一种显示面板及显示装置的制作方法

1.本发明涉及显示面板制造技术领域，具体涉及一种显示面板及显示装置。


背景技术：

2.有机发光二极管(organic light emitting display，oled)显示装置具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短以及高对比度和使用温度范围宽等诸多优点，而被业界公认为是最具有发展潜力的显示装置。
3.随着制备技术的不断发展及提高，高分辨率的oled以及高质量发光效果的显示装置逐渐发展起来。相应的，对应显示装置而言，其装置内的发光功能层的发光情况将直接影响到整个器件的发光性能。在现有技术中，量子点材料发光功能层较好的提高了显示装置的发光性能。量子点显示技术的色域可达到110％，因此，由量子点材料制备形成的发光膜层可以赋予显示器更宽广的色域，使得显示终端拥有更靓丽的色彩表现。但是，现有技术在制备形成量子点发光膜层时，其制备方法主要为光刻蚀法和喷墨打印法。但是，上述加工方法制备形成的量子点发光膜层的发光效率较低，稳定性较差以及加工时间较长等问题。进而影响了显示器件的发光性能以及质量，不利于显示装置综合性能的提高及改善。
4.综上所述，在制备形成显示装置内的量子点发光膜层时，现有的制备工艺中往往存在着制备形成的量子点发光膜层的发光效率低，量子点发光膜层的稳定性较差以及制备工艺较复杂加工时间较长等问题，不利于显示器件发光性能的进一步提高。


技术实现要素：

5.本发明实施例提供一种显示面板及显示装置，以有效的改善高分辨率显示面板内部像素之间容易出现搭接，进而造成显示面板内部出现偷亮的问题。
6.为解决上述技术问题，本发明实施例提供的技术方法如下：
7.本发明实施例的第一方面，提供了一种显示面板，包括
8.阵列基板；
9.平坦化层，所述平坦化层设置在所述阵列基板上；
10.电极层，所述电极层设置在所述平坦化层；
11.像素定义层，所述像素定义层设置在所述电极层上，所述像素定义层包括像素开口区域和设置在所述像素开口区域一侧的像素定义区域；以及，
12.发光功能层，所述发光功能层设置在所述像素定义层上并覆盖所述像素定义层；
13.其中，在所述开口区域内，所述平坦化层上设置有一隔断槽，所述电极层遮盖部分所述隔断槽并与所述隔断槽形成一容纳空间，且所述发光功能层和所述电极层在所述隔断槽上不连续。
14.根据本发明一实施例，所述像素开口区域包括第一像素开口区域和第二像素开口区域，所述第一像素开口区域、所述像素定义区域和所述第二像素开口区域依次设置，且所述隔断槽设置在所述第二像素开口区域内。
15.根据本发明一实施例，所述第一像素开口区域内包括第一开口，所述第二像素开口区域包括第二开口，且所述第二开口的开口深度大于所述第一开口的开口深度。
16.根据本发明一实施例，所述第一开口贯穿所述像素定义层，且所述第二开口贯穿所述像素定义层以及部分所述平坦化层。
17.根据本发明一实施例，所述电极层在所述隔断槽底部的投影面积大于等于所述隔断槽底部面积的一半。
18.根据本发明一实施例，所述隔断槽至少设置在相邻两像素单元之间。
19.根据本发明一实施例，所述显示面板还包括凸起，所述凸起设置在所述隔断槽内，且所述凸起与所述隔断槽两侧的膜层不接触。
20.根据本发明一实施例，所述凸起的上表面与所述发光功能层平齐。
21.根据本发明一实施例，所述显示面板还包括阳极，所述阳极对应设置在所述像素开口区域内，所述阳极通过过孔与所述阵列基板电连接，且所述阳极与所述电极层在同一制程中形成。
22.根据本发明实施例的第二方面，还提供一种显示装置，显示装置包括显示面板，显示面板为本发明实施例中提供的显示面板，其中，显示面板的平坦化层上设置有一隔断槽，所述显示面板的电极层遮盖部分所述隔断槽并与所述隔断槽形成一容纳空间，且所述显示面板的发光功能层和所述显示面板的电极层在所述隔断槽上不连续。
23.综上所述，本发明实施例的有益效果为：
24.本发明实施例提供一种显示面板及显示装置，为了提高显示面板的分辨率，同时防止出现相邻像素偷亮的问题，本发明实施例中，在设置显示面板的各膜层结构时，在像素开口区域内设置一开口，开口贯穿所述像素定义层。同时，在开口区域内，平坦化层上还设置有一隔断槽，且电极层遮盖部分隔断槽并与该隔断槽形成一容纳空间，且显示面板的发光功能层和电极层在所述隔断槽上不连续。通过设置的隔断槽使得电极层与发光层在该区域内断开，进而有效的防止相邻的两像素之间出现侧向电流的问题，进而有效的改善显示面板的发光性能。
附图说明
25.下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果更显而易见。
26.图1为现有技术中提供的显示面板的膜层结构示意图；
27.图2为本技术实施例提供的显示面板的膜层结构示意图；
28.图3为本技术实施例提供的显示面板的像素单元的平面示意图；
29.图4
‑
图5为本技术实施例提供的又一种像素单元与隔断槽排布的平面示意图；
30.图6为本技术实施例提供的制备方法对应的膜层示意图；
31.图7为本技术实施例提供的另一显示面板对应的膜层结构示意图；
32.图8为本技术实施例提供的再一显示面板对应的膜层结构示意图。
具体实施方式
33.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完
整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
34.在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。
35.随着显示面板分辨率的不断提高，人们对显示面板的制备工艺也提出了更高的要求。为了达到最佳的显示效果，不仅希望得到高分辨的面板，同时还希望显示面板在进行发光显示时，相邻的发光像素之间不会出现混色以及相邻像素之间出现偷亮的问题。
36.如图1所示，图1为现有技术中提供的显示面板的膜层结构示意图。显示面板包括衬底基板101、阳极102、像素定义层103以及发光层104。其中阳极102设置在衬底基板101上，阳极102与衬底基板内的薄膜晶体管对应电连接。同时，像素定义层103设置在衬底基板101上，并且像素定义层103覆盖该阳极102。在阳极102对应的位置上还设置有像素开口区域105，发光层104设置在像素定义层103上，并且覆盖像素开口区域105内设置的阳极102。
37.对于高分辨率显示面板而言，相邻的两个像素开口区域105之间的距离很近。由于距离很近，因此，在制备相邻的两个像素开口区域105内的发光层104时，蒸镀的发光材料之间的间隙也会较小，较小的间隙在制备过程中很容易造成发光材料出现搭接的问题。一旦出现搭接，搭接后的发光层与阳极便会形成侧向的电流，进而导致相邻的像素出现偷亮，并出现一定的色偏。
38.为了防止高分辨率显示面板因相邻的像素之间的间隙较小而出现的偷亮问题，本技术实施例提供一种显示面板及显示装置，以有效的解决显示面板内的发光层中出现侧向电流，进而导致显示面板色偏的问题。
39.如图2所示，图2为本技术实施例提供的显示面板的膜层结构示意图。显示面板包括阵列基板20、平坦化层21、电极层205、像素定义层206以及发光功能层207，以及设置在发光功能层207上的阴极208。
40.具体的，平坦化层21设置在阵列基板20上。电极层205设置在平坦化层21上，像素定义层206设置在平坦化层21上，并且像素定义层206覆盖在电极层205上，同时，发光功能层207设置在像素定义层206上。
41.进一步的，本技术实施例中提供的显示面板的像素定义层206包括像素开口区域23和像素定义区域24。其中，像素定义区域24设置在像素开口区域23的一侧。在后续制备过程中，在像素开口区域23对应的位置上设置相应的色阻，进而实现不同颜色的显示效果。
42.本技术实施例中，在设置平坦化层21时，平坦化层21可包括第一平坦化层211和第二平坦化层212。其中，第二平坦化层212设置在第一平坦化层211上。为了提高平坦化层21的效果，第一平坦化层211由无机材料制备形成，即第一平坦化层211为无机平坦化层，第二平坦化层212可由有机材料制备而形成，即第二平坦化层212为有机平坦化层。通过设置有机与无机相叠加的膜层，以进一步的提高显示面板的平坦化层21的效果。除此之外，平坦化
层21还可设置为多层相叠加的结构，这里不再详细赘述。
43.进一步的，本技术实施例中的显示面板的像素开口区域23内还设置有开口，通过在对应的膜层上进行蚀刻，以形成开口。具体的，本技术实施例中的像素开口区域23可包括第一像素开口区域231和第二像素开口区域232为例进行说明。通过在第一像素开口区域231和第二像素开口区域232内进行蚀刻，以形成不同的开口。
44.本技术实施例中，不同的像素开口区域23内对应的开口可不同。具体的，在第一像素开口区域231内，设置有第一开口2311，在第二像素开口区域232内，设置有第二开口2312。其中，第一开口2311贯穿像素定义层206，而不再蚀刻到其他膜层上。第二开口2312不仅贯穿像素定义层206，同时，第二开口2312还蚀刻部分平坦化层21。本技术实施例中，第二开口2312贯穿像素定义层206和第二平坦化层212以及蚀刻掉部分第一平坦化层211。
45.从而，在不同的像素开口区域内形成的开口的深度不同。本技术实施例中，第二像素开口区域232内的第二开口2312的深度大于第一像素开口区域231内的第一开口2311的深度。
46.在本技术实施例中，在第二开口2312内，还设置有一隔断槽25。其中，隔断槽25设置在第一平坦化层211上。在设置本技术实施例中的隔断槽25时，隔断槽25的顶部对应的槽体宽度小于第二开口2312的底部对应开口的宽度。这样，隔断槽25可与第二开口2312形成一阶梯状结构，并且在隔断槽25与第二开口2312之间形成一过渡台阶251。过渡台阶251以便对后续制备的其他膜层进行支撑，从而保证显示面板的可靠性。
47.在该隔断槽25对应的区域内，电极层205铺设在该过渡台阶251上，并延伸至隔断槽25的中间区域处，以遮盖部分该隔断槽25，从而使得电极层205在隔断槽25上形成一突出部分。同时，由于隔断槽25设置在第一平坦化层211上，因此，隔断槽25对应的第一平坦化层211以及突出的部分电极层205形成一容纳空间。
48.具体的，本技术实施例中，电极层205的突出部分至少延伸至隔断槽25的中心区域的一侧，即电极层205的突出部分在该隔断槽25底部的投影面积大于等于该隔断槽25底部面积的一半。这样，电极层205能对后续的膜层提供较好的支撑作用，从而有效的保证了显示面板的综合性能。
49.同时，在设置该隔断槽25时，该隔断槽25可与第二开口2312的底部对应的第一平坦化层211的两侧均形成一缓冲平台，从而可使得其他的膜层铺设在该缓冲平台上，保证膜层在不同区域内的连续性。
50.如图3所示，图3为本技术实施例提供的显示面板的像素单元的平面示意图。在显示面板的阵列基板上设置有多个像素单元，其中各个像素单元对应的设置在像素定义层的像素开口区域内。
51.本技术实施例中的像素单元内包括多个发光子像素，每一个像素单元可包括如红色子像素300、蓝色子像素301以及绿色子像素302。在设置红色子像素300、蓝色子像素301以及绿色子像素302时，各个子像素可相对显示面板的长或宽阵列设置，最终在阵列基板上形成整个面板的发光区域。
52.进一步的，本技术实施例中，为了提高显示面板的发光效果以及显示面板的发光性能，在设置不同颜色的子像素时，蓝色子像素301的像素面积大于红色子像素300的像素面积，并且红色子像素300的像素面积大于绿色子像素的像素面积。
53.本技术实施例中，为了防止相邻的两发光子像素出现混色，还在像素开口区域内设置有隔断槽25。具体的，隔断槽25至少设置在相邻的两子像素之间对应的开口区域内。由于在相邻的两子像素之间设置有隔断槽25，而设置在该隔断槽25上的电极层和发光层不连续，从而有效的避免了相邻的两发光单元之间因为侧向电流而导致子像素偷亮的问题。
54.进一步的，如图4
‑
图5所示，图4
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图5为本技术实施例提供的又一种像素单元与隔断槽排布的平面示意图。同时结合图3中的示意图，对于高分辨率显示面板而言，在设置该隔断槽25时，隔断槽25还可只设置在部分像素单元内的相邻两子像素之间，或者将该隔断槽25设置在两个不同的像素单元之间，从而在一定程度上避免显示面板的不同像素之间出现混色的问题。
55.同时，在设置该隔断槽25时，隔断槽25还可连续的设置在阵列基板上。具体的，如图5所示，隔断槽25连续的设置在不同的像素单元对应的开口区域内，具体的，将隔断槽25连续地设置在三个不同的像素单元之间，从而有效的保证相邻的两子像素之间不会出现搭接的问题，进而避免显示面板出现侧向电路而发生偷亮。本技术实施例中的隔断槽25的排布位置仅为示例，对于不同的显示产品，可在不同的开口区域内设置s不同类型或者大小的隔断槽25，这里不再详细赘述。
56.进一步的，本技术实施例中的显示面板还可包括凸起28。在设置该凸起28时，凸起28设置在隔断槽25内，且凸起28与隔断槽25四周的膜层或者侧壁不接触，且可使得凸起28的上表面与发光功能层207相平齐。本技术实施例中，凸起28可为绝缘材料制备形成，通过在隔断槽25内设置凸起28，从而对隔断槽25上方区域内设置的膜层进行支撑，以进一步的提高显示面板的可靠性。
57.本发明实施例中的阵列基板20具体的包括：衬底200、缓冲层201、无机绝缘层202、第一栅极绝缘层203、第二栅极绝缘层204。其中，缓冲层201设置在衬底200上，无机绝缘层202设置在缓冲层201上，第一栅极绝缘层203设置在无机绝缘层202上，第二栅极绝缘层204设置在第一栅极绝缘层203上，并且第一平坦化层211设置在第二栅极绝缘层204上。
58.同时，在阵列基板20内，还设置有薄膜晶体管27。薄膜晶体管包括有源层271、源极270、漏极273以及栅极272。上述各电极对应的设置在不同的膜层之间，如图1中所示。本技术实施例中，可设置为两个栅极，上述薄膜晶体管27的具体结构这里不再进行详细赘述。
59.进一步的，在本技术实施例中提供的显示面板中，阳极242通过对应的过孔与薄膜晶体管27的漏极273对应电连接，同时，本技术中的阳极242与电极层205为同一制备蚀刻工艺中制备形成。
60.优选的，本技术实施例还提供一种显示面板的制备方法。如图6所示，图6为本技术实施例提供的制备方法对应的膜层示意图。
61.提供一衬底200，并依次在该衬底200上制备形成本技术实施例中的阵列基板20。具体的，在阵列基板20内设置有薄膜晶体管27以及各层间结构。具体的结构如上所介绍，这里不再详细赘述。阵列基板20设置完成后，在该阵列基板20上制备第一平坦化层211，其中，第一平坦化层211为无机平坦化层。第一平坦化层211设置完成后，再在第一平坦化层211上设置第二平坦化层212.本技术实施例中，第二平坦化层212为有机平坦化层。
62.第二平坦化层212设置完成后，在对应的位置上进行蚀刻以形成第一像素开口区域231和第二像素开口区域232以及像素定义区域24。本技术实施例中，第一像素开口区域
231对应着像素发光区域，第二像素开口232区域对应着非发光区域。
63.同时，在对应的膜层上蚀刻形成过孔。蚀刻完成后，在第二平坦化层212上设置电极层205。本技术实施例中，一部分电极层205通过过孔与薄膜晶体管27的漏极电连接，并且该部分的电极层205形成部分裸露在第一像素开口231区域内对应的阳极242。另一部分电极层205至少部分裸露第二开口区域232内，并与第一平坦化层211相接触，并且，另一部电极层205的一端延伸至第二平坦化层212上。以便后续在第二开口区域232内蚀刻形成支撑结构。
64.上述各膜层制备完成后，如图7所示，图7为本技术实施例提供的另一显示面板对应的膜层结构示意图。电极层205设置完成并在相应的位置蚀刻完成后，沉积并蚀刻形成像素定义层206。同时在对应的位置上形成对应的开口。
65.具体的，在第二像素开口区域232内对应的第二开口2312位置处，利用干刻工艺对第一平坦化层212进行侧向蚀刻，在进行侧向蚀刻时，在电极层205的保护下，使蚀刻的第一平坦化层211以及电极层205之间形成以隔断槽25。其中，至少部分电极层205的一侧边缘延伸至隔断槽25内。优选的，隔断槽25的一端向隔断槽25的中心区域延伸，并延伸至中心区域的另一侧，从而增大电极层205对隔断槽25开口的遮盖面积，进而为后续膜层提供足够的支撑作用。
66.对第一平坦化层211侧向蚀刻完成后，清除蚀刻过程中残留的各种材料。如图8所示，图8为本技术实施例提供的再一显示面板对应的膜层结构示意图。在图7的制备基础上，再在像素定义层206上制备发光功能层207。
67.本技术实施例中，发光功能层207具有较好的导电性能，同时，可在不同的开口区域内设置不同颜色的发光功能层，如红色像素发光功能层等结构。具体的，通过蒸镀工艺直接在像素定义层206以及其他显示面板的发光侧的膜层上蒸镀该发光功能层207，如在开口区域内对应的膜层上蒸镀对应的发光功能层207等，发光功能层207制备完成后，再在发光功能层207上蒸镀形成阴极208。
68.本技术实施例中，由于在隔断槽25对应的区域处，电极层205不连续，因此，在进行蒸镀形成发光功能层207时，发光功能层207在隔断槽25对应的位置处也断开不连续。
69.这样，在隔断槽25两侧的发光功能层207不会导通，即相邻的两个子像素之间在横向上就无法导电，进而无法形成产生侧向的流通电流。因此，本技术实施例中通过在相应的位置上设置隔断槽，该隔断槽类似于一种“帽檐”结构，并且使发光功能层207、电极层205以及阴极208在隔断槽上方对应的区域内不连续，从而有效的防止了显示面板出现透亮的问题。
70.进一步的，本技术实施例还提供一种显示装置，该显示装置包括本技术实施例提供的显示面板，其中，显示面板内部的膜层中设置有隔断槽结构，该隔断槽的结构以及设置方式如上述描述。该显示装置可被广泛的应用于各种显示设备中，并且显示装置具有较好的性能，当显示面板在正常发光时，相邻的像素之间不会出现偷亮的问题。
71.以上对本发明实施例所提供的一种显示面板及显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些
修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。