一种功率芯片投料前表面处理工艺的制作方法

1.本发明涉及硅片表面处理技术领域，具体为一种功率芯片投料前表面处理工艺。


背景技术：

2.硅片厚度也是影响生产力的一个因素，因为它关系到每个硅块所生产出的硅片数量。超薄的硅片给线锯技术提出了额外的挑战，因为其生产过程要困难得多。除了硅片的机械脆性以外，如果线锯工艺没有精密控制，细微的裂纹和弯曲都会对产品良率产生负面影响。超薄硅片线锯系统必须可以对工艺线性、切割线速度和压力、以及切割冷却液进行精密控制。无论硅片的厚薄，晶体硅光伏电池制造商都对硅片的质量提出了极高的要求。硅片不能有表面损伤(细微裂纹、线锯印记)，形貌缺陷(弯曲、凹凸、厚薄不均)要最小化，对额外后端处理如抛光等的要求也要降到最低。
3.硅片在加工前需要对表面进行预处理，现有的处理方法操作复杂，且无法提高硅片表面接触力，因此，有必要进行改进。


技术实现要素：

4.本发明的目的在于提供一种功率芯片投料前表面处理工艺，以解决上述背景技术中提出的问题。
5.为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种功率芯片投料前表面处理工艺,包括以下步骤：
6.a、首先将硅片表面进行清洗，去除杂质和油污，之后进行晾干；
7.b、将晾干后的硅片放入碱性腐蚀液中腐蚀出表面金子塔；
8.c、将步骤b中碱液腐蚀后的硅片采用去离子水冲洗干净并晾干；
9.d、再将晾干后的硅片放入酸性腐蚀液中对碱腐蚀后的硅片表面进行修正处理，对碱腐蚀后产生的杂质进一步反应修正，使得金子塔结构更加均匀。
10.优选的，所述步骤b中碱液腐蚀液组分按质量份数包括氯酸钠5
‑
8份、氢氧化钠2
‑
6份和水30
‑
40份。
11.优选的，所述步骤d中酸性腐蚀液组分按质量份数包括述氢氟酸1
‑
3份、二氧化硅刻蚀液2
‑
6份、丙三醇4
‑
8份和水40
‑
50份。
12.优选的，所述步骤b中金子塔高度为10mm
‑
30mm。
13.优选的，所述步骤b中碱液腐蚀液份温度为60℃
‑
70℃，腐蚀时间为50s
‑
60s。
14.优选的，所述步骤c中去离子水冲洗时间为60min
‑
80min。
15.与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明操作方法简单，能够使处理后的硅片表面更易于扩散掺杂和表面电极接触；本发明先采用碱性腐蚀液腐蚀，再采用酸性腐蚀液腐蚀，能够使硅片表面的结构更加均匀，提高表面接触力。
具体实施方式
16.下面对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
17.实施例一：
18.本发明提供如下技术方案：一种功率芯片投料前表面处理工艺,包括以下步骤：
19.a、首先将硅片表面进行清洗，去除杂质和油污，之后进行晾干；
20.b、将晾干后的硅片放入碱性腐蚀液中腐蚀出表面金子塔；
21.c、将步骤b中碱液腐蚀后的硅片采用去离子水冲洗干净并晾干；
22.d、再将晾干后的硅片放入酸性腐蚀液中对碱腐蚀后的硅片表面进行修正处理，对碱腐蚀后产生的杂质进一步反应修正，使得金子塔结构更加均匀。
23.本实施例中，步骤b中碱液腐蚀液组分按质量份数包括氯酸钠5份、氢氧化钠2份和水30份。
24.本实施例中，步骤d中酸性腐蚀液组分按质量份数包括述氢氟酸1份、二氧化硅刻蚀液2份、丙三醇4份和水40份。
25.本实施例中，步骤b中金子塔高度为10mm。
26.本实施例中，步骤b中碱液腐蚀液份温度为60℃，腐蚀时间为50s。
27.本实施例中，步骤c中去离子水冲洗时间为60min。
28.实施例二：
29.一种功率芯片投料前表面处理工艺,包括以下步骤：
30.a、首先将硅片表面进行清洗，去除杂质和油污，之后进行晾干；
31.b、将晾干后的硅片放入碱性腐蚀液中腐蚀出表面金子塔；
32.c、将步骤b中碱液腐蚀后的硅片采用去离子水冲洗干净并晾干；
33.d、再将晾干后的硅片放入酸性腐蚀液中对碱腐蚀后的硅片表面进行修正处理，对碱腐蚀后产生的杂质进一步反应修正，使得金子塔结构更加均匀。
34.本实施例中，步骤b中碱液腐蚀液组分按质量份数包括氯酸钠8份、氢氧化钠6份和水40份。
35.本实施例中，步骤d中酸性腐蚀液组分按质量份数包括述氢氟酸3份、二氧化硅刻蚀液6份、丙三醇8份和水50份。
36.本实施例中，步骤b中金子塔高度为30mm。
37.本实施例中，步骤b中碱液腐蚀液份温度为70℃，腐蚀时间为60s。
38.本实施例中，步骤c中去离子水冲洗时间为80min。
39.实施例三：
40.一种功率芯片投料前表面处理工艺,包括以下步骤：
41.a、首先将硅片表面进行清洗，去除杂质和油污，之后进行晾干；
42.b、将晾干后的硅片放入碱性腐蚀液中腐蚀出表面金子塔；
43.c、将步骤b中碱液腐蚀后的硅片采用去离子水冲洗干净并晾干；
44.d、再将晾干后的硅片放入酸性腐蚀液中对碱腐蚀后的硅片表面进行修正处理，对
碱腐蚀后产生的杂质进一步反应修正，使得金子塔结构更加均匀。
45.本实施例中，步骤b中碱液腐蚀液组分按质量份数包括氯酸钠6份、氢氧化钠3份和水32份。
46.本实施例中，步骤d中酸性腐蚀液组分按质量份数包括述氢氟酸1份、二氧化硅刻蚀液3份、丙三醇4份和水42份。
47.本实施例中，步骤b中金子塔高度为15mm。
48.本实施例中，步骤b中碱液腐蚀液份温度为62℃，腐蚀时间为52s。
49.本实施例中，步骤c中去离子水冲洗时间为65min。
50.实施例四：
51.一种功率芯片投料前表面处理工艺,包括以下步骤：
52.a、首先将硅片表面进行清洗，去除杂质和油污，之后进行晾干；
53.b、将晾干后的硅片放入碱性腐蚀液中腐蚀出表面金子塔；
54.c、将步骤b中碱液腐蚀后的硅片采用去离子水冲洗干净并晾干；
55.d、再将晾干后的硅片放入酸性腐蚀液中对碱腐蚀后的硅片表面进行修正处理，对碱腐蚀后产生的杂质进一步反应修正，使得金子塔结构更加均匀。
56.本实施例中，步骤b中碱液腐蚀液组分按质量份数包括氯酸钠7份、氢氧化钠5份和水38份。
57.本实施例中，步骤d中酸性腐蚀液组分按质量份数包括述氢氟酸2份、二氧化硅刻蚀液5份、丙三醇7份和水48份。
58.本实施例中，步骤b中金子塔高度为25mm。
59.本实施例中，步骤b中碱液腐蚀液份温度为68℃，腐蚀时间为58s。
60.本实施例中，步骤c中去离子水冲洗时间为78min。
61.实施例五：
62.一种功率芯片投料前表面处理工艺,包括以下步骤：
63.a、首先将硅片表面进行清洗，去除杂质和油污，之后进行晾干；
64.b、将晾干后的硅片放入碱性腐蚀液中腐蚀出表面金子塔；
65.c、将步骤b中碱液腐蚀后的硅片采用去离子水冲洗干净并晾干；
66.d、再将晾干后的硅片放入酸性腐蚀液中对碱腐蚀后的硅片表面进行修正处理，对碱腐蚀后产生的杂质进一步反应修正，使得金子塔结构更加均匀。
67.本实施例中，步骤b中碱液腐蚀液组分按质量份数包括氯酸钠6份、氢氧化钠4份和水35份。
68.本实施例中，步骤d中酸性腐蚀液组分按质量份数包括述氢氟酸2份、二氧化硅刻蚀液4份、丙三醇6份和水45份。
69.本实施例中，步骤b中金子塔高度为20mm。
70.本实施例中，步骤b中碱液腐蚀液份温度为65℃，腐蚀时间为55s。
71.本实施例中，步骤c中去离子水冲洗时间为70min。
72.本发明操作方法简单，能够使处理后的硅片表面更易于扩散掺杂和表面电极接触；本发明先采用碱性腐蚀液腐蚀，再采用酸性腐蚀液腐蚀，能够使硅片表面的结构更加均匀，提高表面接触力。
73.尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。