半导体结构及其形成方法与流程

技术特征：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括用于形成核心器件的核心区；在所述基底上形成伪栅；在所述伪栅两侧的基底中形成源漏掺杂区；在所述伪栅两侧形成覆盖所述源漏掺杂区的层间介质层；去除所述伪栅，在所述层间介质层中形成栅极开口；对所述核心区的层间介质层进行离子掺杂，适于提高所述核心区的层间介质层的耐刻蚀度；在形成所述栅极开口、以及进行离子掺杂后，形成填充所述栅极开口的栅极。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底还包括用于形成输入/输出器件的周边区；提供基底后，在所述基底上形成伪栅之前，所述半导体结构的形成方法还包括：在所述周边区和核心区的基底上形成栅氧化层；形成所述栅极开口的步骤中，所述栅极开口的底部暴露出所述栅氧化层；在形成所述栅极开口、以及进行所述离子掺杂之后，且在形成所述栅极之前，所述半导体结构的形成方法还包括：去除所述核心区的栅极开口底部的栅氧化层。3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述层间介质层之后，去除所述伪栅之前，对所述核心区的层间介质层进行离子掺杂。4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述栅极开口之后，去除所述核心区的栅极开口底部的栅氧化层之前，对所述核心区的层间介质层进行离子掺杂。5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述核心区的层间介质层进行离子掺杂的步骤包括：形成填充所述栅极开口且覆盖所述周边区层间介质层的遮挡层，所述遮挡层暴露出所述核心区的层间介质层；以所述遮挡层为掩膜，对所述核心区的层间介质层进行离子掺杂；在进行离子掺杂后，且在去除所述核心区的栅极开口底部的栅氧化层之前，所述半导体结构的形成方法还包括：去除位于所述核心区栅极开口中的遮挡层，暴露出所述核心区栅极开口的底部和侧壁；在去除所述核心区的栅极开口底部的栅氧化层的步骤中，以剩余的所述遮挡层为掩膜，去除所述核心区的栅极开口底部的栅氧化层。6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述遮挡层的步骤包括：在所述层间介质层上形成填充所述栅极开口的填充材料层；去除位于所述核心区的层间介质层顶面和栅极开口上方的所述填充材料层，剩余位于所述栅极开口中以及所述周边区的层间介质层顶面的填充材料层用于作为所述遮挡层。7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺，去除位于所述核心区的层间介质层顶面和栅极开口上方的填充材料层。8.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除位于所述核心区栅极开口中的遮挡层的工艺包括干法刻蚀工艺。9.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅氧化层的材料包括
氧化硅或氮氧化硅；所述层间介质层的材料包括氧化硅或氮氧化硅。10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述核心区的层间介质层进行离子掺杂的步骤中，所述核心区的层间介质层中离子的掺杂深度为5nm至8nm。11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述核心区的层间介质层进行离子掺杂的离子包括硅离子。12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，进行离子掺杂的工艺包括离子注入工艺，所述离子注入工艺的参数包括：注入能量为0.25kev至5kev，注入剂量为1.6e15atom/cm2至1.6e17atom/cm2，注入角度为0
°
。13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述伪栅层的顶面还形成有自然氧化层；在去除所述伪栅的步骤中，所述半导体结构的形成方法还包括：去除所述自然氧化层。14.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述栅极的步骤包括：在所述层间介质层上形成填充所述栅极开口的栅极材料层；采用平坦化工艺，去除高于所述层间介质层的栅极材料层，位于所述栅极开口中的剩余栅极材料层用于作为所述栅极。15.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，所述基底包括用于形成核心器件的核心区；栅极开口，位于所述基底上；源漏掺杂区，位于所述栅极开口的两侧的基底中；层间介质层，位于所述栅极开口两侧且覆盖所述源漏掺杂区，其中，所述核心区的层间介质层中掺杂有离子，所述离子适于提高所述核心区的层间介质层的耐刻蚀度。16.如权利要求15所述的半导体结构，其特征在于，所述核心区的层间介质层中离子的掺杂深度为5nm至8nm。17.如权利要求15所述的半导体结构，其特征在于，所述核心区的层间介质层中的掺杂离子包括硅离子。18.如权利要求15所述的半导体结构，其特征在于，所述基底还包括用于形成输入/输出器件的周边区；所述半导体结构还包括：位于所述核心区和周边区的栅极开口底部的栅氧化层。19.如权利要求18所述的半导体结构，其特征在于，所述栅氧化层的材料包括氧化硅或氮氧化硅；所述层间介质层的材料包括氧化硅或氮氧化硅。

技术总结
一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，所述基底包括用于形成核心器件的核心区；在所述基底上形成伪栅；在所述伪栅两侧的基底中形成源漏掺杂区；在所述伪栅两侧形成覆盖所述源漏掺杂区的层间介质层；去除所述伪栅，在所述层间介质层中形成栅极开口；对所述核心区的层间介质层进行离子掺杂，适于提高所述核心区的层间介质层的耐刻蚀度；在形成所述栅极开口后、以及进行离子掺杂后，形成填充所述栅极开口的栅极。本发明实施例有利于提高生产制造良率和半导体结构的性能。高生产制造良率和半导体结构的性能。高生产制造良率和半导体结构的性能。


技术研发人员：邓武锋
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2020.04.17
技术公布日：2021/10/21