扇出封装结构的制作方法

技术特征：
1.一种扇出封装结构，包括：重布线层，设置于重布线层下方的焊球，电性连接所述重布线层上方的高热芯片和低热芯片，以及填充设置于重布线层上方且包覆所述高热芯片、低热芯片的塑封料；所述高热芯片上表面裸露至所述塑封料之外，所述低热芯片的上表面包封于所述塑封料之中；其特征在于，于所述低热芯片的上表面设置翘曲调节保护层；或于所述低热芯片正上方的塑封料开设至少一个通孔，且所述低热芯片的部分上表面透过所述通孔曝露于所述塑封料之外。2.根据权利要求1所述的扇出封装结构，其特征在于，于所述低热芯片的上表面设置翘曲调节保护层时，所述翘曲调节保护层的上表面曝露于所述塑封料之外；或所述塑封料延伸至所述翘曲调节保护层上方，并包覆所述翘曲调节保护层上表面。3.根据权利要求1所述的扇出封装结构，其特征在于，于所述低热芯片正上方的塑封料开设通孔时，所述扇出封装结构还包括：于所述低热芯片的上表面设置翘曲调节保护层，所述通孔贯穿所述翘曲调节保护层。4.根据权利要求1或3所述的扇出封装结构，其特征在于，在低热芯片临近高热芯片的塑封料上，自塑封料的上表面向下开设有凹槽，所述凹槽与其相邻的芯片不相接，且所述凹槽的底部不低于所述低热芯片的上表面；所述芯片包括：高热芯片和/或低热芯片。5.根据权利要求1或3所述的扇出封装结构，其特征在于，自所述塑封料上表面至所述低热芯片的延伸方向上，所述通孔的开口尺寸保持不变或依次递减。6.根据权利要求1或3所述的扇出封装结构，其特征在于，至少一个通孔沿所述低热芯片靠近高热芯片的边缘设置为长条状，和/或至少2个及2个以上的通孔沿低热芯片靠近高热芯片的边缘排布为长条状。7.根据权利要求1所述的扇出封装结构，其特征在于，所述高热芯片和低热芯片均通过焊球电性连接所述重布线层。8.根据权利要求1所述的扇出封装结构，其特征在于，所述扇出封装结构还包括：由塑封料包覆且填充设置于所述重布线层上方的底部填充层，所述底部填充层包覆高热芯片和/或低热芯片靠近所述重布线层一侧的端部。9.根据权利要求8所述的扇出封装结构，其特征在于，所述底部填充层还包覆高热芯片和/或低热芯片的侧壁。10.根据权利要求1所述的扇出封装结构，其特征在于，所述扇出封装结构还包括：贴合设置于所述低热芯片下表面的至少一层聚合物介质层。11.根据权利要求1至3任一项所述的扇出封装结构，其特征在于，所述翘曲调节保护层的厚度>＝10um，其热膨胀系数>10ppm/k。

技术总结
本发明揭示了一种扇出封装结构，包括：重布线层，设置于重布线层下方的焊球，电性连接所述重布线层上方的高热芯片和低热芯片，以及填充设置于重布线层上方且包覆所述高热芯片、低热芯片的塑封料；所述高热芯片上表面裸露至所述塑封料之外，所述低热芯片的上表面包封于所述塑封料之中；于所述低热芯片的上表面设置翘曲调节保护层；或于所述低热芯片正上方的塑封料开设至少一个通孔，且所述低热芯片的部分上表面透过所述通孔曝露于所述塑封料之外。本发明通过在低热芯片的上表面设置翘曲调节保护层，或通过于所述低热芯片上方的塑封料开设至少一个通孔，增加对整个扇出封装结构的翘曲调节能力；使扇出封装结构的良率及稳定度均得到大幅提升。到大幅提升。到大幅提升。


技术研发人员：林耀剑
受保护的技术使用者：江苏长电科技股份有限公司
技术研发日：2020.04.17
技术公布日：2021/10/21