射控制线el[i]，并且也可以连接到第j数据线dl[j]。
[0052]
时序控制器200可以响应于从外部供应的同步信号而产生扫描驱动控制信号scs、数据驱动控制信号dcs和发射控制信号ecs。扫描驱动控制信号scs可以被供应到扫描驱动器300，数据驱动控制信号dcs可以被供应到数据驱动器500，并且发射控制信号ecs可以被供应到光发射驱动器400。在一个或更多个示例实施例中，时序控制器200可以基于从外部供应的输入图像数据而产生图像数据rgb，并且可以将产生的图像数据rgb供应到数据驱动
器500。
[0053]
扫描驱动控制信号scs可以包括扫描起始信号和时钟信号。扫描起始信号可以是用于控制扫描信号的第一时序的信号。时钟信号可以用于使扫描起始信号移位。
[0054]
发射控制信号ecs可以包括发射起始信号和时钟信号。发射起始信号可以控制发射信号的第一时序。时钟信号可以用于使发射起始信号移位。
[0055]
数据驱动控制信号dcs可以包括源起始脉冲和时钟信号。源起始脉冲可以控制数据采样的起始点。时钟信号可以用于控制采样操作。
[0056]
扫描驱动器300可以从时序控制器200接收扫描驱动控制信号scs，并且可以基于扫描驱动控制信号scs顺序地将扫描信号供应到扫描线sl[1]、sl[2]、
……
和sl[p]。当依次供应扫描信号时，以水平线(或像素行)为单位选择像素px[i,j]，并且数据信号可以被供应到所选择的像素px[i,j]。
[0057]
扫描驱动器300可以包括以移位寄存器的形式配置的扫描级。扫描驱动器300可以通过在时钟信号的控制下以导通电平的脉冲的形式将扫描起始信号顺序地传输到下一扫描级来产生扫描信号。
[0058]
光发射驱动器400可以从时序控制器200接收发射控制信号ecs，并且可以基于发射控制信号ecs将发射信号顺序地供应到发射控制线el[1]、el[2]、
……
和el[p]。发射信号可以用于控制像素px[i,j]的发射时间。为了这个目的，发射信号可以被设定为具有比扫描信号的带宽宽的带宽。
[0059]
数据驱动器500可以从时序控制器200接收数据驱动控制信号dcs和图像数据rgb。数据驱动器500可以基于图像数据rgb通过数据线dl[1]、dl[2]、
……
和dl[q]将数据电压(或数据信号)供应到位于由扫描信号选择的水平线上的像素px[i,j]。为了这个目的，数据驱动器500可以将数据电压供应到数据线dl[1]、dl[2]、
……
和dl[q]以与扫描信号同步。
[0060]
电源管理单元600可以将第一电源vdd的电压、第二电源vss的电压和初始化电源vint的电压供应到显示面板100。第一电源vdd和第二电源vss可以产生用于驱动显示面板100的每个像素px[i,j]中包括的(或子像素中包括的)多个发光元件的电压。在一个或更多个示例实施例中，第二电源vss的电压可以比第一电源vdd的电压低。例如，第一电源vdd的电压可以是正电压，并且第二电源vss的电压可以是负电压。像素px[i,j]中包括的驱动晶体管和/或发光元件可以通过初始化电源vint的电压而被初始化。
[0061]
虽然在图1中示出了用于供应发射信号的光发射驱动器400，但是根据稍后将描述的子像素spx1、spx2和spx3的电路结构，可以省略光发射驱动器400，或者可以添加与扫描驱动器300相似并输出第二扫描信号的第二扫描驱动器。
[0062]
图2示出了根据图1的显示面板的俯视平面图。
[0063]
参照图2，显示面板100可以包括基体层sub1(或基底)和位于基体层sub1上的像素px[i,j]。在一个或更多个示例实施例中，显示面板100和基体层sub1可以包括其中显示图像的显示区域da和除了显示区域da之外的非显示区域nda。
[0064]
根据一个或更多个示例实施例，显示区域da可以位于显示面板100的中心区域中，并且非显示区域nda可以沿着显示面板100的边缘(例如，外围)定位以围绕显示区域da。然而，显示区域da和非显示区域nda的位置不限于此，并且它们的位置可以被改变。
[0065]
基体层sub1可以构成显示面板100的基体构件。例如，基体层sub1可以构成下面板
(例如，显示面板100的下面板)的基体构件。
[0066]
根据一个或更多个示例实施例，基体层sub1可以是刚性基底或柔性基底。例如，基体层sub1可以是由玻璃或钢化玻璃制成的刚性基底，或者是由塑料或金属制成的薄膜制成的柔性基底。在一个或更多个示例实施例中，基体层sub1可以是透明基底、半透明基底、不透明基底或反射基底。
[0067]
基体层sub1可以包括像素px[i,j]位于其中的显示区域da以及与除了显示区域da之外的剩余区域对应的非显示区域nda。非显示区域nda可以位于显示区域da的至少一侧上。连接到显示区域da的像素px[i,j]的各种布线和/或内置电路单元可以位于非显示区域nda中。
[0068]
像素px[i,j]可以包括多个子像素。例如，像素px[i,j]可以包括第一子像素spx1、第二子像素spx2和第三子像素spx3。根据一个或更多个示例实施例，第一子像素spx1、第二子像素spx2和第三子像素spx3可以发射不同颜色的光。例如，第一子像素spx1可以是发射红光的红色子像素，第二子像素spx2可以是发射绿光的绿色子像素，并且第三子像素spx3可以是发射蓝光的蓝色子像素。
[0069]
在一个或更多个示例实施例中，子像素spx1、spx2和spx3中的每者可以通过使用发光单元lsu(见图5a)而发光，并且发光单元lsu可以包括多个发光元件ld(见图5a)。例如，发光元件ld中的每个具有小至纳米级至微米级的尺寸，并且可以是发光二极管(例如，无机发光二极管)，并且发光元件ld可以彼此串联和/或并联连接。
[0070]
在下文中，第一子像素spx1、第二子像素spx2和第三子像素spx3可以统称为子像素spx。
[0071]
图3和图4分别示出了示出根据本公开的一个或更多个示例实施例的发光元件的透视图和剖视图。
[0072]
参照图3和图4，发光元件ld可以包括第一半导体层11、第二半导体层13和位于第一半导体层11与第二半导体层13之间的活性层12。例如，发光元件ld可以形成为其中沿着一个方向顺序地堆叠有第一半导体层11、活性层12和第二半导体层13的堆叠体。
[0073]
根据一个或更多个示例实施例，发光元件ld可以具有沿着一个方向延伸的棒状。发光元件ld可以沿着一个方向具有第一端部和第二端部。
[0074]
根据一个或更多个示例实施例，第一半导体层11和第二半导体层13中的一者可以位于发光元件ld的第一端部处，并且第一半导体层11和第二半导体层13中的另一者可以位于发光元件ld的第二端部处。
[0075]
根据一个或更多个示例实施例，发光元件ld可以是被制造为具有棒状的发光二极管(led)。在一个或更多个示例实施例中，棒状包括在纵向方向上比在宽度方向上长(即，其长宽比大于1)的杆状形状或条状形状(诸如圆柱体或多棱柱等)，并且其剖面的形状不受特别地限制。例如，发光元件ld的长度l可以比其直径d(或剖面的宽度)大。
[0076]
根据一个或更多个示例实施例，发光元件ld可以具有小至纳米级至微米级的尺寸，例如，直径d和/或长度l的范围是约100nm至约10μm。然而，发光元件ld的尺寸可以根据通过使用发光元件ld的显示装置dd的设计条件而被各种改变。
[0077]
第一半导体层11可以包括至少一种n型半导体材料。例如，第一半导体层11包括inalgan、gan、algan、ingan、aln和inn之中的半导体材料，并且可以包括掺杂有诸如si、ge、
sn等的第一导电掺杂剂的n型半导体材料。
[0078]
活性层12位于第一半导体层11上，并且可以形成在单量子阱结构或多量子阱结构中。在一个或更多个示例实施例中，掺杂有导电掺杂剂的包覆层可以形成在活性层12的上部和/或下部处。例如，包覆层可以形成为algan层或inalgan层。根据一个或更多个示例实施例，可以使用诸如algan或alingan的材料来形成活性层12，并且各种其他材料可以构成活性层12。例如，活性层12可以位于下面描述的第一半导体层11与第二半导体层13之间。
[0079]
当将等于或大于阈值电压的电压施加到发光元件ld的相对端时，发光元件ld可以在电子
‑
空穴对在活性层12中复合的同时发光。通过使用该原理控制发光元件ld的光发射，发光元件ld可以用作包括在显示装置dd的像素中的各种发光元件的光源。
[0080]
第二半导体层13位于活性层12上，并且可以包括与第一半导体层11的类型不同的类型的半导体材料。例如，第二半导体层13可以包括至少一种p型半导体材料。例如，第二半导体层13包括在inalgan、gan、algan、ingan、aln和inn之中的至少一种半导体材料，并且可以包括掺杂有诸如mg的第二导电掺杂剂的p型半导体材料。
[0081]
根据一个或更多个示例实施例，第一半导体层11的第一长度l1可以比第二半导体层13的第二长度l2长。
[0082]
根据一个或更多个示例实施例，发光元件ld还可以包括设置在其表面上的绝缘膜inf。绝缘膜inf可以位于发光元件ld的表面上以至少围绕活性层12的外围表面(例如，外圆周表面)，并且可以定位成还围绕第一半导体层11和第二半导体层13的区域。
[0083]
根据一个或更多个示例实施例，绝缘膜inf可以使发光元件ld的具有不同极性的相对端部暴露。例如，绝缘膜inf可以在纵向方向上使位于发光元件ld的相对端处的第一半导体层11和第二半导体层13中的每者的一端(例如，圆柱体的两个表面(即，上表面和下表面))暴露，而不覆盖它们。在一些其他示例实施例中，绝缘膜inf可以使具有不同极性的发光元件ld的相对端部以及与其相对端相邻的半导体层11和13的侧部暴露。
[0084]
根据一个或更多个示例实施例，绝缘膜inf可以包括二氧化硅(sio2)、氮化硅(si3n4)、氧化铝(al2o3)和二氧化钛(tio2)之中的至少一种绝缘材料。
[0085]
在一个或更多个示例实施例中，除了第一半导体层11、活性层12、第二半导体层13和/或绝缘膜inf之外，发光元件ld还可以包括附加组件。例如，发光元件ld可以包括位于第一半导体层11、活性层12和/或第二半导体层13的第一端处的一个或更多个磷光体层、活性层、半导体材料层和/或电极层。
[0086]
当将等于或大于阈值电压的电压施加到发光元件ld的相对端时，发光元件ld可以在电子
‑
空穴对在活性层12中结合的同时发光。
[0087]
图5a至图5c示出了示出根据图2的子像素的示例的电路图。
[0088]
图5a至图5c示出了子像素spx的电路图的一个或更多个示例实施例，并且第一子像素spx1、第二子像素spx2和第三子像素spx3可以被实现为具有与根据图5a至图5c的子像素spx的形式相同的形式。
[0089]
在图5a至图5c中，发光元件ld可以是参照图3至图4描述的具有纳米级或微米级尺寸的无机发光二极管。
[0090]
在下文中，在子像素spx位于显示区域da的第i行和第j列中的前提下，连接到子像素spx的数据线dl[j]可以是第j数据线dl[j]，连接到子像素spx的扫描线sl[i]可以是第i
扫描线sl[i]，并且连接到子像素spx的发射控制线el[i]可以是第i发射控制线el[i]。
[0091]
参照图5a至图5c，子像素spx可以包括发光单元lsu和用于将驱动电流供应到发光单元lsu的驱动晶体管，发光单元lsu包括第一电极ae、第二电极ce和连接在第一电极ae与第二电极ce之间的多个发光元件ld。在下文中，驱动晶体管可以可选地被称为第一晶体管t1。
[0092]
发光单元lsu可以包括电连接到第一电源vdd的第一电极ae和电连接到第二电源vss的第二电极ce。发光单元lsu可以通过使用发光元件ld而发射具有与驱动电流对应的亮度的光。因此，可以在显示面板100的显示区域da中显示图像。
[0093]
第一晶体管t1(例如，驱动晶体管)可以电连接在第一电源vdd与第二电源vss之间，以产生与数据信号(或数据电压)对应的驱动电流，并且将产生的驱动电流供应到发光单元lsu。
[0094]
参照图5a，子像素spx可以包括第一晶体管t1、第二晶体管t2、存储电容器cst和发光单元lsu。
[0095]
在一个或更多个示例实施例中，第一晶体管t1(例如，驱动晶体管)可以包括在第一电源vdd与发光单元lsu的第一电极ae之间并且连接到第一节点n1的栅电极。例如，第一晶体管t1可以连接在第一电源vdd与发光单元lsu的第一电极ae之间，并且第一晶体管t1的栅电极可以连接到第一节点n1。第一晶体管t1可以响应于施加到第一节点n1的电压而导通，从而产生驱动电流。
[0096]
第二晶体管t2可以包括在数据线dl[j]与第一节点n1之间并且连接到扫描线sl[i]的栅电极。例如，第二晶体管t2可以连接在数据线dl[j]与第一节点n1之间，并且第二晶体管t2的栅电极可以连接到扫描线sl[i]。第二晶体管t2可以响应于通过扫描线sl[i]供应的扫描信号而导通，以将通过数据线dl[j]供应的数据信号传送到第一节点n1。第二晶体管t2也可以被称为开关晶体管。
[0097]
存储电容器cst可以连接在第一节点n1与第二节点n2之间。因此，存储电容器cst可以存储施加在第一节点n1与第二节点n2之间的电压。在图5a中，第二节点n2可以是与连接到第一晶体管t1的第二电极的节点相同的节点。
[0098]
发光单元lsu可以连接在第二节点n2与第二电源vss之间。在一个或更多个示例实施例中，与图5a中示出的不同，发光单元lsu可以连接在第一电源vdd与第一晶体管t1的第一电极之间。
[0099]
参照图5b，子像素spx可以包括第一晶体管t1至第七晶体管t7、存储电容器cst和发光单元lsu。
[0100]
第一晶体管t1可以连接在第一电源vdd与发光单元lsu之间。例如，第一晶体管t1的第一电极(例如，源电极)可以通过第五晶体管t5连接到第一电源vdd，并且第一晶体管t1的第二电极(例如，漏电极)可以通过第六晶体管t6连接到发光单元lsu的第一电极ae。第一晶体管t1的栅电极可以连接到第一节点n1。第一晶体管t1可以响应于施加到第一节点n1的电压而导通，以将驱动电流供应到发光单元lsu。
[0101]
第二晶体管t2可以连接在第j数据线dl[j]与第一晶体管t1的第一电极之间。第二晶体管t2的栅电极可以连接到第i扫描线sl[i]。当从第i扫描线sl[i]供应栅极导通电压(例如，低电压电平)的扫描信号时，第二晶体管t2可以导通，以将通过第j数据线dl[j]供应
的数据信号传输到第一晶体管t1的第一电极。
[0102]
第三晶体管t3可以连接在第一晶体管t1的第二电极(例如，漏电极)与第一节点n1之间。第三晶体管t3可以包括连接到第i扫描线sl[i]的栅电极。当从第i扫描线sl[i]供应栅极导通电压(例如，低电压电平)的扫描信号时，第三晶体管t3可以导通，以将第一晶体管t1的栅电极(例如，第一节点n1)和第一晶体管t1的第二电极电连接，并且以二极管形式(例如，第一晶体管t1被二极管连接)操作第一晶体管t1。
[0103]
第四晶体管t4可以连接在第一节点n1与初始化电源vint之间。第四晶体管t4的栅电极可以连接到前一扫描线sl[i
‑
1]。当栅极导通电压(例如，低电压电平)的扫描信号被供应到前一扫描线sl[i
‑
1]时，第四晶体管t4可以导通，以将初始化电源vint的电压传送到第一节点n1。在这里，初始化电源vint的电压可以小于或等于数据信号的最低电压。
[0104]
第五晶体管t5可以连接在第一电源vdd与第一晶体管t1的第一电极之间。第五晶体管t5可以包括连接到第i发射控制线el[i]的栅电极。当栅极导通电压(例如，低电平电压)的发射控制信号被供应到第i发射控制线el[i]时，第五晶体管t5可以导通，以将第一电源vdd的电压施加到第一晶体管t1的第一电极。
[0105]
第六晶体管t6可以连接在第一晶体管t1与发光单元lsu的第一电极ae之间。第六晶体管t6可以包括连接到第i发射控制线el[i]的栅电极。当通过第i发射控制线el[i]供应栅极导通电压(例如，低电压电平)的发射信号时，第六晶体管t6可以导通以将第一晶体管t1的驱动电流传送到发光单元lsu。
[0106]
第七晶体管t7可以连接在发光单元lsu的第一电极ae(或第二节点n2)与初始化电源vint之间。第七晶体管t7可以包括连接到随后的扫描线sl[i 1]的栅电极。当栅极导通电压(例如，低电压电平)的扫描信号被供应到随后的扫描线sl[i 1]时，第七晶体管t7可以导通以将初始化电源vint的电压传送到发光单元lsu的第一电极ae。因此，当栅极导通电压(例如，低电压电平)的扫描信号被供应到扫描线sl[i 1]时，发光单元lsu的第一电极ae可以被初始化为初始化电源vint的电压。在一个或更多个示例实施例中，第七晶体管t7的栅电极可以连接到第i扫描线sl[i]，并且当扫描信号被供应到第i扫描线sl[i]时，第七晶体管t7可以导通，以将初始化电源vint的电压施加到发光单元lsu的第一电极ae。
[0107]
存储电容器cst可以连接在第一电源vdd与第一节点n1之间。存储电容器cst可以在每个帧时段期间存储供应到第一节点n1的数据信号以及与第一晶体管t1的阈值电压对应的电压。
[0108]
发光单元lsu可以连接在第二节点n2与第二电源vss之间。
[0109]
参照图5c，子像素spx可以包括第一晶体管t1、第二晶体管t2和第三晶体管t3、存储电容器cst和发光单元lsu。
[0110]
第一晶体管t1和第二晶体管t2以及存储电容器cst分别与参照图5a描述的第一晶体管t1和第二晶体管t2以及存储电容器cst基本上相同或相似，因此将不重复重叠的描述。
[0111]
第三晶体管t3可以连接在第j感测线sen[j]与第二节点n2之间，并且可以连接到第二扫描线sl2[i]。这里，第二扫描线sl2[i]可以是第j扫描线sl[j]或第j 1扫描线sl[j 1]，或者尽管在图1中未示出，但是第二扫描线sl2[i]可以是从与扫描驱动器300不同的第二扫描驱动器输出的第二扫描信号供应到其的线。
[0112]
发光单元lsu可以连接在第二节点n2与第二电源vss之间。
[0113]
第三晶体管t3可以响应于从第二扫描线sl2[i]传输的栅极导通电压的第二扫描信号而导通，以将第j感测线sen[j]和第二节点n2电连接。例如，当第三晶体管t3导通时，流过第一晶体管t1的驱动电流(或第一晶体管t1的第二电极的电压)可以通过第j感测线sen[j]供应到显示装置dd内部的感测模块或显示装置dd外部的感测装置，并且感测模块可以基于通过第j感测线sen[j]供应的驱动电流而感测第一晶体管t1的特性(例如，阈值电压和迁移率)。
[0114]
在一个或更多个示例实施例中，除了发光单元lsu之外，图5a至图5c中示出的子像素spx中的晶体管和存储电容器cst可以被称为像素电路pxc，并且像素电路pxc可以在基体层sub1中位于与发光单元lsu的层不同的层上。
[0115]
在图5a至图5c中，包括在像素电路pxc中的晶体管之中的被示出为n型晶体管的晶体管中的至少一个可以被改变为p型晶体管，并且被示出为p型晶体管的晶体管中的至少一个可以被改变为n型晶体管。
[0116]
图6示出了用于描述根据本公开的一个或更多个示例实施例的发光单元中出现暗点的情况的示意图。
[0117]
参照图6，详细地示出了示出在根据图5a至图5c的子像素spx中连接在第二节点n2与第二电源vss之间的发光单元lsu的电路。
[0118]
发光单元lsu可以包括由彼此并联连接的发光元件分组(或包括彼此并联连接的发光元件)的多个组gr1、gr2、
……
和grn。例如，发光单元lsu可以包括第一组gr1至第n组grn(n是1或更大的自然数)，在第一组gr1至第n组grn中的每个组中，k个发光元件彼此并联连接(k是1或更大的自然数)。在一个或更多个示例实施例中，第一组gr1至第n组grn可以在发光单元lsu的第一电极ae与发光单元lsu的第二电极ce之间彼此串联连接。
[0119]
在图5a至图5c中，包括在发光单元lsu中的发光元件ld被示出为在电流从第一电源vdd流到第二电源vss所沿着的方向(在下文中，称为正向方向)上连接。然而，由于在正向方向上使发光元件ld对准的工艺中的误差，发光元件ld中的一些会在与正向方向相反的方向(在下文中，称为反向方向)上连接。
[0120]
例如，如图6中所示，一些发光元件da1、db1和dnk可以在正向方向上对准，但是一些发光元件dn1、dak和dbk可以在反向方向上对准。在一个或更多个示例实施例中，在正向方向上连接的发光元件ld可以是有效地发光的有效光，并且在反向方向上连接的发光元件ld可以不发光。
[0121]
此外，发光元件ld中的一些可以短路以不发光。例如，当在图6中彼此并联连接的发光元件的第一组gr1中的至少一个发光元件短路时，属于与短路的发光元件的第一组gr1相同的第一组gr1的所有发光元件da1、
……
和dak不会发光。在一个或更多个示例实施例中，当彼此并联连接的发光元件的第二组gr2中的至少一个发光元件短路时，属于与短路的发光元件的第二组gr2相同的第二组gr2的所有发光元件db1、
……
和dbk不会发光。
[0122]
因此，当在组gr1、gr2、
……
和grn中的每者中的至少一个发光元件ld短路时，包括在发光单元lsu中的所有发光元件ld不会发光，具有这种发光单元lsu的子像素spx从外部在视觉上会被识别为暗点。
[0123]
然而，即使当在发光元件ld之间发生短路以使发光单元lsu不发光时，恒定电流也通过驱动晶体管t1(如图5a至5c中所示)在第一电源vdd与第二电源vss之间流动，因此不必
要地消耗显示装置dd的电力。
[0124]
图7示出了另外示出根据本公开的一个或更多个示例实施例的检测器和阻断控制器的示意图。
[0125]
在一个或更多个示例实施例中，显示装置dd可以包括检测器1000和阻断控制器2000。检测器1000可以与显示装置dd中包括的子像素spx的数量一样多地包括在显示装置dd中(或包括在子像素spx的像素电路pxc中)。
[0126]
检测器1000可以电连接到发光单元lsu以检测发光元件ld中的短路。例如，检测器1000可以包括至少一个比较器，用于将参考电压与第一电极ae或用于将组gr1、gr2、
……
和grn串联连接的节点n(1)、n(2)、
……
和n(n
‑
1)中的至少一个的电压进行比较。
[0127]
至少一个比较器可以包括主比较器mcp，主比较器mcp电连接到第一电极ae以将第一电极ae的电压与第一参考电压vref1进行比较。
[0128]
主比较器mcp可以包括放大器(amp)，放大器(amp)具有用于接收第一电极ae的电压的第一输入端子、用于接收第一参考电压vref1的第二输入端子以及用于输出在放大器处执行的第一电极ae的电压与第一参考电压vref1的比较的结果的输出端子。例如，主比较器mcp的放大器的输出端子可以输出低电平信号和高电平信号中的一者。例如，主比较器mcp可以在第一电极ae的电压比第一参考电压vref1大时输出高电平信号的信号，并且可以在第一电极ae的电压比第一参考电压vref1小时输出低电平信号的信号。
[0129]
第一参考电压vref1可以被确定为与组gr1、gr2、
……
和grn的数量对应的值。例如，当组gr1、gr2、
……
和grn的数量是n时，第一参考电压vref1可以通过使用下面的等式1来确定。
[0130]
vref1＝n
×
vld v_vss
ꢀꢀ
(等式1)
[0131]
参照等式1，第一参考电压vref1可以是通过将第二电源vss的电压v_vss加到通过将组gr1、gr2、
……
和grn的数量n乘以施加到一个发光元件ld的参考电压vld而获得的值中而计算出的值。
[0132]
当第一电极ae的电压比第一参考电压vref1小时，可以确定的是，组gr1、gr2、
……
和grn中的至少一者短路。因此，当第一电极ae的电压比第一参考电压vref1小时，阻断控制器2000可以基于主比较器mcp的输出而阻断驱动电流。例如，当主比较器mcp输出低电平的信号时，阻断控制器2000可以阻断驱动电流。
[0133]
在一个或更多个示例实施例中，第一参考电压vref1可以通过使用下面的等式2来确定。
[0134]
vref1＝n
×
vld
×
p v_vss
ꢀꢀ
(等式2)
[0135]
参照等式2，第一参考电压vref1可以是通过将第二电源vss的电压v_vss加到通过将组的数量n乘以施加到一个发光元件ld的参考电压vld和比例p(例如，设定比例或预定比例p)而获得的值中而计算出的值。
[0136]
与等式1不同，在等式2中，通过另外乘以比例p(例如，设定比例或预定比例p)，在组gr1、gr2、
……
和grn之中的短路的组的数量相对小时可以不阻断驱动电流，并且在组gr1、gr2、
……
和grn之中的短路的组的数量相对大时可以阻断驱动电流。
[0137]
至少一个比较器还可以包括辅助比较器ccp，辅助比较器ccp电连接到将组gr1、gr2、
……
和grn彼此串联连接的相应的节点n(1)、n(2)、
……
和n(n
‑
1)，以将节点n(1)、n
(2)、
……
和n(n
‑
1)的电压与第二参考电压vref2进行比较。
[0138]
在一个或更多个示例实施例中，辅助比较器ccp中的每个可以具有用于接收节点n(1)、n(2)、
……
和n(n
‑
1)中的一者的电压的第一输入端子、用于接收第二参考电压vref2的第二输入端子、以及用于输出在放大器处执行的通过第一输入端子接收的电压与第二参考电压vref2的比较的结果的输出端子。例如，辅助比较器ccp中的每者的放大器的输出端子可以输出低电平信号或高电平信号。例如，辅助比较器ccp可以在通过第一输入端子接收的电压比第二参考电压vref2大时输出高电平的信号，并且可以在通过第一输入端子接收的电压比第二参考电压vref2小时输出低电平的信号。
[0139]
第二参考电压vref2可以根据电连接到辅助比较器ccp的第一输入端子的节点来确定。例如，当辅助比较器ccp连接到将第一组gr1和第二组gr2串联连接的第一节点n(1)时，被接收到辅助比较器ccp的第二参考电压vref2_1可以通过使用下面的等式3来确定。
[0140]
vref2_1＝vref1
‑
vld＝(n
‑
1)
×
vld v_vss
ꢀꢀ
(等式3)
[0141]
参照等式3，第一节点n(1)的第二参考电压vref2_1可以是通过从根据等式1的第一参考电压vref1减去施加到一个发光元件ld的参考电压vld而获得的值。假设第一参考电压vref1由等式1定义，第一节点n(1)的第二参考电压vref2_1可以被表示为通过将第二电源vss的电压v_vss加到通过将施加到一个发光元件ld的参考电压vld乘以n
‑
1倍获得的值中而获得的值。
[0142]
在一个或更多个示例实施例中，当辅助比较器ccp连接到第二节点n(2)以用于将第二组gr2和第三组串联连接时，第二节点n(2)的第二参考电压vref2可以是通过从根据等式1的第一参考电压vref1减去施加到一个发光元件ld的参考电压vld两倍而获得的值。假设第一参考电压vref1由等式1定义，则第二节点n(2)的第二参考电压vref2可以是通过将第二电源vss的电压v_vss加到通过将施加到一个发光元件ld的参考电压vld乘以n
‑
2倍获得的值中而获得的值。
[0143]
当辅助比较器ccp连接到用于将第n
‑
1组和第n组grn串联连接的第n
‑
1节点n(n
‑
1)时，第n
‑
1节点n(n
‑
1)的第二参考电压vref2_n
‑
1可以是通过从根据等式1的第一参考电压vref1减去施加到一个发光元件ld的参考电压vld的n
‑
1倍而获得的值。假设第一参考电压vref1_由等式1定义，则第n
‑
1节点n(n
‑
1)的第二参考电压vref2_n
‑
1可以是通过将施加到一个发光元件ld的参考电压vld与第二电源vss的电压v_vss相加而获得的值。
[0144]
当检测器1000包括辅助比较器ccp以及主比较器mcp时，阻断控制器2000可以基于主比较器mcp和辅助比较器ccp的输出通过阻断控制线col来输出截止信号cos。例如，当主比较器mcp和辅助比较器ccp的输出中的至少一个是低电平的信号时，阻断控制器2000可以通过阻断控制线col输出截止信号cos。
[0145]
在一个或更多个示例实施例中，阻断控制器2000可以包括or运算电路以通过对主比较器mcp和辅助比较器ccp的输出进行逻辑or运算来输出截止信号cos。这里，or运算电路可以用nand运算电路替代，nand运算电路根据实现方法(例如，根据稍后描述的阻断晶体管ctr的类型或比较器的输出电平)执行逻辑nand运算并输出信号。
[0146]
图8a至图8c示出了用于接收根据图7的截止信号的阻断晶体管添加到其的子像素的电路图。
[0147]
如参照图7描述的，当通过阻断控制线col供应截止信号cos时，可以阻断子像素
spx的驱动电流。为此，子像素spx还可以包括响应于通过阻断控制线col的截止信号cos而截止的阻断晶体管ctr。
[0148]
参照图8a，示出了其中阻断晶体管ctr添加到图5a中示出的子像素spx的子像素spx。参照图8b，示出了其中阻断晶体管ctr添加到图5b中示出的子像素spx的子像素spx。参照图8c，示出了其中阻断晶体管ctr添加到图5c中示出的子像素spx的子像素spx。
[0149]
阻断晶体管ctr可以电连接到驱动晶体管(例如，第一晶体管t1)的栅电极，以响应于通过阻断控制线col的截止信号cos而使驱动晶体管截止。例如，参照图8a至图8c，阻断晶体管ctr可以包括在第一节点n1与第一晶体管t1的栅电极之间并且连接到阻断控制线col的栅电极。例如，阻断晶体管ctr可以连接在第一节点n1与第一晶体管t1的栅电极之间，并且阻断晶体管ctr的栅电极可以连接到阻断控制线col。在一些实施例中，当通过阻断控制线col供应高电平的截止信号cos时，阻断晶体管ctr可以截止。因此，栅极导通电平的数据信号可以不被传送到第一晶体管t1的栅电极，并且第一晶体管t1可以截止以中断驱动电流。
[0150]
根据另一示例实施例，阻断晶体管ctr可以连接在驱动电流经由第一晶体管t1从第一电源vdd流到第二电源vss的路径上。例如，参照图8a至图8c，阻断晶体管ctr也可以包括在第一晶体管t1的第二电极(或第二节点n2)与发光单元lsu的第一电极ae之间并且连接到阻断控制线col的栅电极。例如，阻断晶体管ctr可以电连接在第一晶体管t1的第二电极(或第二节点n2)与发光单元lsu的第一电极ae之间，并且阻断晶体管ctr的栅电极可以连接到阻断控制线col。此外，在一些实施例中，在通过阻断控制线col供应高电平的截止信号cos时，阻断晶体管ctr可以截止。因此，因为驱动电流流过其的路径被阻断，所以驱动电流可以被阻断。
[0151]
在图8a至图8c中，假设截止信号是高电平的栅极截止信号，则阻断晶体管ctr被示出为p型晶体管。然而，当截止信号cos是低电平的栅极截止信号时，阻断晶体管ctr可以被实现为n型晶体管。在一个或更多个示例实施例中，阻断晶体管ctr可以被接收截止信号cos以响应于截止信号cos而形成开路的各种类型的开关元件替代。
[0152]
图9示出了示出根据本公开的一个或更多个示例实施例的显示装置的驱动方法的流程图。
[0153]
参照图9，显示装置的驱动方法可以包括：感测包括第一电极、第二电极和连接在第一电极与第二电极之间的多个发光元件的发光单元的至少一个电压(s100)；将感测的至少一个电压与参考电压进行比较(s110)；以及响应于比较结果产生用于阻断供应到发光单元的驱动电流的截止信号(s120)。
[0154]
例如，参照图9，显示装置的驱动方法可以包括：感测具有第一电极、第二电极和连接在第一电极与第二电极之间的多个发光元件的发光单元的至少一个电压(s100)；将感测的至少一个电压与参考电压进行比较(s110)；以及响应于比较结果产生用于阻断供应到发光单元的驱动电流的截止信号(s120)。
[0155]
发光元件中的每个可以是具有纳米级或微米级尺寸的无机发光二极管。
[0156]
发光单元可以包括多个组，每个组包括彼此并联连接的多个发光元件，并且这些组可以在第一电极与第二电极之间彼此串联连接。
[0157]
比较步骤s110可以包括将第一电极的电压与第一参考电压进行比较。
[0158]
比较步骤s110还可以包括将使多个组串联连接的节点的电压与第二参考电压进行比较。
[0159]
在一个或更多个示例实施例中，显示装置的上述驱动方法可以包括参照图1至图8c描述的显示装置dd的操作，并且将省略附加的描述以防止重复的描述。
[0160]
虽然已经参照附图特别地示出和描述了本公开的示例实施例，但是这里使用的具体的术语仅出于描述本公开的目的，并且不旨在限定其含义或者限制权利要求中阐述的公开的范围。因此，本领域技术人员将理解的是，本公开的各种修改和其他等同的实施例是可能的。因此，应当基于所附权利要求的技术精神来确定本公开的真实技术保护范围。