一种GaN半导体材料作为电子传输层的钙钛矿发光二极管及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种gan半导体材料作为电子传输层的钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：(1)将致密的氧化镍薄膜从氧化镍靶材上采用磁控溅射法溅射到ito导电玻璃上；(2)在步骤(1)的nio基底上采用浸泡旋涂法旋涂ch3nh3br或ch3nh3i钙钛矿前驱体溶液，沉积结束后迅速转移至预热的加热台上使钙钛矿结晶制得ch3nh3br、ch3nh3i钙钛矿光发射层；(3)将gan悬浊液以1500
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3500r/min的速度旋涂到钙钛矿层上，旋涂时间是20
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40s，静置一段时间使无水乙醇挥发，完成电子传输层的制备；(4)通过电极蒸镀仪将金电极蒸镀到所述步骤(3)制备的电子传输层上，金电极厚度为80nm，获得gan半导体材料作为电子传输层的钙钛矿发光二极管。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中要提前在n,n
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二甲基亚酰胺(dmf，sigma
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aldrich，99.8％)和二甲基亚砜(dmso，sigma
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aldrich，99.8％)混合溶液中制备ch3nh3pbbr3和ch3nh3pbi3溶液。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中旋涂速度是2000
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5000r/min，旋涂时间是40
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80s，在第30
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50s时滴加反溶剂氯苯。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中加热台温度为80
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120℃，保温时间40
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80min。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中gan电子传输层包括：gan纳米多晶颗粒，gan纳米单晶颗粒，二维gan单晶片，多孔二维gan单晶片。6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中所述多孔gan悬浊液的制备方法，步骤为：将gan材料溶解于无水乙醇中，然后超声处理，使其分散成gan悬浊液。7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中旋涂速度是2000r/min，旋涂时间是25s。8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)中电极是金，电极厚度为50
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100nm。9.如权利要求1
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8任一项所述制备方法获得的gan半导体材料作为电子传输层的钙钛矿发光二极管。

技术总结
本发明涉及一种GaN半导体材料作为电子传输层的钙钛矿发光二极管及其制备方法。本发明采用不同类型的GaN半导体材料作为钙钛矿发光二极管的电子传输层。另外二维GaN量子尺寸效应明显，呈现较好的导电特性。随二维GaN层数的增加，对光的反射特性越来越好。多孔结构的GaN可以与钙钛矿材料充分接触，保证最大程度的光生电荷分离和电荷注入的发生。因此，GaN材料作为发光二极管的电子传输层能够提高器件的量子效率，是合适的选择。是合适的选择。是合适的选择。


技术研发人员：俞娇仙
受保护的技术使用者：齐鲁工业大学
技术研发日：2021.07.13
技术公布日：2021/10/23