半导体混合材料及其应用的制作方法

技术特征：
1.一种半导体混合材料，其包含：电子供体，为共轭高分子；第一电子受体，其能量间隙小于1.4ev，其包含式一结构：其中，r1及r2可以相同也可以不同，且r1及r2分别选自具有取代基和不具有取代基的c1～c30的碳链及卤素中的一个；ar1、ar2、eg1、eg2可以相同也可以不同，且ar1、ar2、eg1、eg2分别选自下列群组中之一：具有取代基和不具有取代基的c1～c30的稠环芳香烃、具有取代基和不具有取代基的c1～c30的苯稠杂环化合物、具有取代基和不具有取代基的c1～c30的稠杂环化合物、具有取代基和不具有取代基的苯环、具有取代基和不具有取代基的五元杂环，以及具有取代基和不具有取代基的六元杂环；以及π1及π2可以相同也可以不同，且π1及π2分别选自下列群组中之一：具有取代基和不具有取代基的c1～c30的稠环芳香烃、具有取代基和不具有取代基的c1～c30的苯稠杂环化合物、具有取代基和不具有取代基的c1～c30的稠杂环化合物、具有取代基和不具有取代基的苯环、具有取代基和不具有取代基的五元杂环，以及具有取代基和不具有取代基的六元杂环、具有取代基和不具有取代基的烯烃、炔烃，其中m等于0到5的整数；以及第二电子受体，该第二电子受体的分子堆叠性、π-π*堆叠性和结晶性中至少一个小于该第一电子受体；其中，该电子供体作为基质，用以共混该第一电子受体以及该第二电子受体。2.如权利要求1所述的半导体混合材料，其中r1及r2可以相同也可以不同，且r1及r2分别选自具有取代基和不具有取代基的c1～c30的具有支链结构的碳链中的一个。3.如权利要求1所述的半导体混合材料，其中该式一结构中的取代基选自下列群组中之一：c1～c30的烷基、c1～c30的支链烷基、c1～c30的硅烷基、c1～c30的酯基、c1～c30的烷氧基、c1～c30的烷硫基、c1～c30的卤代烷基、c1～c30的烯烃、c1～c30的炔烃、c1～c30的含有氰基的碳链、c1～c30的含有硝基的碳链、c1～c30的含有羟基的碳链、c1～c30的含有酮基的碳链、氧以及卤素。4.如权利要求1所述的半导体混合材料，其中该第二电子受体包含下列式二、式三、式四中的至少一种结构：
其中，z选自c、si、ge中的一个；r3至r
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可以相同也可以不同，且r3至r
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分别选自具有取代基和不具有取代基的c1～c30的碳链及卤素中的一个；ar3、ar4、eg3、eg4可以相同也可以不同，且ar3、ar4、eg3、eg4分别选自下列群组中之一：具有取代基和不具有取代基的c1～c30的稠环芳香烃、具有取代基和不具有取代基的c1～c30的苯稠杂环化合物、具有取代基和不具有取代基的c1～c30的稠杂环化合物、具有取代基和不具有取代基的苯环、具有取代基和不具有取代基的五元杂环，以及具有取代基和不具有取代基的六元杂环；以及π3及π4可以相同也可以不同，且π3及π4分别选自下列群组中之一：具有取代基和不具有取代基的c1～c30的稠环芳香烃、具有取代基和不具有取代基的c1～c30的苯稠杂环化合物、具有取代基和不具有取代基的c1～c30的稠杂环化合物、具有取代基和不具有取代基的苯环、具有取代基和不具有取代基的五元杂环，以及具有取代基和不具有取代基的六元杂环、具有取代基和不具有取代基的烯烃、炔烃，其中n等于0到5的整数。5.如权利要求1所述的半导体混合材料，其中该电子供体进一步包含下列式五结构：其中，x选自c、s、n、o中的一个；
x1至x4可以相同也可以不同，且x1至x4分别选自c、c-f、c-cl、c-br、c-i中的一个；ar5至ar8可以相同也可以不同，且ar5至ar8分别选自下列群组中之一：具有取代基和不具有取代基的c1～c30的稠环芳香烃、具有取代基和不具有取代基的c1～c30的苯稠杂环化合物、具有取代基和不具有取代基的c1～c30的稠杂环化合物、具有取代基和不具有取代基的苯环、具有取代基和不具有取代基的五元杂环，以及具有取代基和不具有取代基的六元杂环；π5及π6可以相同也可以不同，且π5及π6分别选自下列群组中之一：具有取代基和不具有取代基的c1～c30的稠环芳香烃、具有取代基和不具有取代基的c1～c30的苯稠杂环化合物、具有取代基和不具有取代基的c1～c30的稠杂环化合物、具有取代基和不具有取代基的苯环、具有取代基和不具有取代基的五元杂环，以及具有取代基和不具有取代基的六元杂环、具有取代基和不具有取代基的烯烃、炔烃；a至f可以相同也可以不同，且a至f分别选自0到5的整数；以及x与y的总和为1。6.如权利要求1所述的半导体混合材料，其中ar5至ar8中的至少一个进一步包含杂原子si及s中的至少一个。7.如权利要求1所述的半导体混合材料，其中该第一电子受体在该半导体混合材料中的重量百分比不小于该第二电子受体在该半导体混合材料中的重量百分比。8.一种半导体混合材料，其包含：电子供体，为共轭高分子；第一电子受体，其能量间隙小于1.4ev；第二电子受体，该第二电子受体的分子堆叠性、π-π*堆叠性和结晶性中至少一个小于该第一电子受体，且该第二电子受体包含下列式二、式三、式四中的至少一种结构：
其中，z选自c、si、ge中的一个；r3至r
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可以相同也可以不同，且r3至r
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分别选自具有取代基和不具有取代基的c1～c30的碳链及卤素中的一个；ar3、ar4、eg3、eg4可以相同也可以不同，且ar3、ar4、eg3、eg4分别选自下列群组中之一：具有取代基和不具有取代基的c1～c30的稠环芳香烃、具有取代基和不具有取代基的c1～c30的苯稠杂环化合物、具有取代基和不具有取代基的c1～c30的稠杂环化合物、具有取代基和不具有取代基的苯环、具有取代基和不具有取代基的五元杂环，以及具有取代基和不具有取代基的六元杂环；以及π3及π4可以相同也可以不同，且π3及π4分别选自下列群组中之一：具有取代基和不具有取代基的c1～c30的稠环芳香烃、具有取代基和不具有取代基的c1～c30的苯稠杂环化合物、具有取代基和不具有取代基的c1～c30的稠杂环化合物、具有取代基和不具有取代基的苯环、具有取代基和不具有取代基的五元杂环，以及具有取代基和不具有取代基的六元杂环、具有取代基和不具有取代基的烯烃、炔烃，其中n等于0到5的整数；其中，该电子供体作为基质，用以共混该第一电子受体以及该第二电子受体。9.如权利要求8所述的半导体混合材料，其中该电子供体进一步包含下列式五结构：
其中，x选自c、s、n、o中的一个；x1至x4可以相同也可以不同，且x1至x4分别选自c、c-f、c-cl、c-br、c-i中的一个；ar5至ar8可以相同也可以不同，且ar5至ar8分别选自下列群组中之一：具有取代基和不具有取代基的c1～c30的稠环芳香烃、具有取代基和不具有取代基的c1～c30的苯稠杂环化合物、具有取代基和不具有取代基的c1～c30的稠杂环化合物、具有取代基和不具有取代基的苯环、具有取代基和不具有取代基的五元杂环，以及具有取代基和不具有取代基的六元杂环；π5及π6可以相同也可以不同，且π5及π6分别选自下列群组中之一：具有取代基和不具有取代基的c1～c30的稠环芳香烃、具有取代基和不具有取代基的c1～c30的苯稠杂环化合物、具有取代基和不具有取代基的c1～c30的稠杂环化合物、具有取代基和不具有取代基的苯环、具有取代基和不具有取代基的五元杂环，以及具有取代基和不具有取代基的六元杂环、具有取代基和不具有取代基的烯烃、炔烃；a至f可以相同也可以不同，且a至f分别选自0到5的整数；以及x与y的总和为1。10.一种有机电子组件，包含：第一电极；第二电极；以及主动层材料，位于该第一电极与该第二电极之间，其中该主动层材料包含如权利要求1或8所述的半导体混合材料。

技术总结
本发明提供一种半导体混合材料，包含电子供体、第一电子受体以及第二电子受体。第一电子供体为共轭高分子。第一电子受体的能量间隙小于1.4eV。第二电子受体的分子堆叠性、π-π


技术研发人员：张怡鸣 廖桩毅 李威龙 萧育堂 李竣杰 李佳华 陈慧钻
受保护的技术使用者：天光材料科技股份有限公司
技术研发日：2020.04.28
技术公布日：2021/10/28