一种晶圆级封装结构的制作方法

技术特征：
1.一种晶圆级封装结构，其特征在于，包括：基片(1)，所述基片(1)的上表面设有焊盘(11)及功能件(12)；第一有机膜层(2)，所述第一有机膜层(2)设于所述基片(1)上；所述第一有机膜层(2)具有第一通槽，所述焊盘(11)及所述功能件(12)位于所述第一通槽内；第二有机膜层(3)，所述第二有机膜层(3)设于所述第一有机膜层(2)上；所述第二有机膜层(3)具有第二通槽，所述第二通槽与容纳所述焊盘(11)的所述第一通槽相连通，以使所述焊盘(11)能够裸露在外界；填充物(4)，所述填充物(4)用于填充所述焊盘(11)、所述第一通槽及所述第二通槽形成的凹槽；所述填充物(4)与所述焊盘(11)接触导电连接；第一金属种子层(5)，所述第一金属种子层(5)设于所述填充物(4)的上表面，并与所述填充物(4)接触导电连接；焊球(6)，所述焊球(6)设于所述第一金属种子层(5)上，并与所述第一金属种子层(5)接触导电连接；所述第一金属种子层(5)用于阻隔所述填充物(4)与所述焊球(6)之间产生化学反应。2.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构，其特征在于，所述填充物(4)的材质为铜；所述第一金属种子层(5)为镍层或钯层或金层。3.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构，其特征在于，所述晶圆级封装结构还包括第二金属种子层(7)，所述第二金属种子层(7)覆盖于所述凹槽的槽壁上。4.根据权利要求3所述的晶圆级封装结构，其特征在于，所述第二金属种子层(7)为钛层或铬层或铜层。5.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构，其特征在于，所述焊盘(11)包括i/o焊盘(111)及接地焊盘(112)；所述接地焊盘(112)部分延伸至所述第一有机膜层(2)和所述第二有机膜层(3)外；所述晶圆级封装结构还包括第三金属种子层(8)，所述第三金属种子层(8)覆盖于所述第二有机膜层(3)的表面，并至少与所述接地焊盘(112)位于所述第一有机膜层(2)和所述第二有机膜层(3)外的部分接触导电连接。6.根据权利要求5所述的晶圆级封装结构，其特征在于，所述第三金属种子层(8)还覆盖于所述焊盘(11)、所述第一通槽及所述第二通槽形成的凹槽的槽壁上；所述第二有机膜层(3)表面覆盖的所述第三金属种子层(8)与所述i/o焊盘(111)上方所述凹槽表面覆盖的所述第三金属种子层(8)隔离设置。7.根据权利要求5所述的晶圆级封装结构，其特征在于，所述第三金属种子层(8)上设有第三有机膜层(9)，所述第三有机膜层(9)具有第三通槽，所述第三通槽与所述第二通槽相连通，且所述第三通槽内也填充有所述填充物(4)。8.根据权利要求7所述的晶圆级封装结构，其特征在于，所述第一有机膜层(2)、所述第二有机膜层(3)以及所述第三有机膜层(9)均为可光敏有机膜。9.根据权利要求5～8任一项所述的晶圆级封装结构，其特征在于，所述第三金属种子层(8)为钛层或铬层或铜层。10.根据权利要求1～8任一项所述的晶圆级封装结构，其特征在于，所述焊球(6)为锡球。

技术总结
本发明涉及晶圆级封装技术领域，具体公开了一种晶圆级封装结构。该晶圆级封装结构包括基片、第一有机膜层、第二有机膜层、填充物、第一金属种子层和焊球，其中，基片表面设有焊盘和功能件，基片的表面从下到上依次设有第一有机膜层以及第二有机膜层，在焊盘表面由下到上依次接触导电连接有填充物、第一金属种子层以及焊球。该晶圆级封装结构能够避免焊盘与焊球直接接触后产生化合物并发生生长，进而防止裂缝的产生；焊球通过第一金属种子层以及填充物与焊盘导电连接，且导电性能良好，进而保障整个封装结构的性能；同时，将焊球设置在第一金属种子层上后，焊球的允许直径范围也不再受限，使产品能够使用量产的焊球，从而提高产品的经济效益。的经济效益。的经济效益。


技术研发人员：阚旭友
受保护的技术使用者：天通瑞宏科技有限公司
技术研发日：2021.07.19
技术公布日：2021/10/23