晶体管和电子设备的制作方法

技术特征：
1.一种晶体管，其特征在于，包括：半导体漏极区域，由第一沟槽界定；第一导电元件，位于所述第一沟槽中；以及第一节点，被电耦合到所述第一导电元件，所述第一节点被配置为耦合到第一电势，所述第一电势更接近所述晶体管的漏极电势，而不是更接近所述晶体管的源极电势。2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，进一步包括位于第二沟槽中的栅极，所述第二沟槽与所述第一沟槽共线。3.根据权利要求2所述的晶体管，其特征在于，进一步包括在所述栅极与所述第一导电元件之间的绝缘区域，所述绝缘区域具有第一厚度，所述第一厚度大于所述晶体管的栅极绝缘体的第二厚度。4.根据权利要求2所述的晶体管，其特征在于，进一步包括位于所述第二沟槽中的第二导电元件。5.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述第一沟槽从衬底的表面延伸到所述衬底中，并且其中所述晶体管的漏极接触区域和所述晶体管的沟道形成区域位于所述衬底的所述表面侧。6.根据权利要求5所述的晶体管，其特征在于，所述沟道形成区域被电耦合到第二节点，所述第二节点被配置为耦合到所述晶体管的所述源极电势。7.根据权利要求5所述的晶体管，其特征在于，进一步包括：栅极，位于与所述第一沟槽共线的第二沟槽中；以及半导体源极区域，由所述第二沟槽界定，并且在所述沟道形成区域的与所述半导体漏极区域相对的一侧，与所述沟道形成区域接触。8.根据权利要求5所述的晶体管，其特征在于，所述第一沟槽延伸到所述衬底的、部分位于所述半导体漏极区域下方的区域中。9.根据权利要求8所述的晶体管，其特征在于，所述沟道形成区域是所述衬底的所述区域的部分。10.根据权利要求8所述的晶体管，其特征在于，所述衬底的所述区域通过掩埋阱与所述衬底的位于所述掩埋阱下方的另一区域绝缘。11.根据权利要求10所述的晶体管，其特征在于，所述掩埋阱完全位于比所述第一沟槽的底部的深度更大的深度处。12.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，在与所述第一沟槽侧相对的一侧，所述半导体漏极区域由附加沟槽界定，并且其中附加导电元件位于所述附加沟槽中。13.根据权利要求12所述的晶体管，其特征在于，所述第一沟槽的端部和所述附加沟槽的端部在沟槽宽度方向上对准。14.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述半导体漏极区域在与所述第一沟槽平行的方向上具有从接触区域减小的掺杂水平。15.一种电子设备，其特征在于，包括：一个或多个晶体管，所述一个或多个晶体管中的每个晶体管包括：半导体漏极区域，由第一沟槽界定；第一导电元件，位于所述第一沟槽中；以及
第一节点，被电耦合到所述第一导电元件，所述第一节点被配置为耦合到第一电势，所述第一电势更接近所述晶体管的漏极电势，而不是更接近所述晶体管的源极电势。16.根据权利要求15所述的电子设备，其特征在于，所述电子设备是单片的，并且进一步包括：互补金属氧化物半导体类型的晶体管和/或垂直晶体管，包括与所述第一沟槽相同深度的沟槽。

技术总结
本公开涉及晶体管和电子设备。一个实施例晶体管包括：由第一沟槽界定的半导体漏极区域、以及在第一沟槽中的第一导电元件，该第一导电元件被电耦合到电势的施加的节点，该电势更接近晶体管的漏极电势，而不是更接近晶体管的源极电势。的源极电势。的源极电势。


技术研发人员：R
受保护的技术使用者：意法半导体(鲁塞)公司
技术研发日：2021.01.22
技术公布日：2021/10/23