RF同轴跳线及其线端连接器与装配方法与流程

rf同轴跳线及其线端连接器与装配方法
技术领域
1.本发明提供一种rf同轴跳线及其线端连接器与装配方法，尤指一种可以传输28～45ghz频域甚至高于45ghz频域毫米波高频信号的rf同轴跳线及其线端连接器与装配方法。


背景技术：

2.极细同轴连接器产品问世至今已有20余年，由于产品轻薄短小且信号传输功能优越，完全可满足0～6ghz频域的高频信号传输，故现在被广泛应用在移动式通信产品上。
3.一般而言，极细同轴连接器大致可以分为板端连接器以及线端连接器两种，在应用时，会将线端连接器与同轴线缆连结以形成rf同轴跳线，rf同轴跳线端末的线端连接器可再与板端连接器扣合由此传输同轴信号。
4.然而，现市面上的传统型rf同轴跳线，由于结构设计上有泄波问题及与同轴线缆结合时部分屏蔽区域会产生天线效应问题，导致现有常规的线端连接器对于高频信号的传输能力，只能满足10ghz频域以下的高频信号传输，如此，虽然足以满足4g的通信需求，但对于5g通信介于28～45ghz频域的毫米波高频信号的传输仍然不足。
5.随着5g通信时代到来，如何提供一种可对应5g通信所需求的28ghz～45ghz频域甚至45ghz以上的rf同轴跳线，已成为本技术领域人员努力追求的目标。


技术实现要素：

6.鉴于上述习知技术的缺点，本发明提供一种线端连接器，用于接合同轴线缆，同轴线缆具有外露的芯线层与外部导体层。线端连接器包括：中心导体、绝缘胶体、主金属壳体与次金属壳体。中心导体具有接合结构，接合结构用于接合同轴线缆外露的芯线层。绝缘胶体结合中心导体并外露接合结构，使接合结构能够接合同轴线缆外露的芯线层。主金属壳体嵌合绝缘胶体并具有主金属壳体搭接结构，主金属壳体搭接结构用于搭接同轴线缆外露的外部导体层。次金属壳体扣合主金属壳体且具有屏蔽结构，屏蔽结构延伸到接合结构接合芯线层处的附近并具有次金属壳体搭接部，次金属壳体搭接部能够搭接同轴线缆外露的外部导体层，使屏蔽结构跟同轴线缆外露的外部导体层构成屏蔽回路，以避免屏蔽结构产生天线效应，且通过屏蔽回路对接合结构接合芯线层处提供屏蔽，以避免接合结构接合芯线层处产生泄波。
7.优选地，在本发明的线端连接器中，次金属壳体还具有压接结构，压接结构对次金属壳体搭接部提供压接，使次金属壳体搭接部电性接触同轴线缆外露的外部导体层，使屏蔽结构能够搭接同轴线缆外露的外部导体层。
8.优选地，在本发明的线端连接器中，屏蔽结构还延伸到同轴线缆外露的芯线层附近，通过屏蔽回路对同轴线缆外露的芯线层提供屏蔽。
9.优选地，在本发明的线端连接器中，主金属壳体的前端具有主金属壳体前端扣合结构，次金属壳体的前端具有次金属壳体前端扣合结构，主金属壳体前端扣合结构与次金属壳体前端扣合结构为相互配合的结构，使得完成次金属壳体与主金属壳体两者前端的扣
合。
10.优选地，在本发明的线端连接器中，主金属壳体的后端具有主金属壳体后端扣合结构，次金属壳体的后端具有次金属壳体后端扣合结构，主金属壳体后端扣合结构与次金属壳体后端扣合结构为相互配合的结构，使得完成次金属壳体与主金属壳体两者后端的扣合。
11.此外，本发明还提供一种rf同轴跳线，rf同轴跳线包括：同轴线缆与线端连接器。线端连接器具有：中心导体、绝缘胶体、主金属壳体与次金属壳体。同轴线缆具有外露的芯线层与外部导体层。中心导体具有接合结构。绝缘胶体结合中心导体并外露接合结构，使接合结构能够接合同轴线缆外露的芯线层。主金属壳体嵌合绝缘胶体并搭接同轴线缆外露的外部导体层。次金属壳体扣合主金属壳体且具有屏蔽结构，屏蔽结构延伸到接合结构接合芯线层处的附近，并搭接同轴线缆外露的外部导体层，使屏蔽结构跟外露的外部导体层构成屏蔽回路，以避免屏蔽结构产生天线效应，且通过屏蔽回路对接合结构接合芯线层处提供屏蔽，以避免接合结构接合芯线层处产生泄波。
12.优选地，在本发明的rf同轴跳线中，次金属壳体还具有压接结构，压接结构对次金属壳体搭接部提供压接，使屏蔽结构能够搭接同轴线缆外露的外部导体层。
13.再者，本发明又提供一种rf同轴跳线装配方法，rf同轴跳线装配方法包括：提供中心导体与绝缘胶体，使绝缘胶体结合中心导体，其中，中心导体具有接合结构，而绝缘胶体外露接合结构；提供主金属壳体，使主金属壳体嵌合绝缘胶体；提供同轴线缆，同轴线缆具有外露的芯线层与外部导体层；使接合结构接合同轴线缆外露的芯线层，并使主金属壳体搭接同轴线缆外露的外部导体层；以及提供次金属壳体，其中，次金属壳体具有屏蔽结构，使次金属壳体扣合主金属壳体且使屏蔽结构搭接同轴线缆外露的外部导体层，使屏蔽结构跟同轴线缆外露的外部导体层构成屏蔽回路，以避免屏蔽结构产生天线效应，且通过屏蔽回路对接合结构接合芯线层处提供屏蔽，以避免接合结构接合芯线层处产生泄波。
14.相较于习知技术，本发明的rf同轴跳线及其线端连接器与装配方法，通过两件扣合的金属壳体的结构配合，对线端连接器接合同轴线缆芯线层处提供屏蔽结构，以避免线端连接器接合同轴线缆芯线层处产生泄波，且使屏蔽结构搭接同轴线缆外露的外部导体层以构成屏蔽回路，以避免屏蔽结构产生天线效应，因此，本发明的rf同轴跳线可以传输28～45ghz频域甚至高于45ghz频域的毫米波高频信号，以满足5g通信的毫米波高频信号传输。
附图说明
15.图1至图14是本发明第一实施例的rf同轴跳线及其线端连接器的装配示意图。
16.图15至图26是本发明第二实施例的rf同轴跳线及其线端连接器的装配示意图。1
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rf同轴跳线11
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同轴线缆111
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芯线层112
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外部导体层12
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线端连接器121
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中心导体1211
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接合结构
122
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绝缘胶体123
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主金属壳体1231
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主金属壳体搭接结构1232
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主金属壳体前端扣合结构1233
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主金属壳体后端扣合结构124
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次金属壳体1241
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屏蔽结构12411
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次金属壳体搭接部1242
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次金属壳体前端扣合结构1243
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次金属壳体后端扣合结构1244
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压接结构l
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屏蔽回路p
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中心导体接合同轴线缆芯线层处
具体实施方式
17.以下通过特定的具体实施例说明本发明的技术内容，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明亦可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用。本说明书中的各项细节亦可基于不同观点与应用，在不背离本发明的精神下，进行各种修饰与变更。
18.本发明提供一种rf同轴跳线及其线端连接器与装配方法，针对本发明的技术揭露，请参照图1～图26。在本发明中，rf同轴跳线用于传输射频信号，主要包括：同轴线缆与线端连接器。
19.针对本发明rf同轴跳线的装配方法，首先，如图1、图15所示，提供中心导体121与绝缘胶体122，然后，使绝缘胶体122结合中心导体121，以对中心导体121提供定位，其中，中心导体121与绝缘胶体122两者的结合可以通过组立工法或埋入式射出工法实现。
20.如图5、图19所示，中心导体121具有接合结构1211，而结合中心导体121的绝缘胶体122可外露接合结构1211以提供后续接合。
21.接着，如图2至图4与图16至图18所示，提供用于嵌合绝缘胶体122的主金属壳体123。再者，如图5、图19所示，提供具有外露芯线层111与外部导体层112的同轴线缆11，其中，芯线层111用于传递高频信号，外部导体层112用于传递屏蔽信号。然后，如图6、图20所示，在绝缘胶体122外露接合结构1211的位置，通过例如焊接工法，使接合结构1211接合同轴线缆11外露的芯线层111，以使同轴线缆11芯线层111的高频信号得以传递至中心导体121。
22.此外，在本发明中，主金属壳体123还可以搭接同轴线缆11外露的外部导体层112，举例而言，如图7、图21所示，主金属壳体123具有主金属壳体搭接结构1231，用于通过例如电阻焊或铆接等电性搭接方式搭接同轴线缆11外露的外部导体层112，如此，同轴线缆11外部导体层112的屏蔽信号得以传递至主金属壳体123。
23.接着，提供具有屏蔽结构1241的次金属壳体124，使次金属壳体124扣合主金属壳体123，并使次金属壳体124搭接主金属壳体123，如此，主金属壳体123的屏蔽信号得以传递
至次金属壳体124而构成如图13所示的屏蔽回路l。针对次金属壳体124与主金属壳体123两者的扣合，如图11、图25所示，主金属壳体123的前端具有主金属壳体前端扣合结构1232，相应地，次金属壳体124的前端具有次金属壳体前端扣合结构1242，应说明的是，主金属壳体前端扣合结构1232与次金属壳体前端扣合结构1242为相互配合的结构，使得可通过例如铆接工法完成次金属壳体124与主金属壳体123两者前端的扣合。
24.优选地，如图11、图25所示，主金属壳体123的后端具有主金属壳体后端扣合结构1233，相应地，次金属壳体124的后端具有次金属壳体后端扣合结构1243，应说明的是，主金属壳体后端扣合结构1233与次金属壳体后端扣合结构1243为相互配合的结构，使得可通过例如铆接工法完成次金属壳体124与主金属壳体123两者后端的扣合。
25.然后，如图13至图14与图22至图25所示，屏蔽结构1241例如为从次金属壳体124本体延伸的l型延长片，可通过例如折弯屏蔽结构1241，使屏蔽结构1241延伸到接合结构1211接合芯线层111处p的附近以提供屏蔽。如图8至图11与图22至图26所示，屏蔽结构1241还具有次金属壳体搭接部12411，其中，次金属壳体搭接部12411从屏蔽结构1241的本体向同轴线缆11外露的外部导体层112延伸，而用于搭接同轴线缆11外露的外部导体层112，以使屏蔽结构1241可以搭接同轴线缆11外露的外部导体层112，如此，同轴线缆11外部导体层112的屏蔽信号得以传递至屏蔽结构1241，使屏蔽结构1241跟同轴线缆11外露的外部导体层112构成屏蔽回路l，以避免屏蔽结构1241产生天线效应，从而解决现有线端连接器在与同轴线缆结合时部分屏蔽区域会产生天线效应的问题。
26.此外，通过屏蔽回路l还可以在三维空间中的多个方位对中心导体121的接合结构1211接合芯线层111处p提供三维屏蔽，以避免接合结构1211接合芯线层111处p产生泄波，因此，本发明的rf同轴跳线1可以传输28～45ghz频域甚至高于45ghz频域的毫米波高频信号，以满足5g通信的毫米波高频信号传输。优选地，在本发明中，屏蔽结构1241还可延伸到同轴线缆11外露的芯线层111附近，使得通过屏蔽回路l对同轴线缆11外露的芯线层111提供屏蔽，以避免同轴线缆11外露的芯线层111的高频信号传输受到影响。
27.优选地，如图11所示，次金属壳体124还具有例如为片状的压接结构1244，压接结构1244对次金属壳体搭接部12411提供压接，使次金属壳体搭接部12411电性接触同轴线缆11外露的外部导体层112，从而确保屏蔽结构1241能够搭接同轴线缆11外露的外部导体层112以构成屏蔽回路l。
28.综上所述，本发明的rf同轴跳线及其线端连接器与装配方法，通过两件扣合的金属壳体的结构配合，使两件扣合的金属壳体的至少一者的屏蔽结构可以搭接同轴线缆外露的外部导体层而构成屏蔽回路，以避免屏蔽结构产生天线效应，并通过屏蔽回路对线端连接器接合同轴线缆芯线层处提供屏蔽，以避免线端连接器接合同轴线缆芯线层处产生泄波，因此，本发明的rf同轴跳线可以传输28～45ghz频域甚至高于45ghz频域的毫米波高频信号，以满足5g通信的毫米波高频信号传输。
29.上述实施例仅例示性说明本发明的原理及功效，而非用于限制本发明。本领域技术人员均可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰与改变。因此，本发明的权利保护范围，应如后述权利要求所列。