有源区阵列的形成方法与流程

技术特征：
1.一种有源区阵列的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底的表面形成第一硬掩膜层；采用复合蚀刻工艺图形化所述第一硬掩膜层，以在所述第一硬掩膜层中形成有源区遮挡层，且所述有源区遮挡层的图形与待形成的有源区阵列的图形相匹配，其中，所述复合蚀刻工艺包括至少两道图形化工艺和至少一道图形转移工艺；去除剩余的所述第一硬掩膜层；通过所述有源区遮挡层在所述衬底中形成所述有源区阵列。2.根据权利要求1所述的有源区阵列的形成方法，其特征在于，所述采用复合蚀刻工艺图形化所述第一硬掩膜层，以在所述第一硬掩膜层中形成有源区遮挡层，包括：采用第一工艺图形化所述第一硬掩膜层，以形成第一遮挡层；在所述第一硬掩膜层的表面形成第二硬掩膜层，采用第二工艺图形化所述第二硬掩膜层，以形成第二遮挡层；转移所述第二遮挡层的图形至所述第一硬掩膜层中，以与所述第一遮挡层共同构成所述有源区遮挡层；其中，所述第一遮挡层和所述第二遮挡层在所述衬底上的投影不重叠。3.根据权利要求2所述的有源区阵列的形成方法，其特征在于，所述采用第一工艺图形化所述第一硬掩膜层，以形成第一遮挡层，包括：图形化所述第一硬掩膜层，以形成第一沟槽阵列，所述第一沟槽阵列包括沿第一方向延伸的多条第一沟槽；其中，每条所述第一沟槽中均设有多个第一阵列区和多个第一间隔区，且沿所述第一方向相邻设置的两个所述第一阵列区之间均设有一个所述第一间隔区；在所述第一阵列区填充第一材料以形成第一遮挡层，在所述第一间隔区填充第二材料以形成第一间隔层。4.根据权利要求3所述的有源区阵列的形成方法，其特征在于，所述在所述第一阵列区填充第一材料以形成第一遮挡层，在所述第一间隔区填充第二材料以形成第一间隔层，包括：在所述第一沟槽阵列中填充第一材料以形成第一初始遮挡层；蚀刻设定区域的所述第一初始遮挡层至所述衬底的表面以形成第一填充沟槽，剩余的所述第一初始遮挡层作为所述第一遮挡层；在所述第一填充沟槽中填充第二材料以形成所述第一间隔层。5.根据权利要求3所述的有源区阵列的形成方法，其特征在于，所述图形化所述第一硬掩膜层，以形成第一沟槽阵列，包括：在所述第一硬掩膜层的表面形成第一光阻层；图形化所述第一光阻层；通过图形化的所述第一光阻层蚀刻所述第一硬掩膜层至所述衬底的表面，以形成所述第一沟槽阵列。6.根据权利要求2所述的有源区阵列的形成方法，其特征在于，所述在所述第一硬掩膜层的表面形成第二硬掩膜层，包括：在所述第一硬掩膜层的表面形成牺牲层；在所述牺牲层的表面形成第二硬掩膜层。
7.根据权利要求3所述的有源区阵列的形成方法，其特征在于，所述转移所述第二遮挡层的图形至所述第一硬掩膜层中，以与所述第一遮挡层共同构成所述有源区遮挡层，包括：去除所述第二遮挡层，并通过所述第二遮挡层的图形蚀刻所述第一硬掩膜层至所述衬底的表面，以形成遮挡层转移沟槽；在所述遮挡层转移沟槽中填充第一材料，以形成转移遮挡层；去除所述第一硬掩膜层表面的所述转移遮挡层和所述第二硬掩膜层，剩余的所述转移遮挡层与所述第一遮挡层共同构成所述有源区遮挡层。8.根据权利要求7所述的有源区阵列的形成方法，其特征在于，所述第二硬掩膜层中还形成有第二间隔层，所述第二间隔层与所述第二遮挡层在所述衬底上的投影不重叠；所述去除所述第一硬掩膜层表面的所述转移遮挡层和所述第二硬掩膜层前，还包括：去除所述第二间隔层，并通过所述第二间隔层的图形蚀刻所述第一硬掩膜层至所述衬底的表面，以形成间隔层转移沟槽；在所述间隔层转移沟槽中填充第二材料，以形成转移间隔层；去除所述第一硬掩膜层表面的所述转移间隔层。9.根据权利要求8所述的有源区阵列的形成方法，其特征在于，所述去除所述第一硬掩膜层表面的所述转移间隔层后，剩余的所述转移间隔层与所述第一间隔层共同构成间隔填充层；所述通过所述有源区遮挡层在所述衬底中形成所述有源区阵列前，还包括：去除所述间隔填充层。10.根据权利要求1所述的有源区阵列的形成方法，其特征在于，所述通过所述有源区遮挡层在所述衬底中形成所述有源区阵列，包括：通过所述有源区遮挡层图形化所述衬底以形成隔离沟槽，所述隔离沟槽用于定义所述有源区阵列的位置；在所述隔离沟槽中填充隔离材料以形成隔离结构；对所述衬底进行离子注入以形成所述有源区阵列。

技术总结
本发明涉及一种有源区阵列的形成方法，包括：提供衬底，在衬底的表面形成第一硬掩膜层；采用复合蚀刻工艺图形化第一硬掩膜层，以在第一硬掩膜层中形成有源区遮挡层，且有源区遮挡层的图形与待形成的有源区阵列的图形相匹配，其中，复合蚀刻工艺包括至少两道图形化工艺和至少一道图形转移工艺；去除剩余的第一硬掩膜层；通过有源区遮挡层在衬底中形成有源区阵列。本发明通过将分步形成于不同层中的部分有源区遮挡层合并转移至第一硬掩膜层中，从而有效避免了在同一层中同时形成密集图形时容易产生的各种缺陷问题，进而降低了有源区阵列的制备难度，提高了存储器的制备良率。提高了存储器的制备良率。提高了存储器的制备良率。


技术研发人员：刘志拯
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2020.04.17
技术公布日：2021/10/21