双电晶体热电分离封装结构的制作方法

1.本实用新型与半导体元件封装结构有关，尤指一种双电晶体的封装结构。


背景技术：

2.半导体元件在现代科技生活中的应用已非常广泛，各式电子装置都是利用半导体元件产生作用。半导体元件的内部结构，如实用新型专利m511679号所揭示的方案，包括有一个或一个以上的电晶体，其设置在一基板上，各电晶体通过导线将其漏极、栅极及源极电性连接至基板的接脚，而构成封装结构。只是电晶体在工作时会产生热，这些热会通过导热性质高的金属导线及接脚传递出去，使金属导线及接脚的温度上升。然而金属导线及接脚做为电性传导的构件，其温度上升将会导致电晶体的工作效能急遽降低。
3.另一种半导体元件，如发明专利i698969号所揭示的方案，于基板下方设置一散热背板以达散热降温的目的，据此维持电晶体的正常运作效能。只是此习知结构中，虽然有散热背板可以辅助散热，但电晶体所产生的热仍须先经由金属导线及接脚传递至基板，才会再通过散热背板将热导出，故而金属导线及接脚的温度仍高，电晶体的工作效能仍受到影响。
4.有鉴于此，如何改进上述问题即为本实用新型所欲解决的首要课题。


技术实现要素：

5.本实用新型的主要目的在于提供一种双电晶体热电分离封装结构，其利用散热片导出电晶体工作时所产生的热，避免导线发热而影响电晶体的工作效能。
6.为达前述的目的，本实用新型提供一种双电晶体热电分离封装结构，其包括有：
7.一基板，其定义具有一正面及一背面；
8.一设于该基板内部的第一导电部，其一端延伸至该正面形成有一第一接点，且另一端延伸至该背面形成有一漏极输出接点；
9.一设于该基板内部的第二导电部，其一端延伸至该正面形成有一第二接点，且另一端延伸至该背面形成有一源极输出接点；
10.一设于该基板内部的第三导电部，其一端延伸至该正面形成有一第三接点，且另一端延伸至该背面形成有一栅极输出接点；
11.一设于该基板正面的第四导电部，其设有一第四接点；
12.一第一电晶体，其具有一第一漏极、一第一栅极及一第一源极，其中该第一漏极连接该第一接点，该第一栅极连接该第二接点，该第一源极连接该第四接点；
13.一第二电晶体，其具有一第二漏极、一第二栅极及一第二源极，其中该第二源极连接该第二接点，该第二栅极连接该第三接点，该第二漏极连接该第四接点；
14.一设于该基板背面的散热片，该基板于对应该第一电晶体或该第二电晶体的位置设有一穿孔，该散热片并伸入该穿孔且与该第一电晶体或该第二电晶体接触。
15.较佳地，该第一电晶体为氮化镓高电子迁移率电晶体，该第一漏极以导线连接该
第一接点，该第一栅极以导线连接该第二接点，该第一源极以导线连接该第四接点。上述该氮化镓高电子迁移率电晶体包括有依序相叠的一第一氮化镓窄禁带层、一氮化铝镓宽禁带层、一第二氮化镓窄禁带层、一缓冲层、一基层及一背镀金属层。
16.更进一步地，该穿孔设于该基板对应该第一电晶体的位置。
17.较佳地，该第二电晶体为金属氧化物半导体场效电晶体，该第二漏极直接连接该第四接点，该第二源极以导线连接该第二接点，该第二栅极以导线连接该第三接点。
18.较佳地，该第一电晶体及该第二电晶体分别以一封装胶密封。
19.较佳地，该源极输出接点与该漏极输出接点的距离大于1mm，该栅极输出接点与该漏极输出接点的距离大于1mm，且该散热片与该漏极输出接点的距离大于0.5mm。
20.本实用新型的优点在于：
21.本实用新型提供的双电晶体热电分离封装结构，其利用散热片导出电晶体工作时所产生的热，避免导线发热而影响电晶体的工作效能。
22.本实用新型的上述目的与优点，不难从以下所选用实施例的详细说明与附图中获得深入了解。
附图说明
23.图1为本实用新型的平面示意图；
24.图2为图1中a－a方向的剖面示意图；
25.图3为图2中b－b方向的剖面示意图；
26.图4为本实用新型氮化镓高电子迁移率电晶体的构造示意图。
具体实施方式
27.请参阅图1至图3，所示为本实用新型提供的双电晶体热电分离封装结构，包括有一基板1，其以氮化铝、氧化铝、树脂(bt)、环氧树脂成形塑料(emc)或环氧玻纤布覆铜箔(fr
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4)为材质。该基板1具有一正面11及一背面12，该基板1设有自正面11贯穿至背面12的一第一穿孔13、一第二穿孔14及一第三穿孔15，并分别以导电材料对应设有一第一导电部21、一第二导电部22及一第三导电部23，其中该第一导电部21的一端延伸至该基板1的正面11形成有一第一接点211，且另一端延伸至该基板1的背面12形成有一漏极输出接点212；该第二导电部22的一端延伸至该基板1的正面11形成有一第二接点221，且另一端延伸至该基板1的背面12形成有一源极输出接点222；该第三导电部23的一端延伸至该基板1的正面11形成有一第三接点231，且另一端延伸至该基板1的背面12形成有一栅极输出接点232。又该基板1的正面11以导电材料铺设有一第四导电部24，其具有一第四接点241。
28.由于电晶体在工作时，漏极输出接点212处会形成高电压，为了避免影响到电晶体的运作效能，故该源极输出接点222与该漏极输出接点212的距离d2须大于1mm，且该栅极输出接点232与该漏极输出接点212的距离d3须大于1mm。
29.该基板1的正面11上设有一第一电晶体3及一第二电晶体4，再以一封装胶17密封，该封装胶17可为黑色硅胶或黑色环氧树脂。于本实施例中更进一步地界定该第一电晶体3为氮化镓高电子迁移率电晶体(gan hemt)，该第二电晶体4为金属氧化物半导体场效电晶体(mosfet)。如图4所示，上述该氮化镓高电子迁移率电晶体包括有依序相叠的一第一氮化
镓窄禁带层34、一氮化铝镓宽禁带层35、一第二氮化镓窄禁带层36、一缓冲层37、一基层38及一背镀金属层39，其中该背镀金属层39可以反射光线，以免电晶体的运作效能受到影响。
30.该第一电晶体3具有一第一漏极31、一第一栅极32及一第一源极33，其中该第一漏极31以导线61连接该第一接点211，该第一栅极32以导线62连接该第二接点221，该第一源极33以导线63连接该第四接点241。该第二电晶体4具有一第二漏极41、一第二栅极42及一第二源极43，其中该第二漏极41位于该第二电晶体4的底部而直接连接该第四接点241，该第二源极43以导线64连接该第二接点221，该第二栅极42以导线65连接该第三接点231。
31.该基板1设有一第四穿孔16，其中于本实施例中，该第四穿孔16的位置是与该第一电晶体3对应。该基板1的背面12设有一散热片5，该散热片5同时延伸进入该第四穿孔16，并与该第一电晶体3接触，据以导出该第一电晶体3的热。上述该散热片5与该漏极输出接点212的距离须大于0.5mm，以免过热影响电晶体的运作效能。
32.于另一实施例中，该第四穿孔的位置可与该第二电晶体对应，则该散热片延伸进入该第四穿孔时是与该第二电晶体接触，据以导出该第二电晶体的热。
33.通过上述结构，本实用新型在实际使用时，该第一电晶体3或该第二电晶体4所产生的热可经由与其接触的散热片5直接导出，而对该第一电晶体3或该第二电晶体4的降温产生直接且巨大的效果，进而该第一电晶体3或该第二电晶体4上用以导电的金属导线或接脚等，其温度可被有效控制在不过高的状态，据此形成电热分离、分流的效果，以确保电晶体的工作效能不被高温影响。
34.只是以上实施例的揭示仅用以说明本实用新型，并非用以限制本实用新型，举凡等效元件的置换仍应隶属本实用新型的范畴。
35.综上所述，可使熟知本领域技术者明了本实用新型确可达成前述目的，实已符合专利法的规定，爰依法提出申请。