批处理式离子注入方法与流程

技术特征：
1.一种批处理式离子注入方法，其特征在于，所述方法包括：将晶圆传送至批处理离子注入机的工艺腔内，所述晶圆表面涂布有光刻胶；对所述晶圆进行第一步离子注入，令所述晶圆表面的光刻胶释放气体，且所述批处理离子注入机的工艺腔内的气压在预定范围内；当所述批处理离子注入机的工艺腔内的气压满足气压稳定条件时，对所述晶圆进行第二步离子注入；其中，第一步离子注入时的束流小于第二步离子注入时的束流，第一步离子注入时的注入剂量小于第二步离子注入时的注入剂量，第一步离子注入的注入剂量与第二步离子注入的注入剂量之和等于目标剂量。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第一步离子注入的注入能量和第二步离子注入的注入能量相同。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述气压稳定条件为气压达到预定压力且持续预定时间。4.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，在进行第一步离子注入和第二步离子注入时，监控所述批处理离子注入机的工艺腔内的气压。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第一步离子注入时的注入剂量为所述目标剂量的5％，第二步离子注入时的注入剂量为所述目标剂量的95％。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第一步离子注入时的束流大小为1ma至2ma。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在进行第一步离子注入和第二步离子注入时，通过泵组抽出所述批处理离子注入机的工艺腔内的气体。

技术总结
本申请公开了一种批处理式离子注入方法，涉及半导体制造领域。该方法包括将晶圆传送至批处理离子注入机的工艺腔内，晶圆表面涂布有光刻胶；对晶圆进行第一步离子注入，令光刻胶释放气体且工艺腔内的气压在预定范围内；当批处理离子注入机的工艺腔内的气压满足气压稳定条件时，对晶圆进行第二步离子注入；第一步离子注入时的束流小于第二步离子注入时的束流，第一步离子注入时的注入剂量小于第二步离子注入时的注入剂量，第一步离子注入的注入剂量与第二步离子注入的注入剂量之和等于目标剂量；解决了目前批处理离子注入机台在单道注入时容易出现多次注入中断，影响产能、增加产品缺陷风险的问题；达到了减少离子注入时间，改善颗粒缺陷的效果。改善颗粒缺陷的效果。改善颗粒缺陷的效果。


技术研发人员：施志明 李文军 孙建军
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
技术研发日：2021.06.28
技术公布日：2021/10/23