光学系统、位置检测方法及晶片凹口定位检测与流程

1.本发明实施例涉及一种光学系统、位置检测方法及晶片凹口定位检测。


背景技术：

2.半导体晶片通常是圆的或圆形结构，在所述结构上可制作半导体装置，例如晶体管、存储装置等。可在半导体晶片中切割或形成小凹口，以便于在处理流程的每个步骤期间以可重复的方式定位半导体晶片。举例来说，半导体晶片可相对于凹口定位或取向，以确保半导体晶片在处理流程的每个步骤中处于期望的位置。


技术实现要素：

3.本发明实施例的一种光学系统包括：光源，用于提供光束；反射器，用于接收及重定向所述光束；光闸，具有开口以容许来自所述反射器的所述光束行进穿过所述开口；光传感器，用于：在所述光束行进穿过所述开口之后接收所述光束的一部分，以及将所述光束的所述部分转换成信号；以及处理装置，用于基于所述信号判断晶片的凹口是否处于允许位置。
4.本发明实施例的一种位置检测方法包括：由光源朝向反射器提供光束；由所述反射器朝向光闸重定向所述光束，所述光闸具有容许所述光束朝向光传感器行进的开口；由所述光传感器接收所述光束的一部分；由所述光传感器将所述光束的所述部分转换成信号；以及由处理装置基于所述信号判断晶片凹口的位置的偏移量是否满足凹口偏移阈值。
5.本发明实施例的一种位置检测装置包括：反射器，用于重定向光束；光闸，包括部分外壳并具有一个或多个开口，以容许来自所述反射器的所述光束行进穿过所述一个或多个开口中的一个开口；光传感器，用于将从所述光闸的所述开口接收的所述光束的一部分转换成信号；以及处理装置，用于基于所述信号检测晶片的凹口是否处于允许位置。
附图说明
6.结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本公开的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。
7.图1a及图1b是可实施本文中描述的系统、装置和/或方法的示例性半导体处理工具配置的图式。
8.图2a到图2d是与用于实行如本文中描述的晶片凹口定位检测的位置检测装置的示例性实施方式相关联的图式。
9.图3是本文中描述的一个或多个装置的示例性组件的图式。
10.图4是与本文中描述的晶片凹口定位检测相关的示例性过程的流程图。
具体实施方式
11.以下公开内容提供用于实施所提供主题的不同特征的许多不同的实施例或实例。以下描述组件及布置形式的具体实例以简化本公开。当然，这些仅为实例且不旨在进行限制。举例来说，以下说明中将第一特征形成在第二特征“之上”或第二特征“上”可包括其中第一特征与第二特征被形成为直接接触的实施例，且也可包括其中第一特征与第二特征之间可形成有附加特征、进而使得所述第一特征与所述第二特征可能不直接接触的实施例。另外，本公开可能在各种实例中重复使用参考编号和/或字母。这种重复使用是出于简洁及清晰的目的，而不是自身表示所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。
12.此外，为易于说明，本文中可能使用例如“之下(beneath)”、“下方(below)”、“下部的(lower)”、“之上(above)”、“上部的(upper)”等空间相对性用语来描述图中所示的一个元件或特征与另一(其他)元件或特征的关系。所述空间相对性用语旨在除图中所绘示的取向外还囊括装置在使用或操作中的不同取向。设备可具有其他取向(旋转90度或其他取向)，且本文中所用的空间相对性描述语可同样相应地进行解释。
13.如上所述，可在半导体晶片中切割或形成凹口，以便于在处理流程期间以可重复的方式定位半导体晶片。然而，在处理流程期间，通常首先实行半导体晶片的定位，之后将半导体晶片转移到一个或多个处理室。在此处理流程期间，半导体晶片的位置可能会偏移(使得凹口从初始位置偏移)。此种偏移可能由例如半导体处理工具的取向误差、与在处理室之间转移半导体晶片相关联的机构的摇动或振动、半导体晶片与承载半导体晶片的表面之间缺乏摩擦、处理室的振动、工艺气流的不稳定性及其他实例等原因引起。
14.为判断半导体晶片是否已发生偏移，在一些情况下，可基于半导体晶片中的凹口并使用基于图像传感器的技术来检查半导体晶片的位置。根据此种技术，图像传感器可捕获半导体晶片的一部分的图像。图像传感器可向处理装置提供与图像相关联的信息。处理装置可使用一种或多种技术(例如，灰度级分析、红
‑
绿
‑
蓝(red
‑
green
‑
blue，rgb)分裂等)来处理和/或分析信息，以判断凹口是否存在和/或凹口(且因此半导体晶片)是否处于正确的位置。
15.然而，基于图像传感器的处理是一个复杂的过程，其涉及高端处理硬件。此外，基于图像传感器的处理容易受到基于不同半导体处理工具中的照明条件的干扰。因此，用于凹口定位检测的基于图像传感器的处理容易出现高故障率，且因此可应用于有限范围的半导体工艺。此外，用于凹口定位的基于图像传感器的处理可能导致误报检测(false
‑
positive detection)，在所述误报检测中，当半导体晶片实际上处于位置之外和/或未对准时，半导体晶片被确定为处于正确的位置和/或对准。此可能导致半导体晶片良率降低、半导体晶片废料增加等。
16.本文中描述的一些实施方式提供了用于晶片凹口定位检测的技术及设备，其使用光束(例如，激光束)来检测半导体晶片凹口的位置(而不是基于图像传感器的凹口定位检测)。在一些实施方式中，位置检测装置包括提供光束的光源、接收及重定向光束的反射器、以及具有开口以容许光束行进穿过开口的光闸。位置检测装置可包括光传感器，以在光束行进穿过开口之后接收光束的一部分，并将光束的所述部分转换成信号。位置检测装置还可包括处理装置，用于基于信号判断凹口位置的偏移量是否满足凹口偏移阈值、凹口是否处于允许位置等。其他细节描述如下。
17.与其他凹口检测技术(例如，上述基于图像传感器的位置检测技术)相比，使用光束来检测晶片凹口的位置更不容易受到照明条件的影响。此容许位置检测装置用于更广范围的半导体制造工艺。此外，此减少了检测误差并减少了误报(例如，减少了当凹口实际上不在正确位置时凹口被错误地检测为在正确位置的可能性)。此外，与其他凹口检测技术相比，使用光束来检测凹口位置的位置检测装置的复杂性低，并且需要更少的处理及存储资源。
18.图1a及图1b分别是可实施在本文中描述的系统、装置和/或方法的示例性半导体处理工具配置100及150的图式。如图1a及图1b所示，半导体处理工具配置100及半导体处理工具配置150可包括一组半导体处理室102及处理程序装置(handler device)104。在一些实施方式中，半导体处理工具配置100及150的半导体处理室102可用于在包括半导体装置的晶片上实行一种或多种处理技术。此种处理技术可包括例如形成半导体装置的一个或多个层、移除半导体装置的一个或多个层的一些部分、为一个或多个处理层准备半导体装置等。
19.半导体处理室102可用于对包括半导体装置的晶片实行处理技术。给定的半导体处理室102可以是例如装载锁定室、取向室、冷却室、膨胀室、预清洁室、脱气室、高底部覆盖室(high bottom coverage chamber)、沉积室(例如，物理气相沉积(physical vapor deposition，pvd)室、化学气相沉积(chemical vapor deposition，cvd)室等)、快速热退火(rapid thermal anneal，rta)室和/或另一种类型的半导体处理室。在一些实施方式中，半导体处理工具配置100和/或半导体处理工具配置150可包括一个或多个给定类型的上述半导体处理室102。
20.处理程序装置104包括与将晶片转移、载送或移动到一个或多个前述半导体处理室102和/或一个或多个前述半导体处理室102之间相关联的装置。举例来说，处理程序装置104可包括一个机械臂、一组机械臂等。图1a所示的半导体处理工具配置100及图1b所示的半导体处理工具配置150中的半导体处理室102的布置是用于阐释目的。半导体处理工具配置100或150中的一个或多个半导体处理室102可以不同方式布置，一个或多个半导体处理室102可与其他半导体处理室102间隔开(例如，半导体处理室102可间隔开，并且处理程序装置110可以是将晶片运输到间隔开的半导体处理室102和/或从间隔开的半导体处理室102运输晶片的机器人)等。此外，图1a及图1b所示的半导体处理工具配置100及150中所包括的半导体处理室102可与其他半导体处理工具和/或室结合使用，以进一步制备和/或处理半导体装置，例如蚀刻工具、光刻胶工具。
21.如图1a及图1b进一步所示，半导体处理工具配置100及半导体处理工具配置150还可包括与确定和晶片位置相关的信息相关联的光学系统。举例来说，光学系统(在本文中称为位置检测装置200)可判断凹口位置的偏移量是否满足凹口偏移阈值，凹口是否处于允许位置等，如以下进一步详细描述。在一些实施方式中，如图1a及图1b所示，位置检测装置200可布置在半导体处理室102中的一者上、一者中或一者附近。举例来说，位置检测装置200可布置在半导体处理工具配置100或半导体处理工具配置150的冷却室上、冷却室中或冷却室附近。
22.如上所述，图1a及图1b仅仅是实例。其他实例可能不同于关于图1a及图1b所描述的实例。
23.图2a到图2d是与用于实行如本文中描述的晶片凹口定位检测的位置检测装置200的示例性实施方式相关联的图式。如图2a所示，位置检测装置200可包括光源202、反射器204、包括开口208的光闸206、光传感器210及处理装置212。在一些实施方式中，如上所述，位置检测装置200可能能够判断晶片250的凹口252的位置的偏移量是否满足凹口偏移阈值、凹口252是否处于允许位置等。
24.下面描述位置检测装置200的组件，随后描述位置检测装置200的示例性操作。
25.光源202包括提供光束220的组件。举例来说，光源202可包括发射器，例如激光器、发光二极管(light emitting diode，led)等。在一些实施方式中，如图2a所示，光源202可被布置成朝向反射器204提供光束220。
26.反射器204包括重定向光束220(例如，朝向光闸206)的组件。在一些实施方式中，光源202包括一个或多个反射表面204s，以重定向光束220。作为特定实例，如图2b所示，位置检测装置200可包括第一表面204s1(例如，第一反射镜)及第二表面204s2(例如，第二反射镜)，所述表面相对于轴(例如，水平轴)分别成角度α1及α2。如图所示，反射器204可被布置成通过将光束220从第一表面204s1朝向第二表面204s2反射、且然后将光束220从第二表面204s2朝向光闸206的开口208反射来重定向光束220。在一些实施方式中，角度α1与α2是相同的角度。在一些实施方式中，角度α1与α2是不同的角度。角度α1与α2是相同的角度还是不同的角度可取决于位置检测装置200的组件的布置。应注意，虽然图2a及图2b所示的反射器204包括两个反射表面204s，但在其他实施方式中，反射器204可依据位置检测装置200的组件的布置包括不同数量的反射表面204s(例如，一个反射表面204s、三个或更多个反射表面204s等)。
27.返回图2a，光闸206包括容许光束220朝向光传感器210行进的装置。举例来说，光闸206可包括容许光束220朝向光传感器210传播的开口208。在一些实施方式中，开口208可用于从光束220中过滤掉发散光。
28.图2c是示出光闸206的示例性顶表面的平面图的图式。如图2c所示，光闸206可具有长度a及宽度b。在一些实施方式中，长度a及宽度b可为大约数十毫米(mm)。举例来说，在一些实施方式中，长度a可大约为24毫米，且宽度b可大约为40毫米。如图2c进一步所示，开口208可具有长度c及宽度d，其中长度c小于长度a，且宽度d小于宽度b。在一些实施方式中，长度c及宽度d可为大约其他毫米或微米数。应注意，虽然图2a及图2c中所示的光闸206包括一个开口208，但在其他实施方式中，光闸206可包括两个或更多个开口208。在一些实施方式中，开口208的大小(例如，长度c)可大于或等于凹口252的大小。举例来说，长度c可大于或等于凹口252的最宽部分的宽度。在一些实施方式中，开口208的大小对应于凹口252的一系列允许位置，如下所述。
29.返回图2a，在一些实施方式中，光闸206可包括部分外壳206e。部分外壳206e可用于防止开口208容许不需要的光(例如，环境光)朝向光传感器210行进。
30.光传感器210包括将光束220的一部分220p转换成信号225(例如，电信号)的组件。举例来说，光传感器210可包括能够将入射于其上的光转换成电流的一个或多个光电二极管(例如，光电二极管阵列)。光束220的部分220p是光束220的在光束220行进穿过开口208之后到达(例如，入射到)光传感器210的部分。光束220的部分220p在本文中被定义为包括整个光束220、小于整个光束220的光束220的某一部分、或者没有光束220。在一些实施方式
中，光传感器210将光束220的部分220p转换成信号225，使得信号225的特性值(例如，电流、电压等)对应于光束220的部分220p的强度。因此，在一些实施方式中，信号225的特性可指示光束220的部分220p的强度。在一些实施方式中，如图2a所示，光传感器210可被布置成在光束220行进穿过开口208之后接收光束220的部分220p。
31.处理装置212包括基于信号225确定与晶片250的凹口252相关联的位置信息的组件。举例来说，处理装置212可能能够基于信号225判断晶片250的凹口252是否处于允许位置。作为另一实例，处理装置212可能能够基于信号225判断凹口252的位置的偏移量(例如，在晶片250取向之后与凹口252的位置的偏差)是否满足凹口偏移阈值。
32.在一些实施方式中，处理装置212可基于信号225来确定位置信息。举例来说，信号225的特性值(例如，电压、电流)可取决于入射到光传感器210上的光束220的部分220p的强度，如上所述。因此，光束220的相对较大的部分220p使得信号225的特性值较大，而光束220的相对较小的部分220p使得信号225的特性值相对较小。此处，处理装置212可判断特性值(例如，对应于光束220的部分220p的强度的电压电平)是否满足阈值。如果所述值大于或等于阈值(指示凹口252实质上在开口208上方)，那么处理装置212可确定凹口252处于允许位置和/或凹口252的位置的偏移量满足凹口偏移阈值。相反，如果所述值小于阈值(指示凹口252实质上不在开口208上方)，那么处理装置212可确定凹口252不在允许位置和/或凹口252的位置的偏移量不满足凹口偏移阈值。
33.图2d包括示出本概念的示例性图式。在图2d的左侧部分中，凹口252实质上在开口208上方(例如，凹口252的长度完全在开口208的长度c内)。此意指光束220的相对较大的部分220p行进穿过凹口252。因此，部分220p的强度在光传感器210处相对较高(如图2d中的底部图式所示)。因此，信号225的特性值可大于或等于阈值，且因此处理装置212可确定凹口252处于允许位置和/或凹口252的位置的偏移量满足凹口偏移阈值。相反，在图2d的右侧部分中，凹口252实质上不在开口208上方(例如，凹口252的长度大部分在开口208的长度c之外)。此意指光束220的相对较小的部分220p行进穿过凹口252。因此，部分220p的强度在光传感器210处相对较低(如图2d中的底部图式所示)。因此，信号225的特性值可小于阈值，且因此处理装置212可确定凹口252不处于允许位置和/或凹口252的位置的偏移量不满足凹口偏移阈值。应注意，在本实例中，开口208的大小界定凹口252的允许位移和/或凹口偏移阈值(例如，从初始位置)。
34.在一些实施方式中，处理装置212可提供凹口252是否处于允许位置和/或凹口252的位置的偏移量是否满足凹口偏移阈值的指示。举例来说，当处理装置212确定凹口252不处于允许位置和/或确定凹口252的位置的偏移量不满足凹口偏移阈值时，处理装置212可触发警报。
35.另外或作为另一选择，处理装置212可基于凹口252是否处于允许位置和/或凹口252的位置的偏移量是否满足凹口偏移阈值的结果来使得动作被实行。举例来说，如果处理装置212确定凹口252不处于允许位置、或者凹口252的位置的偏移量不满足凹口偏移阈值，那么处理装置212可使得与试图保存晶片250相关联的动作被实行。此种动作可包括例如使晶片250被转移用于再造或修复，使晶片250上的光刻对准标记基于凹口252的偏移而被调整等。作为另一实例，如果处理装置212确定凹口252处于允许位置或者凹口252的位置的偏移量满足凹口偏移阈值，那么处理装置212可使晶片250前进到处理流程中的下一步骤(例
如，处理装置212可使晶片250前进到下一半导体处理工具用于进一步处理)。
36.在操作中，光源202朝向反射器204提供光束220。接下来，反射器204接收光束220并朝向光闸206重定向光束220。光闸206具有开口208，开口208容许来自反射器204的光束220穿过开口208朝向光传感器210行进。在光束220行进穿过开口208及凹口252之后，光传感器210接收光束220的一部分220p。光传感器210将光束220的部分220p转换成信号225，并将信号225提供到处理装置212。然后，处理装置212基于信号225判断晶片250的凹口252是否处于允许位置和/或凹口252的位置的偏移量是否满足凹口偏移阈值。在一些实施方式中，如上所述，处理装置212提供与判断结果、基于判断结果触发警报、和/或基于判断结果使得动作被实行相关联的指示。
37.如上所述，图2a到图2d仅仅是实例。其他实例可能不同于关于图2a到图2d所描述的实例。
38.图3是装置300的示例性组件的图式。在一些实施方式中，半导体处理室102、处理程序装置110、光源202、光传感器210和/或处理装置212可包括一个或多个装置300和/或装置300的一个或多个组件。
39.如图3所示，装置300可包括总线310、处理器320、存储器330、存储组件340、输入组件350、输出组件360及通信组件370。
40.总线310包括在装置300的组件之间达成有线和/或无线通信的组件。处理器320包括中央处理器、图形处理单元、微处理器、控制器、微控制器、数字信号处理器、现场可编程门阵列、应用专用集成电路和/或另一种类型的处理组件。处理器320以硬件、固件或硬件与软件的组合来实施。在一些实施方式中，处理器320包括能够被编程以实行功能的一个或多个处理器。存储器330包括随机存取存储器、只读存储器和/或另一种类型的存储器(例如，闪存、磁性存储器和/或光学存储器)。
41.存储组件340存储与装置300的操作相关的信息和/或软件。举例来说，存储组件340可包括硬盘驱动器、磁盘驱动器、光盘驱动器、固态盘驱动器、压缩盘、数字通用光盘和/或另一种类型的非暂时性计算机可读介质。输入组件350使得装置300能够接收输入，例如用户输入和/或感测输入。举例来说，输入组件350可包括触摸屏、键盘、小键盘、鼠标、按钮、麦克风、开关、传感器、全球定位系统组件、加速度计、陀螺仪、致动器等。输出组件360使得装置300能够例如经由显示器、扬声器和/或一个或多个发光二极管来提供输出。通信组件370使得装置300能够例如经由有线连接和/或无线连接与其他装置通信。举例来说，通信组件370可包括接收器、发射器、收发器、调制解调器、网络接口卡、天线等。
42.装置300可实行在本文中描述的一个或多个过程。举例来说，非暂时性计算机可读介质(例如，存储器330和/或存储组件340)可存储一组指令(例如，一个或多个指令、代码、软件代码、程序代码等)以供处理器320执行。处理器320可执行所述一组指令来实行在本文中描述的一个或多个过程。在一些实施方式中，由一个或多个处理器320执行所述一组指令使得一个或多个处理器320和/或装置300实行本文中描述的一个或多个过程。在一些实施方式中，可使用硬连线电路系统来代替指令或者与指令结合使用所述硬连线电路系统来实行本文中描述的一个或多个过程。因此，本文中描述的实施方式不限于硬件电路系统与软件的任何特定组合。
43.提供图3中所示的组件的数量及布置作为实例。装置300可包括与图3所示的组件
相比附加的组件、更少的组件、不同的组件或以不同方式布置的组件。另外或作为另一选择，装置300的一组组件(例如，一个或多个组件)可实行被描述为由装置300的另一组组件实行的一个或多个功能。
44.图4是与本文中描述的晶片凹口定位检测相关的示例性过程400的流程图。在一些实施方式中，图4的一个或多个过程块可由位置检测装置(例如，位置检测装置200)实行。另外或作为另一选择，图4的一个或多个过程块可由装置300的一个或多个组件(例如，处理器320、存储器330、存储组件340、输入组件350、输出组件360、通信组件370等)实行。
45.如图4所示，过程400可包括朝向反射器提供光束(方块410)。举例来说，如上所述，位置检测装置200的光源202可朝向位置检测装置200的反射器204提供光束220。
46.如图4进一步所示，过程400可包括朝向光闸重定向光束，所述光闸具有容许光束朝向光传感器行进的开口(方块420)。举例来说，位置检测装置200的反射器204可朝向位置检测装置200的光闸206重定向光束220，光闸206具有开口208，所述开口208容许光束220朝向位置检测装置200的光传感器210行进，如上所述。
47.如图4进一步所示，过程400可包括接收光束的一部分(方块430)。举例来说，位置检测装置200的光传感器210可接收光束220的一部分220p，如上所述。
48.如图4进一步所示，过程400可包括将光束的所述部分转换成信号(方块440)。举例来说，位置检测装置200的光传感器210可将光束220的部分220p转换成信号225，如上所述。
49.如图4进一步所示，过程400可包括基于信号判断晶片凹口的位置的偏移量是否满足凹口偏移阈值(方块450)。举例来说，位置检测装置200的处理装置212可基于信号225判断晶片250(例如，半导体晶片)的晶片凹口252的位置的偏移量是否满足凹口偏移阈值，如上所述。
50.过程400可包括额外的实施方式，例如以下描述的和/或结合本文中其他地方描述的一个或多个其他过程的任何单个实施方式或实施方式的任何组合。
51.在一些实施方式中，过程400包括通过光闸206的开口208过滤来自光束220的发散光，此与容许光束220朝向光传感器210行进相关联。
52.在一些实施方式中，朝向光闸206重定向光束220包括通过反射器204的第一表面204s1朝向反射器204的第二表面204s2反射光束220，并且通过反射器204的第二表面204s2朝向开口208反射光束220。
53.在一些实施方式中，信号225的特性值取决于光束220的部分220p的强度。
54.在一些实施方式中，过程400包括提供(例如，通过处理装置212)关于判断晶片凹口252的位置的偏移量是否满足凹口偏移阈值的结果的指示。
55.在一些实施方式中，过程400包括当判断晶片凹口252的位置的偏移量是否满足凹口偏移阈值的结果是晶片凹口252的位置的偏移量不满足凹口偏移阈值时触发(例如，通过处理装置212)警报。
56.在一些实施方式中，光闸206包括部分外壳206e。
57.在一些实施方式中，开口208的大小大于或等于晶片凹口252的大小。在一些实施方式中，开口208的大小对应于晶片凹口252的一系列允许位置。
58.尽管图4示出过程400的示例性方块，但在一些实施方式中，过程400可包括与图4中绘示的方块相比附加的方块、更少的方块、不同的方块或者以不同方式布置的方块。另外
或作为另一选择，过程400的两个或更多个方块可平行实行。
59.如此一来，可通过使用光束的位置检测装置来实行晶片凹口定位检测。举例来说，位置检测装置200可包括提供光束220的光源202、接收及重定向光束220的反射器204、以及具有开口208以允许光束220行进穿过开口208的光闸206。位置检测装置200还可包括光传感器210，以在光束220行进穿过开口208之后接收光束220的一部分220p，并将光束220的部分220p转换成信号225。位置检测装置200还可包括处理装置212，用于基于信号225判断凹口252的位置的偏移量是否满足凹口偏移阈值、凹口252是否处于允许位置等。
60.应注意，与例如上述基于图像传感器的位置检测技术等其他凹口检测技术相比，位置检测装置200的操作更不容易受到照明条件的影响。此容许位置检测装置200用于更广范围的半导体制造工艺。此外，位置检测装置200减少了检测误差并减少了误报(例如，减少了当凹口实际上不在正确位置时凹口被错误地检测为在正确位置的可能性)。此外，与其他凹口检测技术相比，位置检测装置200复杂性低，并且需要更少的处理及存储资源。
61.如上文更详细描述，本文中描述的一些实施方式提供了与实行晶片凹口定位检测相关联的光学系统、方法及位置检测装置。
62.在一些实施方式中，一种光学系统包括：光源，用于提供光束；反射器，用于接收及重定向所述光束；以及光闸，具有开口以容许来自所述反射器的所述光束行进穿过所述开口。在一些实施方式中，所述光学系统包括光传感器，以在所述光束行进穿过所述开口之后接收所述光束的一部分，以及将所述光束的所述部分转换成信号。在一些实施方式中，所述光学系统包括处理装置，以基于所述信号判断晶片的凹口是否处于允许位置。
63.在一些实施方式中，所述光闸包括部分外壳。
64.在一些实施方式中，所述开口用于从所述光束中过滤掉发散光。
65.在一些实施方式中，所述开口的大小大于或等于所述凹口的大小。
66.在一些实施方式中，所述反射器包括一个或多个成角表面，所述成角表面与朝向所述光闸重定向所述光束相关联。
67.在一些实施方式中，所述光传感器用于将所述光束的所述部分转换成所述信号，使得所述信号的特性值对应于所述光束的所述部分的强度。
68.在一些实施方式中，所述处理装置还用于提供所述晶片的所述凹口是否处于所述允许位置的指示。
69.在一些实施方式中，所述处理装置还用于当所述处理装置确定出所述晶片的所述凹口不在所述允许位置时触发警报。
70.在一些实施方式中，方法包括由光源朝向反射器提供光束。在一些实施方式中，所述方法包括由所述反射器朝向光闸重定向所述光束，所述光闸具有容许所述光束朝向光传感器行进的开口。在一些实施方式中，所述方法包括由所述光传感器接收所述光束的一部分、以及由所述光传感器将所述光束的所述部分转换成信号。在一些实施方式中，所述方法包括由处理装置基于所述信号判断晶片凹口的位置的偏移量是否满足凹口偏移阈值。
71.在一些实施方式中，所述方法还包括通过所述光闸的所述开口过滤来自所述光束的发散光，此与容许所述光束朝向所述光传感器行进相关联。
72.在一些实施方式中，朝向所述光闸重定向所述光束包括：由所述反射器的第一表面朝向所述反射器的第二表面反射所述光束；以及由所述反射器的所述第二表面朝向所述
开口反射所述光束。
73.在一些实施方式中，所述信号的特性值取决于所述光束的所述部分的强度。
74.在一些实施方式中，所述方法还包括提供关于判断所述晶片凹口的所述位置的所述偏移量是否满足所述凹口偏移阈值的结果的指示。
75.在一些实施方式中，所述方法还包括当判断所述晶片凹口的所述位置的所述偏移量是否满足所述凹口偏移阈值的结果是所述晶片凹口的所述位置的所述偏移量不满足所述凹口偏移阈值时，触发警报。
76.在一些实施方式中，位置检测装置包括反射器，所述反射器用于重定向光束。在一些实施方式中，所述位置检测装置包括光闸，所述光闸包括部分外壳并具有一个或多个开口，以容许来自所述反射器的所述光束行进穿过所述一个或多个开口中的一个开口。在一些实施方式中，所述位置检测装置包括光传感器，用于将从所述光闸的所述开口接收的所述光束的一部分转换成信号。在一些实施方式中，所述位置检测装置包括处理装置，用于基于所述信号检测晶片的凹口是否处于允许位置。
77.在一些实施方式中，所述位置检测装置还包括光源，所述光源用于朝向所述反射器提供所述光束。
78.在一些实施方式中，所述开口的大小对应于所述凹口的一系列允许位置。
79.在一些实施方式中，所述反射器包括至少一个成角表面，所述成角表面与朝向所述光闸重定向所述光束相关联。
80.在一些实施方式中，所述信号的特性值取决于所述光束的所述部分的强度。
81.在一些实施方式中，所述处理装置还用于基于所述晶片的所述凹口是否处于允许位置的结果而使得动作被实行。
82.以上概述了若干实施例的特征，以使所属领域中的技术人员可更好地理解本公开的各个方面。所属领域中的技术人员应理解，其可容易地使用本公开作为设计或修改其他工艺及结构的基础来施行与本文中所介绍的实施例相同的目的和/或实现与本文中所介绍的实施例相同的优点。所属领域中的技术人员还应认识到，这些等效构造并不背离本公开的精神及范围，而且他们可在不背离本公开的精神及范围的条件下对其作出各种改变、代替及变更。