巨量转移方法、巨量转移装置和缓冲载体与流程

技术特征：
1.一种巨量转移方法，其包括：(a)提供设置在源载体上的多个电子组件；(b)提供包括多个调整空腔的缓冲载体；以及(c)将所述电子组件从所述源载体转移到所述缓冲载体，其中所述电子组件被放入所述缓冲载体的所述调整空腔中，以将所述电子组件的位置从偏移位置调整到正确位置。2.根据权利要求1所述的方法，其中在(c)之后，所述方法进一步包括：(d)将所述电子组件从所述缓冲载体转移到接收载体。3.根据权利要求1所述的方法，其中在(b)中，所述缓冲载体进一步包括具有上表面的主体，所述调整空腔从所述主体的所述上表面凹入，且所述调整空腔中的至少一个具有低于所述主体的所述上表面的内部调整侧壁；其中在(c)中，所述电子组件的所述位置通过所述调整空腔中的所述至少一个的所述内部调整侧壁加以调整。4.根据权利要求1所述的方法，其中在(b)中，所述调整空腔中的至少一个包括设置为邻近所述调整空腔中的所述至少一个的至少一个拐角的至少一个对准开口；其中在(c)中，所述电子组件通过与所述调整空腔中的所述至少一个的所述对准开口对准而被放入所述调整空腔中。5.根据权利要求1所述的方法，其中(c)包括：(c1)使用巨量转移装置从所述源载体拾取所述电子组件；(c2)移动所述巨量转移装置至所述缓冲载体；以及(c3)将所述电子组件放入所述缓冲载体的所述调整空腔中。6.根据权利要求5所述的方法，其中在(c1)中，所述巨量转移装置包括多个吸附垫，所述吸附垫中的至少一个具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，并且界定从所述第二表面凹入的容纳空腔，且所述电子组件被吸入所述容纳空腔中。7.根据权利要求5所述的方法，其中在(c1)中，所述巨量转移装置包括多个吸附垫，所述吸附垫中的至少一个具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；其中在(c2)中，所述吸附垫中的所述至少一个的所述第二表面接触所述缓冲载体的上表面。8.一种巨量转移装置，其包括：多个彼此间隔开的吸附垫，其中所述吸附垫中的至少一个具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，且包括从所述第二表面凹入的容纳空腔。9.根据权利要求8所述的巨量转移装置，其进一步包括底座和连接到所述底座且对应所述吸附垫的多个吸杆，所述底座包括贯穿所述底座的多个通孔，所述吸杆中的一个设置在所述底座的所述通孔中的一个中，所述吸附垫中的一个连接到所述吸杆中的一个对应吸杆，所述吸杆中的至少一个的一部分突出于所述底座的底面，且所述吸附垫连接到所述吸杆中的所述至少一个的所述突出部分。10.根据权利要求9所述的巨量转移装置，其中所述吸附垫中的至少一个界定贯穿所述吸附垫的至少一个通孔，且所述吸杆中的所述至少一个的所述突出部分的一部分设置在所述吸附垫中的所述至少一个的所述通孔中。11.根据权利要求10所述的巨量转移装置，其中所述吸附垫的所述容纳空腔连通所述吸附垫的所述通孔。12.根据权利要求8所述的巨量转移装置，其中所述吸附垫的材料为抗静电的。
13.一种缓冲载体，其包括：主体，其具有上表面；以及多个调整空腔，其从所述主体的所述上表面凹入，其中所述调整空腔中的至少一个具有低于所述主体的所述上表面的内部调整侧壁。14.根据权利要求13所述的缓冲载体，其进一步包括覆盖所述内部调整侧壁的光滑涂层。15.根据权利要求13所述的缓冲载体，其中所述调整空腔中的所述至少一个包括从所述主体的所述上表面凹入的上部开口以及在所述上部开口下方的下部开口，且所述上部开口向下逐渐变窄。16.根据权利要求15所述的缓冲载体，其中所述上部开口具有倾斜侧壁，所述下部开口具有竖直侧壁，且所述上部开口的所述倾斜侧壁和所述下部开口的所述竖直侧壁构成所述内部调整侧壁。17.根据权利要求16所述的缓冲载体，其中所述上部开口的所述倾斜侧壁与所述下部开口的所述竖直侧壁之间存在夹角，且所述夹角为160
°
至170
°
。18.根据权利要求15所述的缓冲载体，其中所述调整空腔中的所述至少一个进一步包括设置为邻近所述调整空腔中的所述至少一个的至少一个拐角的至少一个对准开口。19.根据权利要求18所述的缓冲载体，其中所述对准开口连通所述上部开口和所述下部开口。20.根据权利要求13所述的缓冲载体，其中所述主体的材料为抗静电的。

技术总结
本公开涉及一种巨量转移方法、一种巨量转移装置和一种缓冲载体。所述巨量转移方法包括：(a)提供设置在源载体上的多个电子组件；(b)提供包括多个调整空腔的缓冲载体；以及(c)将所述电子组件从所述源载体转移到所述缓冲载体，其中所述电子组件被放入所述缓冲载体的所述调整空腔中，以将所述电子组件的位置从偏移位置调整到正确位置。移位置调整到正确位置。移位置调整到正确位置。


技术研发人员：张智文 徐悠和 黄泰源 杨秉丰 张福庭 王志锋
受保护的技术使用者：日月光半导体制造股份有限公司
技术研发日：2021.04.15
技术公布日：2021/10/23