显示面板及显示面板制备方法与流程

1.本技术涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示面板及显示面板制备方法。


背景技术：

2.oled(organic light emitting diode，有机发光二极体)具有可弯折、自发光、色域广等优点，是目前显示行业中受到广泛关注的技术之一。
3.现有oled显示面板通常包括驱动基板、有机发光层以及封装层。有机发光层通常包括发光材料层和载流子层，载流子层为共通层，相邻子像素之间存在串扰，影响显示效果。


技术实现要素：

4.有鉴于此，本发明提供一种显示面板及显示面板制备方法，解决显示串扰问题。
5.本技术第一方面提供一种显示面板，包括层叠设置的阵列基板、像素限定层和载流子层，所述载流子层位于所述像素限定层背离所述阵列基板一侧，所述像素限定层包括多个像素开口和像素限定本体；
6.所述显示面板划分为像素开口区和围绕所述像素开口区的像素限定区，所述像素开口区包括所述多个像素开口，所述像素限定本体位于所述像素限定区；
7.所述像素开口包括相邻的第一像素开口和第二像素开口，所述像素限定本体包括至少位于所述第一像素开口和所述第二像素开口之间的第一本体和第二本体，所述第一本体和所述第二本体相连，所述第一本体围绕所述第一像素开口，所述第一本体包括热形变材料。
8.进一步的，所述第一像素开口为蓝色像素开口，所述第二像素开口为红色像素开口或绿色像素开口，所述第一像素本体围绕所述蓝色像素开口。
9.进一步的，所述第一本体包括第一基体和第一热形变部，所述第一热形变部位于所述第一基体靠近所述载流子层一侧，所述第一热形变部包括热形变材料。
10.进一步的，还包括发光材料层，所述第一基体上表面不低于所述发光材料层上表面。
11.进一步的，第一本体包括基材和掺杂在基材中的热形变粒子。
12.进一步的，所述第二本体包括热形变材料，所述第一本体与所述第二本体热形变特性相反。
13.进一步的，所述热形变材料为热膨胀材料或者热收缩材料。
14.进一步的，其特征在于，所述热形变材料为定向形变材料，所述热形变材料沿着垂直于所述阵列基板方向形变。
15.进一步的，还包括第三本体，所述第三本体由热稳定材料构成，所述第三本体位于所述第一本体和所述第一像素开口之间。
16.本技术另一方面还提供一种显示面板制备方法，包括：
17.在阵列基板上形成第一本体，所述第一本体限定出第一像素开口，所述第一本体包括热形变材料；
18.在所述阵列基板上形成第二本体，所述第二本体与所述第一本体相连，所述第二本体限定出第二像素开口；
19.形成载流子层；
20.控制温度到达预设温度，所述第一本体热形变以使得所述载流子层隔断。
21.本技术提供的及显示面板制备方法，由于在第一像素开口和第二像素开口之间设置了第一本体和第二本体，且第一本体围绕第一像素开口，第一本体包括热形变材料，从而第一本体能够在温度的作用下发生体积上的变化，导致设置在其上的载流子层在第一本体的拉扯下发生断裂，从而解决载流子层作为不同子像素的共通层导致子像素间的串扰问题。
附图说明
22.为了更清楚地说明本技术实施方式中的技术方案，下面将对实施方式描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：
23.图1为本技术一实施例中显示面板俯视结构示意图；
24.图2为对应图1所示b
‑
b方向剖视结构示意图；
25.图3为本技术再一实施方式中显示面板剖视结构示意图；
26.图4为对应图3所示实施方式中显示面板第一本体热形变后剖视示意图；
27.图5为本技术又一实施方式中显示面板剖视结构示意图；
28.图6为本技术另一实施方式中显示面板剖视结构示意图。
29.附图标记说明：
30.显示面板10；像素开口区pa；像素限定区npa；阵列基板100；像素限定层200；像素限定本体210；第一本体211；第二本体212；第三本体213；第一基体2111，第一热形变部2112，像素开口220；第一像素开口221；第一像素开口222；载流子层310；发光材料层320。
具体实施方式
31.下面将结合本技术实施方式中的附图，对本技术实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式仅仅是本技术一部分实施方式，而不是全部实施方式。基于本技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性的劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本技术保护的范围。
32.通常情况下，显示面板包括阵列基板、像素限定层和发光层。阵列基板包括驱动层和阳极，像素限定层包括像素限定本体和像素开口，像素开口可以包括红色子像素开口、绿色子像素开口、蓝色子像素开口，发光层包括载流子层和发光材料层。载流子层包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层等膜层中的一层或多层，载流子层具有辅助发光的作用。发光材料层至少部分形成在像素开口，相邻子像素的发光材料层相间隔。发光材料层通常采用精密掩膜板(fine metal mask，fmm)制备，相邻子像素的发材料光层间隔，载
流子层通常采用公共掩模板(common metal mask，cmm)整面制备，为共通层，覆盖不同颜色子像素。发明人研究发现共通层存在横向导通的情况，尤其是一些oled器件中空穴注入层会有p型材料掺杂，因而具有较高的导电性，其横向导通更为严重，从而造成oled像素点亮过程中的串扰，或者说形成了相邻像素在不该点亮的情况下点亮现象，影响显示效果。
33.针对上述问题，本技术提供一种显示面板，包括层叠设置的阵列基板、像素限定层和载流子层，载流子层位于像素限定层背离阵列基板一侧，像素限定层包括多个像素开口和像素限定本体；显示面板划分为像素开口区和围绕像素开口区的像素限定区，像素开口区包括多个像素开口，像素限定本体位于像素限定区；
34.像素开口包括相邻的第一像素开口和第二像素开口，像素限定本体包括至少位于第一像素开口和第二像素开口之间的第一本体和第二本体，第一本体和第二本体相连，第一本体围绕第一像素开口，第一本体包括热形变材料。
35.本技术由于在第一像素开口和第二像素开口之间设置了第一本体和第二本体，且第一本体围绕第一像素开口，第一本体包括热形变材料，也即第一本体具有热形变特性，能够在温度的作用下发生体积上的变化，比如能够在温度的作用下膨胀或者收缩，产生热形变。由于第一本体的热形变，导致设置在其上的载流子层在第一本体的拉扯下发生断裂，从而解决载流子层作为不同子像素的共通层导致子像素间的串扰问题。
36.以下结合附图，对本技术具体方式进行说明。
37.参见图1和图2，图1为本技术一实施例中显示面板俯视结构示意图，图2为对应图1所示b
‑
b方向剖视结构示意图。为了便于说明，图2所示为载流子层310断裂前的剖视结构示意图。显示面板10包括层叠设置的阵列基板100、像素限定层200和载流子层310，载流子层310位于像素限定层200背离阵列基板100一侧，像素限定层200包括多个像素开口220和像素限定本体210。显示面板10划分像素开口区pa和围绕像素开口区pa的像素限定区npa，像素开口区pa包括多个像素开口220，也即多个像素开口220限定出像素开口区pa的范围，像素限定本体210位于像素限定区npa。像素开口220包括相邻的第一像素开口221和第二像素开口222，像素限定本体210包括至少位于第一像素开口221和第二像素开口222之间的第一本体211和第二本体212，第一本体211和第二本体212相连，第一本体211围绕所述第一像素开口221，第一本体211包括热形变材料。像素限定本体210包括至少位于第一像素开口221和第二像素开口222之间的第一本体211和第二本体212，也就是说第一本体211和第二本体212包括位于第一像素开口221和第二像素开口222之间的部分，从而能够实现不同像素开口间载流子层的隔断，提高阻止串扰的效果。可以理解，第一本体211和第二本体212可以具有不同的热形变特性，或者说在第一本体211热形变的条件下与第而本体212具有不同热形变特性，从而既能够保证围绕第一像素开口221的载流子层310在第一本体211热形变的作用下发生断裂，同时能够因第一本体211和第二本体212热形变特性的差异性提高断裂效果，解决共通的载流子层310带来的串扰问题。
38.第一像素开口221可以为蓝色像素开口，第二像素开口222为红色像素开口或绿色像素开口，第一本体211围绕蓝色像素开口。由于受到材料的影响，蓝色子像素容易造成相邻像素间的串扰问题，因此，将第一本体211设置为围绕蓝色像素开口，能够高效解决不同颜色子像素之间的串扰问题，而且由于红色子像素或者绿色子像素造成对其他颜色子像素影响微弱，因此可以无需再继续对红色子像素或绿色子像素之间的载流子层310做同样的
隔断设计，能够降低工艺难度。
39.同样的，第一像素开口221可以为红色像素开口或者绿色像素开口，此时将围绕其周围的共通层隔断，同样能够解决串扰的问题。通过将围绕第一像素开口221的第一本体211设置为包括热形变材料，其余像素限定区可以均为第二本体212，仅需使得部分区域的像素限定本体发生热形变就能解决显示面板10整体存在的串扰问题，降低的热形变对于像素开口的影响，降低制备难度且能够提高显示面板制备良率。
40.此外，相较于绿色子像素，红色子像素更容易受到串扰影响，因此可以至少在红色像素开口和蓝色像素开口之间设置相邻排布的第一本体211和第二本体212。
41.参见图3和图4，图3为本技术再一实施方式中显示面板剖视结构示意图，图3所示为第一本体热形变前剖视结构示意图。图4为对应图3所示实施方式中显示面板第一本体热形变后剖视结构示意图。本实施方式中，第一本体211包括第一基体2111和第一热形变部2112，第一热形变部2112位于第一基体2111靠近载流子层310的一侧，第一热形变部2112包括热形变材料。也就说，第一本体211在更靠近载流子层310的区域设置包括热形变材料的结构，从而既能够满足隔断载流子层310的需求，又能够缩小热形变范围，提高热形变效率。
42.显示面板10还包括发光材料层320，一实施方式中，第一基体2111上表面不低于发光材料层320上表面。继续参见图3和图4，或者说，发光材料层320位于第一热形变部2112靠近阵列基板100一侧。本技术中，载流子层310包括空穴注入层，由于引起串扰问题的主要共通层为空穴注入层，因此，可以在形成空穴注入层之后即给与能够使得热形变材料发生热形变的温度条件，隔断空穴注入层，也可以在形成全部的载流子层310、发光材料层320之后进行。本实施例通过将第一本体211设置为第一基体2111上表面不低于发光材料层320上表面，具体的，第一基体2111上表面高于发光材料层320上表面或者与发光材料层320上表面齐平，从而可以减小第一热形变部2112对发光材料层320的影响，提高工艺灵活性。此外，空穴注入层与第一本体211直接接触，进一步提高隔断效果。第一基体2111具有相对的上表面和下表面，本技术所指上表面是第一基体2111背离阵列基板100一侧表面。发光材料层320至少位于像素开口区pa内，相邻像素开口之间发光材料层320间隔设置，从而避免混色，同时也可以在像素开口相邻的像素限定区npa形成部分发光材料层320，降低制备难度。
43.本技术中，热形变材料可以是热膨胀材料或者热收缩材料，不论是热形变材料还是热收缩材料均能达到在温度作用下发生形态变化，工艺简单，并且包括热形变材料的第一本体211能在热形变下带动其上的载流子层310断裂，解决串扰问题。
44.第一本体211包括热形变材料，具体的，第一本体211可以由热形变材料构成。也可以是包括基材和掺杂在基材中的热形变粒子，热形变粒子为热形变材料，从而减小形变材料的占比，减小热形变对于像素开口的影响。
45.当第二本体212采用热稳定性材料时，基材材料可以与第二本体212材料相同，具体可以采用现有设计中的像素限定层的材料。同样的，当第一本体211包括第一基体2111和第一热形变部2112时，第一基体2111、第二本体212材料可以相同。若第一热形变部2112包括基材和掺杂在基材中的热形变粒子，第一热形变部2112的基材材料、第一基体2111及第二本体212材料可以相同，从而减小制备难度。
46.当第一本体211包括基材和掺杂在基材中的热形变粒子时，可以选择热形变粒子的热形变系数是基材材料热形变系数的1.2
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1.5倍，满足热形变需求的同时效为避免热形
变系数差异过大造成影响像素开口的大小，造成像素变形。
47.优选热形变材料发生热形变的温度范围不高于100℃。热形变材料可以选择热形变系数不大于10％的材料，也就是说，热形变材料的热膨胀率或者热收缩率不大于10％，本技术所指热膨胀率可以定义为b1/a1，其中b1指热膨胀后体积与热膨胀前体积差值，a1指的是热膨胀前体积，相应的，热收缩率可以定义为b2/a2，b2指热收缩前体积与热收缩后体积差值，a2指的是热收缩前体积，从而既能够保证隔断效果，又能够减少热形变过程中对像素开口的影响。
48.当第一本体211包括基材和掺杂在基材中的热形变粒子时，热形变粒子可以为条状结构，例如为棱柱，掺杂时长边延伸方向垂直于阵列基板100，从而能够将热形变更多的限定在垂直于阵列基板100的方向，从而改善膨胀方向对对像素开口区pa的影响。优选地，形变粒子尺寸不大于0.1微米。
49.热形变材料可以是单程形变材料，也就是说当加热后材料膨胀或收缩，即使温度再回到初始温度，第一本体也不会回到初始态。热形变材料也可以是可恢复材料，也就是说材料具有在温度作用下形变的特征，当温度恢复到初始温度时，第一本体恢复到初始态。
50.具体的，继续参照图2，以热形变材料为热膨胀材料为例，第一本体211受热膨胀使得载流子层310断裂，在热膨胀时，第一本体211形态大于初始形态，至少第一本体211在垂直于阵列基板100方向尺寸变大，则，当热膨胀材料为单程形变材料时，第二本体212可以选择热稳定性材料，在制备第一本体211时，可以使得第一本体211上表面相较于第二本体212上表面靠近阵列基板100，则在加热条件下，第一本体211膨胀，并且控制终态下，第一本体211远上表面相较于像素限定本体上表面齐平或者基本起平，由于单程形变材料时不会回到初始态，因此，既能够利用第一本体211的热膨胀实现载流子层310的隔断，也能在隔断后保持相对平整的表面，便于后续膜层的制备。并且，由于形成载流子层之前，第一本体和第二本体之间存在断差，更增加了形成连续膜层的难度，在热形变的辅助下，有利于载流子层的断裂，此外，第一本体211和第二本体212相对的表面垂直于阵列基板，更进一步在断差的作用下提高形成连续膜层的难度，便于后续膜层的断裂。
51.相应的，针对可恢复材料，以热膨胀为例，热形变前，第一本体211上表面相较于像素限定本体上表面齐平，加热时第一本体211膨胀，载流子层310隔断，温度回到初始态时第一本体211恢复到初始态，从而保持相对平坦的表面。
52.对应于热收缩材料，当热收缩材料为单程形变材料时，则在加热前第一本体211上表面凸出于第二本体212上表面，当热收缩材料为可恢复材料时，第一本体211上表面相较于第二本体212上表面齐平。
53.一实施方式中，热形变材料为定向形变材料，热形变材料沿着垂直于阵列基板100方向形变，从而在保证载流子层310断裂的同时不挤压像素开口。
54.一实施方式中，第二本体212包括热形变材料，第一本体211与第二本体212热形变特性相反。具体的，第一本体211可以包括具有热膨胀特性的材料、则相应的第二本体212包括具有热收缩特性的材料，反之，第一本体211包括具有热收缩特性的材料、则相应的第二本体212包括具有热膨胀特性的材料，更进一步，可以采用在相同的温度区间内具有相反热形变特性的材料，从而在同一温度条件下，第一本体211和第二本体212发生相反的热形变，故而可以进一步增强共通层的断裂。
55.当然，第二本体212包括热形变材料时，可以是第二本体212整体包括热形变材料，也可以同样将第二本体212设置为包括第二基体和第二热形变部，第二热形变部位于第二基体背离阵列基板100的一侧。此外，第二基体和第一基体2111可以选择相同的材料。第二基体可以是由热形变材料构成，也可以包括基材和掺杂在基材中的热形变粒子，同样的，基材可以与第二基体材料相同。具体材料选择在此不再赘述。
56.在上述实施方式中，第一本体211围绕第一像素开口221，第一本体211侧面可以与载流子层310直接接触，此处第一本体211侧面指靠近第一像素开口221的表面。或者说第一本体211限定出第一像素开口221。
57.参见图5，图5为本技术又一实施方式中显示面板剖视结构示意图，图5所示依然以热形变前共通层未断裂进行图示说明，本实施方式中，显示面板10还包括第三本体213，第三本体213由热稳定材料构成，第三本体213位于第一本体211和第一像素开口221之间。或者说，在本实施方式中，利用第三本体213将具有热形变特性的第一本体211与第一像素开口221，减少对像素开口的影响，在本实施方式中，可以认为是由第三本体213最终限定出了第一像素开口221的范围，第三本体213可以围绕第三像素开口的全部范围，也可以是部分范围，只要能够将第一本体211与第一像素开口221隔开即可。
58.本技术中，像素限定层200还可以包括像素限定基底，或者说，可以先形成与现有设计中相同的像素限定层，在阵列基板100表面形成像素限定基底，而后在其上形成第一本体211，第一本体211包括热形变材料。
59.当然，也可以直接在阵列基板100的表面形成第一本体211和第二本体212，第一本体211、第二本体212可以包括热形变材料，具备热形变特性，在此种实施方式中，当第一本体211或者第二本体212需要具备热形变特性时，也可以将其设置为层叠的基体和热形变部结构，基体位于热形变部靠近阵列基板100一侧，也可以根据需要进一步调整热性变体与发光材料层320或者共通层在垂直于阵列基板100方向的相对位置，从而在不增加现有显示面板10厚度的基础使得共通层断裂，降低对像素开口的影响。
60.参见图6，图6为本技术另一实施方式中显示面板剖视结构示意图。沿着阵列基板100靠近像素限定层200方向，第一本体211在阵列基板100上投影面积可以呈增大趋势，如逐渐增大。具体可以通过与第一本体211相连的第二本体212靠近第一本体211的表面沿着阵列基板100靠近像素限定层200方向逐渐远离第一像素开口221形成，从而在保证第一本体211与载流子层310具有足够的接触面积的情况下减小第一本体211的设置范围。而且通常像素开口为沿着阵列基板100靠近像素限定层200方向逐渐增大的开口，因此，沿着垂直于阵列基板100方向的剖面，第一本体211形状可以为类倒梯形形状。当然，可也有为直角梯形，如图2
‑
4所示。
61.此外，第一本体211可以包括第一子本体和第二子本体，第一子本体围绕第一像素开口221，更进一步可以由第一子本体限定出第一像素开口221，第二子本体围绕第一子本体，第一子本体与第二子本体之间间隔有增强体，增强体由热稳定材料构成，或者选择与第一子本体热形变特性相反的材料，增强部材料可以与第二本体212材料相同。通过设置第一子本体、第二子本体、增强部，从而在第一像素开口221和第二像素开口222之间形成间隔排布的热形变特性不同的多个区域，提高隔断效果。
62.本技术第二方面提供的一种显示面板制备方法。显示面板制备方法包括在阵列基
板100上形成第一本体211，第一本体211限定出第一像素开口221，第一本体211包括热形变材料；在阵列基板100上形成第二本体212，第二本体212与第一本体211相连，第二本体212限定出第二像素开口222；形成载流子层310；控制温度到达预设温度，第一本体211热形变以使得载流子层310隔断。第一像素开口221和第二像素开口222之间包括第一本体211和第二本体212，第一本体211限定出第一像素开口221，从而能够利用第一本体211隔断相邻子像素之间的载流子层310，避免串扰。上述制备方法可以用于形成前述实施方式中的显示面板10
63.本技术提供的显示面板制备方法，在形成载流子层310后提供预设温度环境，从而使得第一本体211热形变，带动位于其上的载流子层310断裂，从而避免串色问题。
64.进一步的，形成载流子层310包括形成空穴注入层；或者形成空穴注入层和空穴传输层，由于空穴注入层对于串色影响较大，因此可以在形成空穴注入层之后即进行第一本体211的热形变，使得空穴注入层断裂。同样的，空穴传输层对于串色有一定的影响，因此可以在形成空穴传输层之后即进行第一本体211的热形变。当然也可以在形成全部的载流子层310之后，形成阴极之前使得第一本体211热形变，至少带动空穴注入层断裂。像素限定层200、载流子层310的形成具体制备工艺可以采用现有技术中的制备方法，在此不再赘述。
65.本技术还提供了一种显示装置，包含上述任一实施例所提供的显示面板，因具备本技术所提到的显示面板，该显示装置可以解决串扰问题。
66.本说明书中各实施例或实施方式采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分相互参见即可。
67.最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的范围。