显示装置的制作方法

显示装置
1.本技术要求于2020年4月21日在韩国知识产权局提交的第10
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2020
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0048303号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。
技术领域
2.一个或更多个示例实施例的方面涉及一种显示装置。


背景技术：

3.近来，物理按钮已经从显示装置的前表面去除，并且在其上显示图像的显示区域已经逐渐延长(例如，放大或扩展)。例如，为了扩展显示区域，已经引入了其中用于扩展显示装置的功能的单独构件(诸如相机)布置在显示区域内部的显示装置。为了在显示区域内部布置诸如相机的单独构件，可以形成凹槽和/或贯通部分等来将单独构件定位在显示区域内部。然而，形成在显示区域内部的凹槽或贯通部分可能用作外部湿气等可能通过其渗透到显示区域中的另一湿气传输路径。
4.本背景技术部分中公开的上面信息是为了增强对本公开的背景技术的理解，因此，其可以包含不构成现有技术的信息。


技术实现要素：

5.本公开的一个或更多个示例实施例涉及一种显示装置和制造该显示装置的方法，在显示装置中阻挡或基本上阻挡了外部湿气等由于在显示区域内部的贯通部分而引起的渗透。
6.另外的方面将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地将从描述中明显，或者可以通过实践本公开的一个或更多个所呈现的实施例来获知。
7.根据本公开的一个或更多个实施例，显示装置包括：基底，包括显示区域、第一非显示区域和第二非显示区域，显示区域包括多个薄膜晶体管和电连接到多个薄膜晶体管的多个显示元件，第一非显示区域在显示区域外侧，第二非显示区域至少部分地被显示区域围绕；贯通部分，在第二非显示区域中在竖直方向上穿过基底；金属层，在第二非显示区域处围绕贯通部分；以及疏水阻挡层，在贯通部分的内侧表面上。疏水阻挡层包括金属层的金属材料的氧化物。
8.在示例实施例中，疏水阻挡层可以与金属层成一体。
9.在示例实施例中，金属层可以包括铟、锌、镓、锆、铜和钛中的至少一种。
10.在示例实施例中，基底可以包括顺序地堆叠的第一基体层、第一阻挡层、第二基体层和第二阻挡层，并且疏水阻挡层可以覆盖第二基体层的通过贯通部分暴露的侧表面。
11.在示例实施例中，疏水阻挡层可以包括纳米结构，纳米结构包括在疏水阻挡层的内部部分和表面中的孔。
12.在示例实施例中，显示装置还可以包括在疏水阻挡层上的表面活性剂层，并且表面活性剂层可以包括硬脂酸、油酸和氟硅烷中的至少一种。
13.在示例实施例中，表面活性剂层的表面活性剂可以填充孔。
14.在示例实施例中，显示装置还可以包括在第二非显示区域处围绕贯通部分的内坝，并且金属层可以在内坝与贯通部分之间。
15.在示例实施例中，显示装置还可以包括封装层，封装层在多个显示元件上并且包括顺序地堆叠的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层。有机封装层可以在由内坝分割的区域外侧，第一无机封装层和第二无机封装层可以延伸到贯通部分，并且可以在内坝与贯通部分之间彼此直接接触，并且金属层可以在第二无机封装层上。
16.在示例实施例中，多个显示元件中的每个可以包括像素电极、对电极和中间层。像素电极可以在平坦化层上，对电极可以在像素电极之上，并且中间层可以在像素电极与对电极之间。中间层和对电极中的至少一个层可以延伸到第二非显示区域，并且疏水阻挡层可以覆盖中间层和对电极中的至少一个层的被贯通部分暴露的侧表面。
附图说明
17.通过以下参照附图对示例实施例的详细描述，本公开的以上和其他方面以及特征对于本领域技术人员将变得更加明显，在附图中：
18.图1是根据实施例的显示装置的示例的平面图；
19.图2是根据实施例的沿着图1的线i
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i’和线ii
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ii’截取的显示装置的剖视图；
20.图3是根据实施例的图1的区域a的放大平面图；
21.图4是根据实施例的图3的贯通部分的示例的平面图；
22.图5是根据实施例的沿着图4的线iii
‑
iii’截取的贯通部分的剖视图；
23.图6是根据实施例的图5的区域b的放大剖视图；
24.图7是根据另一实施例的沿着图4的线iii
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iii’截取的贯通部分的剖视图；以及
25.图8至图10是示出根据实施例的制造图1的显示装置的工艺的剖视图。
具体实施方式
26.在下文中，将参照附图更详细地描述示例实施例，在附图中同样的附图标记始终表示同样的元件。然而，本公开可以以各种不同的方式实施，并且不应被解释为仅限于这里示出的实施例。相反，提供这些实施例作为示例，使得本公开将是彻底的和完整的，并且这些实施例将向本领域技术人员充分传达本公开的方面和特征。因此，可以不描述对于本领域普通技术人员而言完全理解本公开的方面和特征不是必需的工艺、元件和技术。此外，当可以不同地实现某个实施例时，具体的工艺顺序可以以与描述的顺序不同地执行。例如，两个连续描述的工艺可以同时或基本上同时执行，或者可以以与描述的顺序相反的顺序执行。除非另有说明，否则贯穿附图和书面描述，同样的附图标记表示同样的元件，因此，可以不重复其描述。
27.在附图中，为了清楚，可以夸大和/或简化元件、层和区域的相对尺寸。换言之，因为为了便于解释而任意地示出了附图中的组件的尺寸和厚度，所以以下实施例不限于此。为了易于解释，可以在这里使用诸如“在
……
之下”、“在
……
下方”、“下”、“在
……
下面”、“在
……
上方”、“上”等的空间相对术语来描述如附图中所示的一个元件或特征与另一(另外的)元件或特征的关系。将理解的是，空间相对术语意图包含除附图中描绘的方位之外的
设备在使用中或操作中的不同方位。例如，如果翻转附图中的设备，则被描述为“在”其他元件或特征“下方”或“之下”或“下面”的元件随后将被定位为“在”所述其他元件或特征“上方”。因此，示例术语“在
……
下方”和“在
……
下面”可以包含上方和下方两种方位。设备可以被另外定位(例如，旋转90度或在其他方位处)，并且应相应地解释在这里使用的空间相对描述语。
28.将理解的是，尽管可以在这里使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种的元件、组件、区域、层和/或部分，但这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，下面描述的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分可以被命名为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
29.将理解的是，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层，或者可以存在一个或更多个中间元件或层。另外，还将理解的是，当元件或层被称为“在”两个元件或层“之间”时，该元件或层可以是所述两个元件或层之间的唯一元件或层，或者也可以存在一个或更多个中间元件或层。
30.这里使用的术语是为了描述具体实施例的目的，而不意图成为本公开的限制。除非上下文另外清楚地指出，否则如在这里使用的单数形式“一”、“一个(种/者)”和“该(所述)”也意图包括复数形式。还将理解的是，当术语“包括”、“包含”、“具有”和其变型用在本说明书中时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。如在这里使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。当诸如
“……
中的至少一个(种/者)”的表述位于一列元件之后时，修饰整列元件而不修饰所述列中的个别元件。例如，表述“a、b和c中的至少一个(种/者)”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c中的全部或者其变型。
31.如在这里使用的，术语“基本上(基本)”、“大约(约)”和类似术语被用作近似术语而不是用作程度术语，并且意图解释本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有偏差。此外，当描述本公开的实施例时，“可以(可)”的使用表示“本公开的一个或更多个实施例”。如在这里使用的，术语“使用”和其变型可以被认为分别与术语“利用”和其变型同义。此外，术语“示例性”意图指示例或例证。
32.除非另外定义，否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。还将理解的是，术语(诸如在通用字典中定义的术语)应被解释为具有与它们在相关领域和/或本说明书的上下文中的意思一致的意思，并且不应以理想化的或过于形式化的含义来进行解释，除非这里明确地如此定义。
33.图1是根据实施例的显示装置10的示例的平面图，图2是沿着图1的线i
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i’和线ii
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ii’截取的显示装置10的剖视图。
34.参照图1和图2，根据实施例的显示装置10包括显示区域da、第一非显示区域pa1和第二非显示区域pa2。显示区域da显示图像，第一非显示区域pa1在显示区域da外侧，第二非显示区域pa2的至少一部分被显示区域da围绕(例如，被显示区域da围绕其外围)。换言之，
基底100可以被理解为包括显示区域da、第一非显示区域pa1和第二非显示区域pa2。
35.显示元件布置在显示区域da处(例如，在显示区域da中或在显示区域da上)。第一非显示区域pa1可以包括垫(pad，或称为“焊盘”或“焊垫”)区域，垫区域是其中电附着有各种合适的电子元件和/或印刷电路板等的区域。
36.此外，薄膜晶体管210可以布置在显示区域da处(例如，在显示区域da中或在显示区域da上)。薄膜晶体管210可以电连接到显示元件。在图2中示出了作为显示元件的有机发光二极管300布置在显示区域da处(例如，在显示区域da中或在显示区域da上)。当有机发光二极管300电连接到薄膜晶体管210时，有机发光二极管300的像素电极310电连接到薄膜晶体管210。
37.第二非显示区域pa2可以至少部分地被显示区域da围绕(例如，被显示区域da围绕其外围)，并且布置在显示区域da与贯通部分(例如，通孔)h之间。尽管在图1中示出了第二非显示区域pa2可以布置在显示区域da内(例如，布置在显示区域da内部)并且被显示区域da完全围绕(例如，被显示区域da围绕其外围)，但是本公开不限于此。例如，第二非显示区域pa2的一部分可以接触第一非显示区域pa1。
38.贯通部分(例如，通孔)h可以用作用于执行显示装置10的一部分功能的单独构件的空间，或者可以用作可以向显示装置10添加新功能的单独构件的空间。例如，传感器、光源和/或相机模块等可以布置在贯通部分h中(例如，可以位于贯通部分h中或可以定位在贯通部分h中)。然而，本公开不限于单个贯通部分h，在一些实施例中，可以提供两个或更多个贯通部分h。
39.因为贯通部分h是竖直穿过基底100和堆叠在基底100上的多个层的区域，所以外部湿气和/或氧可能通过显示装置10的被贯通部分h暴露的内竖直表面(例如，内竖直壁)渗透到显示装置10中。然而，根据实施例，因为疏水阻挡层800(例如，见图5)形成在贯通部分h的内表面上，所以可以有效地防止湿气传输或基本上减少湿气传输。下面更详细地描述疏水阻挡层800(例如，见图5)。下面首先参照图2更详细地描述显示装置10的构造。
40.基底100可以包括各种合适的材料。在其中在朝向基底100的方向上显示图像的底发射型显示装置中，基底100可以包括透明材料。相反，在其中在远离基底100的相反方向上显示图像的顶发射型显示装置中，基底100可以不包括透明材料。在该示例中，基底100可以包括金属。在基底100包括金属的示例中，基底100可以包括铁、铬、锰、镍、钛、钼、不锈钢、不锈钢用钢(sus)、因瓦合金(invar alloy)、因科镍合金(inconel alloy)和科瓦合金(kovar alloy)中的至少一种。
41.例如，基底100可以具有其中顺序地堆叠有第一基体层101、第一阻挡层102、第二基体层103和第二阻挡层104的多层结构。
42.第一基体层101和第二基体层103可以包括例如包括sio2作为主要成分的透明玻璃材料。然而，第一基体层101和第二基体层103不必限于此，并且可以包括例如透明塑料材料。塑料材料可以包括聚醚砜(pes)、聚丙烯酸酯(par)、聚醚酰亚胺(pei)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚苯硫醚(pps)、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯(pc)、三乙酸纤维素(tac)和/或乙酸丙酸纤维素(cap)等。
43.第一基体层101和第二基体层103可以具有彼此相同的厚度或不同的厚度。例如，第一基体层101和第二基体层103可以均包括聚酰亚胺，并且可以均具有约3μm至约20μm的
厚度。
44.第一阻挡层102和第二阻挡层104是被构造为防止或基本上防止外部异物通过基底100渗透到显示装置10中的层，并且可以具有包括无机材料(例如以氮化硅(sin
x
)和/或氧化硅(sio
x
)等为例)的单层结构或多层结构。例如，第一阻挡层102可以具有包括非晶硅层和氧化硅层的多层结构，以改善邻近层之间(例如，相邻层之间)的粘合力，并且第二阻挡层104可以包括氧化硅层。另外，第一阻挡层102和第二阻挡层104可以均具有约至约的厚度，但本公开不限于此。
45.缓冲层可以进一步布置在基底100上。缓冲层可以阻挡或基本上阻挡异物和/或湿气穿透基底100。例如，缓冲层可以包括无机材料或有机材料。无机材料可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氧化钛和/或氮化钛等，有机材料可以包括聚酰亚胺、聚酯和/或亚克力等。缓冲层可以包括包含上面的材料中的一种或更多种的多个堆叠体。在实施例中，基底100的第二阻挡层104可以被理解为具有多层结构的缓冲层的一部分。
46.薄膜晶体管210布置在基底100的显示区域da处(例如，在显示区域da中或在显示区域da上)。除了薄膜晶体管210之外，显示元件布置在显示区域da处(例如，在显示区域da中或在显示区域da上)，使得显示元件电连接到薄膜晶体管210。图2示出了作为显示元件的有机发光二极管300。薄膜晶体管也可以布置在第一非显示区域pa1处(例如，在第一非显示区域pa1中或在第一非显示区域pa1上)。布置在第一非显示区域pa1处(例如，在第一非显示区域pa1中或在第一非显示区域pa1上)的薄膜晶体管可以包括例如被构造为控制施加到显示区域da的电信号的电路部分的一部分。
47.薄膜晶体管210包括半导体层211、栅电极213、源电极215和漏电极217。半导体层211包括非晶硅、多晶硅或有机半导体材料。在缓冲层布置在基底100上的示例中，半导体层211可以布置在缓冲层上。
48.栅电极213布置在半导体层211之上。源电极215根据施加到栅电极213的信号而电连接到漏电极217。栅电极213可以包括例如铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)、钼(mo)、钛(ti)、钨(w)和铜(cu)中的至少一种，并且可以具有单层结构或多层结构。在该示例中，为了确保半导体层211与栅电极213之间的绝缘，第一无机绝缘层120可以布置在半导体层211与栅电极213之间。第一无机绝缘层120可以包括无机材料，例如以氧化硅、氮化硅或氮氧化硅为例。第一无机绝缘层120可以遍及显示区域da、第一非显示区域pa1和第二非显示区域pa2形成。
49.第二无机绝缘层130可以布置在栅电极213上，并且可以具有单层结构或多层结构。第二无机绝缘层130可以包括无机材料，例如以氧化硅、氮化硅或氮氧化硅为例。第二无机绝缘层130可以遍及显示区域da、第一非显示区域pa1和第二非显示区域pa2形成。
50.源电极215和漏电极217布置在第二无机绝缘层130上。源电极215和漏电极217均通过形成在第二无机绝缘层130和第一无机绝缘层120中的接触孔连接到半导体层211。源电极215和漏电极217可以根据合适的导电性包括例如铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)、钼(mo)、钛(ti)、钨(w)和铜(cu)中的至少一种，并且可以均具有单层结构或多层结构。
51.可以设置保护层以保护具有上面的结构的薄膜晶体管210。保护层可以包括例如无机材料，诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅等。保护层可以包括单层结构或多层结构。
52.平坦化层140可以布置在薄膜晶体管210上。例如，如图2中所示，在有机发光二极管300布置在比薄膜晶体管210高的位置处的示例中，平坦化层140可以通过覆盖薄膜晶体管210来使可能由薄膜晶体管210引起的弯曲(例如，台阶)平坦化或基本上平坦化。平坦化层140可以包括有机绝缘材料，例如以亚克力、苯并环丁烯(bcb)或六甲基二硅氧烷(hmdso)为例。尽管在图2中示出了平坦化层140具有单层结构，但是本公开不限于此，在一些示例中，平坦化层140可以具有多层结构，并且可以对其进行各种合适的修改。根据本实施例的显示装置10可以包括保护层和平坦化层140两者，或者可以根据需要或期望仅包括平坦化层140。
53.有机发光二极管300在显示区域da内部布置在平坦化层140上。有机发光二极管300包括像素电极310、对电极330和中间层320。中间层320布置在像素电极310与对电极330之间，并且可以包括发射层。
54.平坦化层140包括使薄膜晶体管210的源电极215和漏电极217中的至少一个暴露的开口。像素电极310布置在平坦化层140上，并且经由开口通过接触源电极215和漏电极217中的一个而电连接到薄膜晶体管210。
55.像素电极310可以包括透明(或半透明)电极或反射电极。在像素电极310包括透明(或半透明)电极的示例中，像素电极310可以包括例如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)、氧化铟镓(igo)和/或氧化铝锌(azo)等。在像素电极310包括反射电极的示例中，像素电极310可以包括反射层以及包含例如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)、氧化铟镓(igo)或氧化铝锌(azo)的层，并且反射层可以包括例如ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr和其混合物中的至少一种。然而，本公开不限于此，并且像素电极310可以包括各种合适的材料，并且其结构可以具有单层或多层，但是可以对其进行各种合适的修改。
56.像素限定层150可以布置在平坦化层140上。像素限定层150通过包括与每个子像素对应的开口(例如，至少使像素电极310的中心部分暴露的开口)来限定像素。另外，在图2中示出的示例中，像素限定层150通过增加像素电极310的边缘与像素电极310之上的对电极330的边缘之间的距离来防止或基本上防止在像素电极310的边缘处发生电弧(例如，电弧或电弧放电)等。像素限定层150可以包括有机绝缘材料，例如以聚酰亚胺或hmdso为例。
57.有机发光二极管300的中间层320包括发射层。发射层可以包括用于发射具有期望颜色(例如，预设颜色)的光的聚合物有机材料或低分子量有机材料。另外，中间层320可以包括空穴传输层(htl)、空穴注入层(hil)、电子传输层(etl)和电子注入层(eil)之中的至少一个功能层。功能层可以包括有机材料。中间层320的多个层中的一些(例如功能层)可以遍及多个有机发光二极管300形成为一体(例如，形成为均匀连续的主体/层)。
58.对电极330可以覆盖显示区域da。对电极330可以遍及多个有机发光二极管300形成为一体(例如，形成为均匀连续的主体/层)，以与多个像素电极310对应。对电极330可以包括透明(或半透明)电极或反射电极。在对电极330包括透明(或半透明)电极的示例中，对电极330可以包括包含金属的层和透明(或半透明)导电层，金属具有低逸出功(例如以li、ca、lif/ca、lif/al、al、ag、mg和/或其混合物为例)，透明(或半透明)导电层包括例如ito、izo、zno或in2o3。在对电极330包括反射电极的示例中，对电极330可以包括包含li、ca、lif/ca、lif/al、al、ag、mg和其混合物中的至少一种的层。对电极330的构造和材料不限于此，并
且可以根据需要或期望进行各种修改。
59.为了使显示装置10显示图像，预先设定的电信号(例如，预设或预限定的电信号)可以施加到对电极330。例如，电压线420可以布置在第一非显示区域pa1处(例如，在第一非显示区域pa1中或在第一非显示区域pa1上)，并且可以将预先设定的电信号传输到对电极330。电压线420可以包括共电力电压线。
60.电压线420可以包括与各种导电层的材料相同或基本上相同的材料，并且在形成各种导电层的同时并发地(例如，同时地)形成。在图2中示出的是，类似于显示区域da内部的薄膜晶体管210的布置在第二无机绝缘层130上的源电极215和漏电极217，电压线420可以在第一非显示区域pa1处(例如，在第一非显示区域pa1中或在第一非显示区域pa1上)布置在第二无机绝缘层130上。在该示例中，在第二无机绝缘层130上形成显示区域da内部的薄膜晶体管210的源电极215和漏电极217的同时，可以通过使用与源电极215和漏电极217的材料相同或基本上相同的材料在第一非显示区域pa1处(例如，在第一非显示区域pa1中或在第一非显示区域pa1上)在第二无机绝缘层130上形成电压线420。因此，电压线420可以具有与源电极215和漏电极217的结构相同或基本上相同的结构。然而，本公开不限于此。例如，在形成栅电极213的同时，可以通过使用与栅电极213的材料相同或基本上相同的材料在第一无机绝缘层120上并发地(例如，同时地)形成电压线420。然而，本公开不限于此，可以根据需要或期望进行各种合适的修改。
61.在一些实施例中，对电极330可以直接接触电压线420，或者如图2中所示，对电极330可以通过保护导电层421电连接到电压线420。保护导电层421可以布置在平坦化层140上，并且可以在电压线420上延伸并电连接到电压线420。因此，对电极330可以在第一非显示区域pa1处(例如，在第一非显示区域pa1中或在第一非显示区域pa1上)接触保护导电层421，并且保护导电层421可以在第一非显示区域pa1处(例如，在第一非显示区域pa1中或在第一非显示区域pa1上)接触电压线420。
62.因为保护导电层421可以如图2中所示布置在平坦化层140上，所以保护导电层421可以通过使用与布置在显示区域da内部的平坦化层140上的元件的材料相同或基本上相同的材料与所述元件并发地(例如，同时地)形成。例如，在显示区域da内部在平坦化层140上形成像素电极310的同时，可以通过使用与像素电极310的材料相同或基本上相同的材料在第一非显示区域pa1处(例如，在第一非显示区域pa1中或在第一非显示区域pa1上)在平坦化层140上形成保护导电层421。因此，保护导电层421可以具有与像素电极310的结构相同或基本上相同的结构。如图2中所示，保护导电层421可以覆盖电压线420的因未被平坦化层140覆盖而暴露的部分。利用这种构造，可以防止或基本上防止电压线420的暴露于平坦化层140的外侧的部分在形成第一限制坝(例如，第一突起或第一限制屏障)610或第二限制坝(例如，第二突起或第二限制屏障)620的工艺期间被损坏。
63.为了防止或基本上防止诸如外部氧和/或湿气等的杂质通过平坦化层140渗透到显示区域da中，如图2中所示，平坦化层140可以包括在第一非显示区域pa1中的开口140b。开口140b可以围绕显示区域da(例如，在显示区域da的外围周围)。另外，在形成保护导电层421的同时，保护导电层421可以填充开口140b。利用这种构造，可以有效地防止在第一非显示区域pa1处(例如，在第一非显示区域pa1中或在第一非显示区域pa1上)渗透到平坦化层140中的杂质渗透到显示区域da内部的平坦化层140中。
64.盖层160可以布置在对电极330上。盖层160可以提高从有机发光二极管300产生的光的效率。盖层160覆盖对电极330，并且可以在对电极330外侧延伸(例如，可以延伸超过对电极330)以接触布置在对电极330下面的保护导电层421。因为对电极330覆盖显示区域da并在显示区域da外侧延伸，所以盖层160也覆盖显示区域da并延伸到在显示区域da外侧的第一非显示区域pa1。盖层160可以包括有机材料。
65.如上所述，盖层160提高了从有机发光二极管300产生的光的效率。例如，盖层160可以向外部提高光提取效率。在一些实施例中，可以在显示区域da中均匀地进行因盖层160引起的效率提高。在该示例中，考虑到期望的光效率提高，盖层160可以具有与其下面的层的顶表面的弯曲(例如，台阶)对应的顶表面。换言之，如图2中所示，盖层160的顶表面可以在盖层160的布置在对电极330上的部分处(例如，在盖层160的布置在对电极330上的部分中)具有与对电极330的顶表面的弯曲(例如，台阶)对应的形状。
66.封装层500布置在盖层160上。封装层500保护有机发光二极管300免受外部湿气和/或氧等的影响。为此目的，封装层500具有覆盖其中布置有有机发光二极管300的显示区域da并且延伸到在显示区域da外侧的第一非显示区域pa1的形状。封装层500可以具有多层结构。例如，如图2中所示，封装层500可以包括第一无机封装层510、有机封装层520和第二无机封装层530。
67.第一无机封装层510覆盖盖层160，并且可以包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。
68.因为第一无机封装层510沿着其下面的结构形成，所以第一无机封装层510的顶表面可以如图2中所示是不平坦的。有机封装层520覆盖第一无机封装层510并且具有足够的厚度，因此，有机封装层520的顶表面可以遍及整个显示区域da是平坦的或基本上平坦的。有机封装层520可以包括例如聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐(酯)、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸树脂(例如聚甲基丙烯酸甲酯和/或聚丙烯酸等)或其合适的组合。
69.第二无机封装层530可以覆盖有机封装层520，并且可以包括例如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅等。第二无机封装层530可以通过在有机封装层520外侧延伸(例如，延伸超过有机封装层520)并且接触第一无机封装层510来防止或基本上防止有机封装层520暴露于外部。例如，第二无机封装层530可以在第一非显示区域pa1处(例如，在第一非显示区域pa1中或在第一非显示区域pa1上)接触第一无机封装层510。
70.因为封装层500包括第一无机封装层510、有机封装层520和第二无机封装层530，所以即使当在封装层500内部发生裂纹时，通过上述多层结构，裂纹也不会在第一无机封装层510与有机封装层520之间或在有机封装层520与第二无机封装层530之间连接(例如，不会在第一无机封装层510与有机封装层520之间或在有机封装层520与第二无机封装层530之间延伸)。利用这种构造，可以防止或减少外部湿气和/或氧通过其渗透到显示区域da中的路径的形成。
71.在形成封装层500的工艺期间，其下面的一个或更多个结构可能被损坏。例如，第一无机封装层510可以通过使用化学气相沉积来形成。在通过使用化学气相沉积形成第一无机封装层510的同时，在第一无机封装层510下面的层(例如，直接在第一无机封装层510下面的层)可能被损坏。因此，当第一无机封装层510直接形成在盖层160上时，被构造为提高从有机发光二极管300产生的光的效率的盖层160可能被损坏，并且显示装置10的光效率
可能降低或劣化。因此，为了防止或基本上防止盖层160在形成封装层500的工艺期间被损坏，可以在盖层160与封装层500之间布置保护层170。例如，保护层170可以包括lif。
72.如上所述，盖层160在显示区域da上延伸到在显示区域da外侧的第一非显示区域pa1。因此，保护层170可以在盖层160外侧延伸(例如，可以延伸超过盖层160)，使得盖层160不直接接触封装层500。在该示例中，保护层170覆盖盖层160的端部160a，并且保护层170的端部170a布置在平坦化层140上。例如，如图2中所示，保护层170的端部170a直接接触平坦化层140上的保护导电层421。
73.因为作为封装层500的最下层的第一无机封装层510不接触包括有机材料的盖层160而接触包括诸如lif的无机材料的保护层170，所以封装层500与其下面的层之间的粘合力可以保持或基本上保持为高。利用这种构造，可以有效地防止或减少在制造显示装置10的工艺期间或在制造其之后的使用期间封装层500与其下面的层剥离。
74.当形成封装层500时，例如，当形成有机封装层520时，期望可以限制用于形成有机封装层520的材料，使得用于形成有机封装层520的材料布置在预先设定的区域内(例如，在预设区域内)。为此目的，如图2中所示，第一限制坝610可以布置在第一非显示区域pa1处(例如，在第一非显示区域pa1中或在第一非显示区域pa1上)。例如，如图2中所示，第一无机绝缘层120、第二无机绝缘层130和平坦化层140可以设置在显示区域da处(例如，在显示区域da中或在显示区域da上)并且也设置在第一非显示区域pa1处(例如，在第一非显示区域pa1中或在第一非显示区域pa1上)。第一限制坝610布置在第一非显示区域pa1处(例如，在第一非显示区域pa1中或在第一非显示区域pa1上)，以与平坦化层140间隔开。
75.第一限制坝610可以具有多层结构。例如，第一限制坝610可以包括在远离基底100的方向(例如，z方向)上堆叠的第一层611和第二层613。可以通过使用与形成在显示区域da处(例如，在显示区域da中或在显示区域da上)的平坦化层140的材料相同或基本上相同的材料与平坦化层140并发地(例如，同时地)形成第一层611。可以通过使用与形成在显示区域da处(例如，在显示区域da中或在显示区域da上)的像素限定层150的材料相同或基本上相同的材料与像素限定层150并发地(例如，同时地)形成第二层613。
76.如图2中所示，除了第一限制坝610之外，第二限制坝620可以布置在第一限制坝610与平坦化层140的端部140a之间。第二限制坝620可以布置在电压线420上的保护导电层421的一部分上。第二限制坝620布置在第一非显示区域pa1处(例如，在第一非显示区域pa1中或在第一非显示区域pa1上)，以与平坦化层140间隔开。类似于第一限制坝610，第二限制坝620可以具有多层结构，但是本公开不限于此，并且如图2中所示，第二限制坝620可以具有单层结构。例如，第二限制坝620可以包括比第一限制坝610的层数少的层数，以具有比第一限制坝610的高度低的高度，所述高度是从基底100测量的。在图2中示出了第二限制坝620包括与第一限制坝610的第二层613的材料相同或基本上相同的材料，并且与第二层613并发地(例如，同时地)形成。
77.因为有机封装层520受到第二限制坝620的限制(例如，被第二限制坝620约束)，所以可以在形成有机封装层520的工艺期间防止或基本上减少用于形成有机封装层520的材料向第二限制坝620的外部的溢出。即使当用于形成有机封装层520的材料部分地溢出第二限制坝620时，材料的位置也被第一限制坝610限制(例如，被第一限制坝610约束)，并且不会在朝向基底100的边缘100a的方向(例如x方向)上流动(例如，可以不再朝向基底100的边
缘100a的方向上移动)。相反，如图2中所示，可以通过化学气相沉积形成的第一无机封装层510和第二无机封装层530可以覆盖第二限制坝620和第一限制坝610，并且可以延伸到第一限制坝610的外侧(例如，可以延伸超过第一限制坝610)。
78.如图2中所示，防裂部分630布置在第一非显示区域pa1处(例如，在第一非显示区域pa1中或在第一非显示区域pa1上)。防裂部分630可以沿着基底100的边缘100a的至少一部分延伸。例如，防裂部分630可以具有环绕显示区域da一次(例如，在显示区域da的外围周围延伸一次)的形状。防裂部分630可以具有在一些部分中不连续的形状。例如，在一些部分中，防裂部分630可以包括沿着显示区域da的外围彼此间隔开的部分。防裂部分630可以防止或基本上防止裂缝传递到显示区域da(例如，延伸到显示区域da或形成在显示区域da中)。裂纹可能在制造显示装置10的工艺期间在切割母基底的同时由脉冲和/或振动等在第一无机绝缘层120和第二无机绝缘层130中产生，或者在显示装置10的使用期间在第一无机绝缘层120和第二无机绝缘层130中产生。第一无机绝缘层120和第二无机绝缘层130可以均包括无机材料。
79.防裂部分630可以具有各种合适的形状。如图2中所示，防裂部分630可以通过使用与形成在显示区域da处(例如，在显示区域da中或在显示区域da上)的一些元件的材料相同或基本上相同的材料与这些元件并发地(例如，同时地)形成，并且可以具有多层结构。图2中示出了防裂部分630具有包括底层630'和在底层630'上的顶层630"的多层结构。例如，在图2中示出了防裂部分630包括底层630'和顶层630"，底层630'包括与第一无机绝缘层120的材料相同或基本上相同的材料，顶层630"包括与在第一无机绝缘层120上的第二无机绝缘层130的材料相同或基本上相同的材料。在缓冲层形成在基底100上的示例中，防裂部分630可以包括包含与缓冲层的材料相同或基本上相同的材料的层。另外，如图2中所示，在一些实施例中，防裂部分630可以包括彼此间隔开的多个防裂部分。
80.在一些实施例中，防裂部分630可以通过去除第一无机绝缘层120和第二无机绝缘层130的一部分来形成。换言之，如图2中所示，防裂部分630可以包括凹槽以及与凹槽邻近(例如，相邻)的第一无机绝缘层120和第二无机绝缘层130的剩余部分。凹槽可以通过去除第一无机绝缘层120和第二无机绝缘层130来在防裂部分630的至少一侧中形成。
81.如图2中所示，防裂部分630可以被覆盖层650覆盖。在显示区域da处(例如，在显示区域da中或在显示区域da上)形成平坦化层140的同时，可以通过使用与平坦化层140的材料相同或基本上相同的材料与平坦化层140并发地(例如，同时地)形成覆盖层650。换言之，覆盖层650可以包括包含有机材料的层，该层覆盖包括无机材料的防裂部分630。覆盖层650可以覆盖第一无机绝缘层120和/或第二无机绝缘层130的在沿着基底100的边缘100a的方向上的端部，并且还覆盖防裂部分630。
82.图3是图1的区域a的放大平面图，图4是图3的贯通部分h的示例的平面图，图5是沿着图4的线iii
‑
iii’截取的剖面的示例的剖视图，图6是图5的区域b的放大剖视图，图7是沿着图4的线iii
‑
iii’截取的剖面的另一示例的剖视图。
83.图3示出了贯通部分h和贯通部分h的周围区域。参照图3，多个有机发光二极管300在贯通部分h周围(例如，在贯通部分h的外围周围)布置在显示区域da处(例如，在显示区域da中或在显示区域da上)，多个有机发光二极管300电连接到对应的数据线dl。第二非显示区域pa2可以被限定为其中不显示图像的区域，并且位于贯通部分h与显示区域da之间。
84.数据线dl可以在第一方向上延伸并且电连接到数据驱动器1100。例如，数据驱动器1100可以作为面板上芯片(cop)型驱动器布置在第一非显示区域pa1(例如，见图1)处(例如，在第一非显示区域pa1中或在第一非显示区域pa1上)，或者可以布置在电连接到设置在第一非显示区域pa1(例如，见图1)处(例如，在第一非显示区域pa1中或在第一非显示区域pa1上)的端子的柔性电路板上。
85.由于布置在显示区域da中的贯通部分h，在第一方向上延伸的一些数据线dl在第一方向上不以直线形状形成。在该示例中，一些数据线dl可以在贯通部分h周围延伸(例如，可以在贯通部分h周围绕行)。在该示例中，在贯通部分h周围延伸(例如，在贯通部分h周围绕行)的一些数据线dl布置在围绕贯通部分h(例如，在贯通部分h的外围周围)的第二非显示区域pa2处(例如，在第二非显示区域pa2中或在第二非显示区域pa2上)。
86.扫描线可以在与数据线dl交叉的第二方向上延伸，并且一些扫描线可以在其中形成有贯通部分h的区域(例如，第二非显示区域pa2)处(例如，在其中形成有贯通部分h的区域(例如，第二非显示区域pa2)中或在其中形成有贯通部分h的区域(例如，第二非显示区域pa2)上)在贯通部分h周围延伸(例如，可以在贯通部分h周围绕行)。在另一示例中，显示装置10(例如，见图1)可以通过在显示区域da的两个相对侧上包括两个扫描驱动器而允许扫描线不在贯通部分h周围延伸(例如，不在贯通部分h周围绕行)。换言之，电连接到贯通部分h的左侧上的有机发光二极管300的扫描线和电连接到贯通部分h的右侧上的有机发光二极管300的扫描线可以分别连接到不同的扫描驱动器。
87.参照更详细地示出了贯通部分h的图4和图5，金属层m可以布置在竖直地穿过基底100的贯通部分h周围(例如，在贯通部分h的外围周围)，并且金属层m可以围绕贯通部分h(例如，在贯通部分h的外围周围)。金属层m可以包括例如铟、锌、镓、锆、铜和钛中的至少一种，并且可以具有与第二基体层103的厚度类似(例如，相同或基本上相同)的厚度。例如，金属层m可以具有约3μm至约20μm的厚度。
88.第一无机绝缘层120和第二无机绝缘层130可以延伸到第二非显示区域pa2的一部分，并且第一无机绝缘层120和第二无机绝缘层130的端部可以被平坦化层140覆盖。
89.内坝730可以布置在与平坦化层140间隔开的第二非显示区域pa2处(例如，在第二非显示区域pa2中或在第二非显示区域pa2上)的位置处。内坝730可以围绕贯通部分h(例如，在贯通部分h的外围周围)，并且可以包括例如底层732和顶层734。可以在形成平坦化层140时通过使用与平坦化层140的材料相同或基本上相同的材料并发地(例如，同时地)形成底层732，并且可以在形成像素限定层150时通过使用与像素限定层150的材料相同或基本上相同的材料并发地(例如，同时地)形成顶层734。内坝730可以执行与参照图2描述的第一限制坝610(例如，见图2)和第二限制坝620(例如，见图2)的功能相同或基本上相同的功能。因此，因为内坝730防止或基本上防止在形成有机封装层520的工艺期间用于形成有机封装层520的材料朝向贯通部分h流动，所以有机封装层520可以布置在由内坝730分割的区域外侧。第一无机封装层510和第二无机封装层530可以越过内坝730延伸到贯通部分h。
90.疏水阻挡层800可以布置在贯通部分h的内侧表面上。当通过激光照射切割基底100等以形成贯通部分h时，疏水阻挡层800可以在通过激光切割金属层m的同时一起形成。
91.当形成贯通部分h时，金属层m通过激光照射被部分地熔化，沿着贯通部分h的侧表面流动，并且再结晶，因此，从金属层m分散的金属颗粒被氧化并聚集，然后再沉积在贯通部
分h的侧表面上以形成疏水阻挡层800。因此，疏水阻挡层800与金属层m形成为一体(例如，形成为均匀连续的主体/层)，但是可以包括金属层m的金属材料的氧化物。
92.另外，其中聚集有金属颗粒的簇不规则地再沉积在贯通部分h的侧表面上。因此，疏水阻挡层800构成具有复杂形状的纳米结构，该纳米结构包括在其内部和表面处(例如，在其内部和表面中或在其内部和表面上)的孔(例如，谷)v。因为疏水阻挡层800在其内部中包括孔v，所以疏水阻挡层800可以具有疏水性。
93.疏水阻挡层800形成为具有比金属层m的厚度大的宽度。疏水阻挡层800在激光照射工艺期间通过使金属层m熔化和再结晶并且通过使分散的金属颗粒的簇再沉积而形成。例如，疏水阻挡层800在贯通部分h的长度方向上的宽度可以是金属层m的厚度的两倍或更多倍。因为金属层m的厚度可以与第二基体层103的厚度相同或基本上相同(例如，类似)，所以由金属层m形成的疏水阻挡层800可以至少覆盖第二基体层103的侧表面以及布置在金属层m上并且被贯通部分h暴露的中间层320、对电极330、盖层160和保护层170的侧表面。
94.因为湿气等可能难以通过第一基体层101引入到显示装置10(例如，见图1)中，所以疏水阻挡层800可以不完全覆盖第一基体层101。另外，如上所述，因为中间层320的至少一些功能层遍及多个有机发光二极管300形成为一体(例如，形成为均匀连续的主体/层)，所以形成在第二非显示区域pa2处(例如，在第二非显示区域pa2中或在第二非显示区域pa2上)的中间层320表示除了发射层之外的这些功能层。
95.如上所述，因为疏水阻挡层800形成在贯通部分h的侧表面上，并且覆盖被贯通部分h暴露的第二基体层103、中间层320、对电极330、盖层160和保护层170的侧表面，所以可以阻挡或基本上阻挡引入贯通部分h的湿气等通过这些层流入显示装置10(例如，见图1)。
96.在对比示例中，围绕贯通部分h并且彼此间隔开的多个凹槽形成在基底100的深度方向上，并且中间层320被凹槽断开并且不连续地形成。因此，防止或基本上减少了因贯通部分h引起的湿气传输。然而，为了提高湿气传输防止效果，应当形成许多(例如，大量)凹槽，因此，可能增加第二非显示区域pa2的面积。例如，在对比示例中，为了形成围绕贯通部分h的二十个凹槽，其中布置有凹槽的区域需要约300μm的长度。相反，当根据本公开的一个或更多个实施例的疏水阻挡层800形成在贯通部分h的侧表面上时，可以减小第二非显示区域pa2的面积，因此，可以相对延长(例如，可以扩大或增加)显示区域da(例如，见图1)。
97.另外，如图6中所示，在一些实施例中，表面活性剂层900可以进一步形成在贯通部分h的内表面上。表面活性剂层900可以通过在疏水阻挡层800上涂覆表面活性剂来形成。表面活性剂层900的表面活性剂可以包括例如硬脂酸、油酸和氟硅烷中的至少一种。表面活性剂可以涂覆在疏水阻挡层800的表面上，并且可以填充疏水阻挡层800内部的孔v。在该示例中，表面活性剂的具有亲水性的头部与包括金属氧化物的疏水阻挡层800结合，并且甚至可以通过表面活性剂的具有疏水性的尾部更多地增强疏水阻挡层800的疏水性。
98.尽管图6示出了其中金属层m布置在基底100上的示例，但是本公开不限于此，金属层m的位置可以进行各种修改。例如，如图7中所示，金属层m可以布置在封装层500的第二无机封装层530上。金属层m可以形成为具有与第二基体层103的厚度相同或基本上相同(或类似)的厚度。金属层m与第二基体层103之间的中间层320的厚度以及对电极330、盖层160、保护层170、第一无机封装层510和第二无机封装层530的厚度之和可以比第二基体层103的厚度小得多。因此，当金属层m布置在第二无机封装层530上时，因为疏水阻挡层800可以形成
在激光照射所沿的方向上，所以疏水阻挡层800可以形成为覆盖第二基体层103。对于另一示例，金属层m可以布置在诸如第一无机封装层510与第二无机封装层530之间的各种合适的位置处。
99.图8至图10是示出制造图1的显示装置10的工艺的剖视图，并且示出了沿着图1的线i
‑
i’截取的剖面和沿着图4的线iii
‑
iii’截取的剖面。
100.首先，参照图8，在基底100之上形成薄膜晶体管210和平坦化层140，平坦化层140覆盖薄膜晶体管210。例如，可以在显示区域da处(例如，在显示区域da中或在显示区域da上)布置薄膜晶体管210，并且平坦化层140可以延伸到第二非显示区域pa2的一部分。
101.薄膜晶体管210包括半导体层211、栅电极213、源电极215和漏电极217。在半导体层211与栅电极213之间形成包括无机材料的第一无机绝缘层120。另外，形成在栅电极213与源电极215之间以及栅电极213与漏电极217之间的第二无机绝缘层130包括无机材料。第一无机绝缘层120和第二无机绝缘层130可以遍及显示区域da和第一非显示区域pa1(例如，见图1)形成。在第二非显示区域pa2中，去除第一无机绝缘层120和第二无机绝缘层130的一部分，并且第一无机绝缘层120和第二无机绝缘层130的端部可以被平坦化层140覆盖。
102.随后，在平坦化层140中形成开口，开口使漏电极217暴露。在平坦化层140上形成像素电极310。可以通过在基底100之上形成用于形成像素电极310的金属材料，然后使金属材料图案化来形成像素电极310。像素电极310可以通过开口接触漏电极217。
103.当形成平坦化层140时，可以在第二非显示区域pa2处(例如，在第二非显示区域pa2中或在第二非显示区域pa2上)并发地(例如，同时地)形成底层732。底层732可以具有闭合弯曲形状。
104.另外，在第二非显示区域pa2处(例如，在第二非显示区域pa2中或在第二非显示区域pa2上)形成金属层m。例如，可以在基底100之上在由底层732形成的区域处(例如，在由底层732形成的区域中或在由底层732形成的区域上)形成金属层m。然而，本公开不限于此。例如，在另一实施例中，在形成图7中所示的封装层500之后，可以在第二无机封装层530上形成金属层m。换言之，可以在各种合适的位置处形成金属层m。
105.金属层m可以包括铟、锌、镓、锆、铜和钛中的至少一种，并且可以具有约3μm至约20μm的厚度。
106.随后，如图9中所示，在像素电极310上形成像素限定层150。像素限定层150可以覆盖像素电极310的边缘，并且可以包括使像素电极310的中心部分暴露的开口。在形成像素限定层150的工艺期间，在底层732上并发地(例如，同时地)形成顶层734，因此，可以在第二非显示区域pa2处(例如，在第二非显示区域pa2中或在第二非显示区域pa2上)形成内坝730。
107.通过在像素电极310的通过像素限定层150的开口暴露的部分上堆叠中间层320和对电极330来形成有机发光二极管300。在该示例中，中间层320的至少一个功能层可以遍及显示区域da和第二非显示区域pa2形成为一体(例如，形成为均匀连续的主体/层)。另外，对电极330、在对电极330上的盖层160和保护层170也可以遍及显示区域da和第二非显示区域pa2形成为一体(例如，形成为均匀连续的主体/层)。
108.接下来，如图10中所示，顺序地形成第一无机封装层510、有机封装层520和第二无机封装层530，然后通过照射激光l在第二非显示区域pa2内部形成贯通部分h。在金属层m的
区域内部形成贯通部分h，并且贯通部分h具有比金属层m的尺寸(例如，宽度)小的尺寸(例如，宽度)。因此，在形成贯通部分h之后，金属层m布置在内坝730与贯通部分h之间。
109.第一无机封装层510和第二无机封装层530不仅形成在显示区域da处(例如，在显示区域da中或在显示区域da上)，而且形成在第二非显示区域pa2处(例如，在第二非显示区域pa2中或在第二非显示区域pa2上)。相反，其中形成有有机封装层520的区域被内坝730限制(例如，被内坝730约束)。因此，在第二非显示区域pa2处(例如，在第二非显示区域pa2中或在第二非显示区域pa2上)，第一无机封装层510可以在内坝730与贯通部分h之间直接接触第二无机封装层530。
110.因为贯通部分h竖直地穿过基底100以及堆叠在基底100上的金属层m、中间层320、对电极330、盖层160、保护层170、第一无机封装层510和第二无机封装层530，所以这些层的侧表面可以通过贯通部分h的内表面暴露。在它们之中，均包括有机材料的第二基体层103、中间层320和盖层160的暴露表面可能用作湿气等通过其渗透到显示装置10(例如，见图1)中的渗透路径。然而，通过激光l的照射而由金属层m形成的疏水阻挡层800形成在贯通部分h的内表面上，并且覆盖至少第二基体层103、中间层320、对电极330、盖层160和保护层170的侧表面。因此，疏水阻挡层800可以有效地阻挡或基本上阻挡湿气传输，并且可以减小第二非显示区域pa2的面积。
111.因为疏水阻挡层800通过经由激光l的照射而使金属层m部分熔化和再结晶并且使分散的金属颗粒的簇再沉积而形成，所以疏水阻挡层800与金属层m成一体，包括金属层m的金属材料的氧化物，并且具有在其中包括孔v(例如，见图6)的复杂形状的纳米结构。因此，疏水阻挡层800可以具有疏水性。另外，如上所述，因为表面活性剂层900(例如，见图6)可以进一步形成在疏水阻挡层800上，所以甚至可以更多地增强疏水阻挡层800的疏水性，并且疏水阻挡层800可以更有效地阻挡由于贯通部分h引起的湿气传输。
112.根据本公开的一个或更多个示例实施例，在显示装置中，因为疏水阻挡层形成在其中布置有诸如相机的单独构件的贯通部分的内表面上，所以可以减小非显示区域的尺寸或面积，并且可以阻挡或基本上减少由于贯通部分引起的湿气等的渗透。
113.尽管已经描述了一些示例实施例，但是本领域技术人员将容易领会的是，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，能够在示例实施例中进行各种修改。将理解的是，除非另有描述，否则每个实施例内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。因此，如对本领域普通技术人员将明显的是，除非另有具体说明，否则结合具体实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用或与结合其他实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，将理解的是，前述内容是各种示例实施例的说明，而将不被解释为限于这里公开的特定示例实施例，并且对所公开的示例实施例以及其他示例实施例的各种修改意图包括在如所附权利要求及它们的等同物中限定的本公开的精神和范围内。