一种有机电致发光器件和显示装置的制作方法

1.本发明涉及一种有机电致发光器件和显示装置，具有涉及采用磷光材料敏化作为发光染料的热活化延迟荧光的有机电致发光器件，属于有机电致发光技术领域。


背景技术：

2.有机电致发光二极管(organic light emitting diode，简称：oled)，是一种通过电流驱动而达到发光目的的器件，其主要特性来自于其中的有机发光层，当施加适当电压后，电子和空穴会在有机发光层中结合产生激子并根据有机发光层的特性发出不同波长的光。现阶段中，发光层由主体材料和掺杂染料构成，而染料多选自传统荧光材料、磷光材料。或者热活化延迟荧光(thermally activated delayed fluorescence,简称：tadf)材料。
3.具体地，传统荧光材料具有无法利用三重态激子的缺陷，磷光材料虽然可以通过引入重金属原子，例如铱或铂，实现单重态激子跃迁至三重态而达到100％的能量使用效率，但是铱或铂等重金属非常稀缺，成本昂贵且极易造成环境污染，因此磷光材料也无法成为染料的首选。
4.热活化延迟荧光(thermally activated delayed fluorescence,简称：tadf)材料。tadf材料与磷光材料和传统荧光材料相比，能够通过吸收环境热量实现三重态激子向单重态的反向系间窜跃，进而从单重态发出荧光，从而实现激子的100％利用，并且无需借助任何重金属。因此，目前主要通过主体材料掺杂tadf材料来实现100％的能量使用效率。向单重态的跃迁，并且单重态激子能够返回基态发出荧光，从而实现激子的100％利用，并且无需借助任何重金属。目前主要通过主体材料掺杂tadf材料来实现较高的发光效率。但是，大多数tadf材料自身也存在一定的缺陷，例如发光光谱过宽、器件滚降大、寿命短等问题。


技术实现要素：

5.为解决上述技术问题，本发明提供了一种采用磷光材料敏化热活化延迟荧光材料的有机电致发光器件。本发明这种有机电致发光器件采用磷光材料和共振型热活化延迟荧光材料共同掺杂在主体中的方法，实现了100％激子利用率，使制备的oleds具有高效率和低滚降的特点。
6.本发明提供一种有机电致发光器件，包括衬底、第一电极、第二电极和有机功能层，所述有机功能层中包括有机发光层，所述有机发光层中包括主体材料和发光染料，其特征在于，所述发光层中包括发光主体材料、磷光敏化剂和用作发光染料的共振型热活化延迟荧光材料；
7.所述发光层中的主体材料的三线态能级高于磷光敏化剂的三线态能级，且所述主体材料的三线态能级也高于共振型热活化延迟荧光材料的三线态能级；
8.所述磷光敏化剂的三线态能级高于共振型热活化延迟荧光材料的三线态能级，且所述磷光敏化剂的homo能级深于共振型热活化延迟荧光材料的homo能级；
9.所述共振型热活化延迟荧光材料为核心结构采用硼原子和/或羰基分别与氮原子和/或氧原子形成共振分子结构的化合物，所述化合物的单重态能级(s1)和三重态能级(t1)可以满足公式：
10.δest＝s1
‑
t1≤0.4ev；
11.所述化合物的斯托克斯位移满足：λ≤60nm。
12.具体讲，本发明的有机电致发光器件中，所述共振型热活化延迟荧光材料选自如下式(1)或式(2)所示的结构：
[0013][0014]
式(1)、式(2)中：环a、环b、环c和环d各自独立地表示c5～c20的单环芳环或稠合芳环、c4～c20单环杂环或稠合杂环中的任意一种；
[0015]
式(2)中：环e表示c5～c20的芳环；所述环a与环b之间可通过单键连接，所述环c与环d之间可通过单键连接；
[0016]
式(1)中：所述y1和y2分别独立分别独立地为n或b；所述x1、x2、x3和x4分别独立地为nr1或br2；当y1和y2均为n时，x1、x2、x3和x4均为br2；
[0017]
式(2)中：所述y1和y2分别独立地为n或b；所述x1、x2、x3和x4分别独立地为nr1、br2、o或s；当y1和y2均为b时，x1、x2、x3和x4不同时为nr1；
[0018]
式(1)、式(2)中：所述r1分别独立地与其相邻的环a、环b、环c或者环d连接成环或不连接成环，连接成环时通过单键相连接；所述r2分别独立地与其相邻的环a、环b、环c或者环d连接成环或不连接成环，连接成环时通过单键相连接；所述r1、r2分别独立地选自取代或未取代的下述基团中的一种：c6
‑
c60的单环芳基、c6
‑
c60的稠环芳基、c5
‑
c60的单环杂芳基或c5
‑
c60的稠环杂芳基；当上述r1、r2上存在取代基时，所述取代基团分别独立选自氘、卤素、c1～c30的链状烷基、c3～c30的环烷基、c1～c10的烷氧基、氰基、c6～c30的芳基氨基、c3～c30杂芳基氨基、c6～c60的单环芳基、c6～c60的稠环芳基、c6～c60的芳氧基、c5～c60的单环杂芳基、c5～c60的稠环杂芳基中的任一种；
[0019]
式(1)、式(2)中：所述r
a
、r
b
、r
c
和r
d
分别独立地表示单取代基到最大允许取代基，并且各自独立地选自氢、氘或者下述基团中的一种：卤素、取代或未取代的c1～c36的链状烷基、取代或未取代的c3～c36的环烷基、c1～c10的烷氧基、氰基、c6～c30的芳基氨基、c3～c30杂芳基氨基、取代或未取代的c6
‑
c60的单环芳基、c6
‑
c60的稠环芳基、c6
‑
c60的芳氧基、c5
‑
c60的单环杂芳基、c5
‑
c60的稠环杂芳基、三甲基硅基中的一种；当上述r
a
、r
b
、r
c
和r
d
上存在取代基时，所述取代基团分别独立选自卤素、c1～c30的链状烷基、氰基、c6～c60的
单环芳基中的任一种；
[0020]
优选的，式(1)、式(2)中，所述环a、环b、环c和环d各自独立地表示c5～c10的单环芳环或稠合芳环、c4～c10的单环杂环或稠合杂环中的任意一种；再优选的，所述环a、环b、环c和环d各自独立地选自苯环、萘环或芴环中的任意一种。
[0021]
或者，本发明的有机电致发光器件中，所述共振型热活化延迟荧光材料选自如下式(3)或式(4)所示的结构：
[0022][0023]
式(3)、式(4)中：
[0024]
所述r
21
～r
31
分别独立地选自氢、氘或者取代或未取代的下述基团中的一种：卤素、c1～c30的链状烷基、c3～c30的环烷基、c1～c10的烷氧基、c1～c10的硫代烷氧基、羰基、羧基、硝基、氰基、氨基、c6～c30的芳基氨基、c3～c30杂芳基氨基、c6
‑
c60的单环芳基、c6
‑
c60的稠环芳基、c6
‑
c60的芳氧基、c5
‑
c60的单环杂芳基或c5
‑
c60的稠环杂芳基，并且r
21
～r
31
中相邻的两个基团彼此可以键合并与相邻的苯环一同形成c5～c30的五元或六元的芳基环、c5～c30的五元或六元的杂芳基环中的一种，且所形成环中的至少一个氢可被c6～c30的芳基氨基、c3～c30杂芳基氨基、c6～c60的单环芳基、c6～c60的稠环芳基、c6～c60的芳氧基、c5～c60的单环杂芳基、c5～c60的稠环杂芳基、卤素、c1～c30的链状烷基、c3～c30的环烷基、c1～c10的烷氧基、c1～c10的硫代烷氧基、羰基、羧基、硝基、氰基、氨基中的任一种所取代；
[0025]
所述x5、x6、x7和x8分别独立地选自nr，所述r可通过
‑
o
‑
、
‑
s
‑
、
‑
c(
‑
r’)2
‑
或单键而与相邻的苯环键结，所述r和r’分别独立地选自取代或未取代的下述基团中的一种：c1
‑
c30的链状烷基、c3
‑
c30的环烷基、c1
‑
c30的卤代烷基、c1
‑
c30的烷氧基、c2
‑
c30的烯基、c3
‑
c30的炔基、c6
‑
c60的单环芳基、c6
‑
c60的稠环芳基、c6
‑
c60的芳氧基、c5
‑
c60的单环杂芳基或c5
‑
c60的稠环杂芳基；
[0026]
式(3)中，环f表示同时分别与由b和x5、由b和x6组成的六元环结构稠合连接的基团，所述环f选自取代或未取代的c5
‑
c60的单环氮杂芳环、取代或未取代的c5
‑
c60的稠合氮杂芳环中的一种；
[0027]
当上述基团存在取代基时，所述取代基团分别独立选自氘、卤素、氰基、c1～c30的链状烷基、c3～c30的环烷基、c1～c10的烷氧基、c6～c30芳基氨基、c3～c30杂芳基氨基、c6
‑
c30的芳基、c3
‑
c30的杂芳基中的一种；
[0028]
优选的，式(3)中，环f表示取代或未取代的c13
‑
c60的单环氮杂芳环、取代或未取代的c13
‑
c60的稠合氮杂芳环中的一种；
[0029]
优选的，式(3)、式(4)中，r
21
、r
22
、r
23
、r
24
、r
25
、r
26
、r
27
、r
28
、r
29
、r
30
及r
31
分别独立地
选自氢、氘、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、2
‑
甲基丁基、正戊基、仲戊基、环戊基、新戊基、正己基、环己基、新己基、正庚基、环庚基、正辛基、环辛基、2
‑
乙基己基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2
‑
三氟乙基、苯基、萘基、蒽基、苯并蒽基、菲基、苯并菲基、芘基、窟基、茈基、荧蒽基、并四苯基、并五苯基、苯并芘基、联苯基、偶苯基、三联苯基、三聚苯基、四联苯基、芴基、螺二芴基、二氢菲基、二氢芘基、四氢芘基、顺式或反式茚并芴基、三聚茚基、异三聚茚基、螺三聚茚基、螺异三聚茚基、呋喃基、苯并呋喃基、异苯并呋喃基、二苯并呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、异苯并噻吩基、二苯并噻吩基、吡咯基、异吲哚基、咔唑基、茚并咔唑基、吡啶基、喹啉基、异喹啉基、吖啶基、菲啶基、苯并
‑
5,6
‑
喹啉基、苯并
‑
6,7
‑
喹啉基、苯并
‑
7,8
‑
喹啉基、吡唑基、吲唑基、咪唑基、苯并咪唑基、萘并咪唑基、菲并咪唑基、吡啶并咪唑基、吡嗪并咪唑基、喹喔啉并咪唑基、嗯唑基、苯并嗯唑基、萘并嗯唑基、蒽并嗯唑基、菲并嗯唑基、1，2
‑
噻唑基、1，3
‑
噻唑基、苯并噻唑基、哒嗪基、苯并哒嗪基、嘧啶基、苯并嘧啶基、喹喔啉基、1，5
‑
二氮杂蒽基、2,7
‑
二氮杂芘基、2,3
‑
二氮杂芘基、1,6
‑
二氮杂芘基、1,8
‑
二氮杂芘基、4,5
‑
二氮杂芘基、4,5,9,10
‑
四氮杂茈基、吡嗪基、吩嗪基、吩噻嗪基、萘啶基、氮杂咔唑基、苯并咔啉基、菲咯啉基、1,2,3
‑
三唑基、1,2,4
‑
三唑基、苯并三唑基、1,2,3
‑
噁二唑基、1,2,4
‑
嗯二唑基、1,2,5_嗯二唑基、1,2,3
‑
噻二唑基、1,2,4
‑
噻二唑基、1,2,5
‑
噻二唑基、1,3,4
‑
噻二唑基、1,3,5
‑
三嗪基、1,2,4
‑
三嗪基、1,2,3
‑
三嗪基、四唑基、1,2,4,5
‑
四嗪基、1,2,3,4
‑
四嗪基、1,2,3,5
‑
四嗪基、嘌呤基、蝶啶基、吲嗪基、苯并噻二唑基、9,9
‑
二甲基吖啶基、(多)卤代苯、(多)氰基苯、(多)三氟甲基苯等中的一种，或选自以上两种基团的组合。
[0030]
再或者，本发明的有机电致发光器件中，所述共振型热活化延迟荧光材料选自如下式(5)、式(6)或式(7)任一所示的结构：
[0031][0032]
式(5)、式(6)、式(7)中：所述r1、r3、r4、r6、r7、r9、r
10
、r
12
、r
13
、r
14
、r
15
、r
17
、r
18
、r
20
、r
22
、r
23
分别独立地选自氢、氘或者取代或未取代的下述基团中的一种：卤素、c1～c30的链状烷基、c3～c30的环烷基、c1～c10的烷氧基、c1～c10的硫代烷氧基、羰基、羧基、硝基、氰基、氨基、c6～c30的芳基氨基、c3～c30杂芳基氨基、c6
‑
c60的单环芳基、c6
‑
c60的稠环芳基、c6
‑
c60的芳氧基、c5
‑
c60的单环杂芳基或c5
‑
c60的稠环杂芳基；所述r2、r5、r8、r
11
、r
16
、r
19
各自独立地选自氢原子或者取代或未取代的下述取代基团：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、2
‑
甲基丁基、环己基、氟原子、三氟甲基、氰基、叔丁苯、甲基苯基、苯基、三芳胺基、咔唑基、吡啶基、呋喃基、苯并呋喃基、异苯并呋喃基、二苯并呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、异苯并噻吩基、二苯并噻吩基、金刚烷、四氢吡咯、哌啶、硅基、甲氧基、9,9
‑
二甲基吖啶基、吩噻嗪基、吩恶嗪基、咪唑基、咔唑并呋喃；所述r
21
选自氢、氟、氰基
或者取代或未取代的下述取代基团：吡啶基、苯基、氟代苯基、甲基苯基、三甲基苯基、氰基苯基、三氟甲基、三芳胺基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、2
‑
甲基丁基、环己基、金刚烷、四氢吡咯、哌啶、硅基、甲氧基、9,9
‑
二甲基吖啶基、吩噻嗪基、吩恶嗪基、咪唑基、咔唑并呋喃、三芳胺基、咔唑基、氟原子、三氟甲基、氰基、吡啶基、呋喃基；
[0033]
当上述基团存在取代基时，所述取代基团分别独立选自氘、卤素、氰基、c1～c30的链状烷基、c3～c30的环烷基、c1～c10的烷氧基、c6～c30芳基氨基、c3～c30杂芳基氨基、c6
‑
c30的芳基、c3
‑
c30的杂芳基中的一种。
[0034]
上述如式(1)、式(2)所述共振型热活化延迟荧光材料，可以优选出下述具体结构化合物，这些化合物仅为代表性的：
[0035]
[0036]
[0037]
[0038]
[0039]
[0040]
[0041]
[0042]
[0043]
[0044]
[0045]
[0046]
[0047]
[0048]
[0049]
[0050]
[0051]
[0052]
[0053]
[0054]
[0055]
[0056]
[0057]
[0058]
[0059]
[0060]
[0061]
[0062]
[0063]
[0064]
[0065]
[0066]
[0067]
[0068]
[0069]
[0070]
[0071]
[0072]
[0073]
[0074]
[0075]
[0076]
[0077]
[0078]
[0079]
[0080]
[0081]
[0082]
[0083]
[0084]
[0085]
[0086]
[0087]
[0088][0089]
上述如式(3)、式(4)所述共振型热活化延迟荧光材料，可以优选出下述具体结构化合物，这些化合物仅为代表性的：
[0090]
[0091]
[0092]
[0093]
[0094]
[0095]
[0096]
[0097]
[0098]
[0099]
[0100]
[0101]
[0102]
[0103]
[0104]
[0105]
[0106]
[0107]
[0108]
[0109]
[0110]
[0111]
[0112]
[0113]
[0114][0115]
上述如式(5)、式(6)或式(7)所述共振型热活化延迟荧光材料，可以优选出下述具体结构化合物，这些化合物仅为代表性的：
[0116]
[0117]
[0118]
[0119]
[0120]
[0121]
[0122]
[0123]
[0124]
[0125]
[0126]
[0127]
[0128]
[0129]
[0130]
[0131]
[0132]
[0133]
[0134]
[0135]
[0136]
[0137]
[0138]
[0139]
[0140]
[0141]
[0142]
[0143][0144]
本发明的有机电致发光器件中，所述发光层中的磷光敏化剂可以选自下述化合物：
[0145]
[0146]
[0147]
[0148]
[0149]
[0150]
[0151]
[0152]
[0153]
[0154]
[0155]
[0156]
[0157]
[0158]
[0159]
[0160]
[0161]
[0162]
[0163]
[0164]
[0165]
[0166]
[0167]
[0168]
[0169]
[0170][0171]
本发明的有机电致发光器件中，主体材料包括咔唑基、咔啉基、螺芴基、芴基、硅基、膦氧基的至少一种。
[0172]
本发明不限制主体材料的具体结构，可以并且不限于选自以下结构之一所示的化合物：
[0173]
[0174]
[0175]
[0176]
[0177]
[0178]
[0179]
[0180]
[0181]
[0182]
[0183]
[0184]
[0185]
[0186][0187]
本说明书中，所述的“取代或未取代”的基团，可以取代有一个取代基，也可以取代有多个取代基，当取代基为多个时，可以选自不同的取代基，本发明中涉及到相同的表达方式时，均具有同样的意义，且取代基的选择范围均如上所示不再一一赘述。在本说明书中，ca～cb的表达方式代表该基团具有的碳原子数为a～b，除非特殊说明，一般而言该碳原子数不包括取代基的碳原子数。
[0188]
在本说明书中，“各自独立地”表示其主语具有多个时，彼此之间可以相同也可以不同。
[0189]
本说明书中，所述取代或未取代的c6
‑
c60芳基包括单环芳基和稠环芳基，优选c6
‑
c30芳基，进一步优选c6
‑
c20芳基。所谓单环芳基是指分子中含有至少一个苯基，当分子中含有至少两个苯基时，苯基之间相互独立，通过单键进行连接，示例性地如：苯基、联苯基、
三联苯基等。具体而言，所述联苯基包括2
‑
联苯基、3
‑
联苯基和4
‑
联苯基；所述三联苯基包括对
‑
三联苯基
‑4‑
基、对
‑
三联苯基
‑3‑
基、对
‑
三联苯基
‑2‑
基、间
‑
三联苯基
‑4‑
基、间
‑
三联苯基
‑3‑
基和间
‑
三联苯基
‑2‑
基。稠环芳基是指分子中含有至少两个芳环，且芳环之间并不相互独立而是共用两个相邻的碳原子互相稠合的基团。示例性地如：萘基、蒽基、菲基、茚基、芴基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、苝基、基、并四苯基及它们的衍生基团等。所述萘基包括1
‑
萘基或2
‑
萘基；所述蒽基选自1
‑
蒽基、2
‑
蒽基和9
‑
蒽基；所述芴基选自1
‑
芴基、2
‑
芴基、3
‑
芴基、4
‑
芴基和9
‑
芴基；所述芘基选自1
‑
芘基、2
‑
芘基和4
‑
芘基；所述并四苯基选自1
‑
并四苯基、2
‑
并四苯基和9
‑
并四苯基。所述芴的衍生基团选自9,9
‑
二甲基芴基、9,9
‑
二乙基芴基、9,9
‑
二丙基芴基、9,9
‑
二丁基芴基、9,9
‑
二戊基芴基、9,9
‑
二己基芴基、9,9
‑
二苯基芴基、9,9
‑
二萘基芴基、9,9
’‑
螺二芴和苯并芴基。
[0190]
本说明书中提到的c3～c60杂芳基包括单环杂芳基和稠环杂芳基，优选c3
‑
c30的杂芳基，进一步优选为c4
‑
c20杂芳基，更优选为c5
‑
c12杂芳基。单环杂芳基是指分子中含有至少一个杂芳基，当分子中含有一个杂芳基和其他基团(如芳基、杂芳基、烷基等)时，杂芳基和其他基团之间相互独立，通过单键进行连接，单环杂芳基可举出例如：呋喃基、噻吩基、吡咯基、吡啶基等。稠环杂芳基是指分子中至少含有一个芳杂环和一个具有芳香性的环(芳杂环或芳环)，且二者之间并不相互独立而是共用两个相邻的原子互相稠合的基团。稠环杂芳基的例子可以举出：苯并呋喃基、苯并噻吩基、异苯并呋喃基、吲哚基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、吖啶基、异苯并呋喃基、异苯并噻吩基、苯并咔唑基、氮杂咔唑基、吩噻嗪基、吩嗪基、9
‑
苯基咔唑基、9
‑
萘基咔唑基、二苯并咔唑基、吲哚并咔唑基等。
[0191]
本说明书中，所述的杂原子通常指选自n、o、s、p、si和se中的原子或原子团，优选为n、o、s。作为卤素的例子可举出：氟、氯、溴、碘等。
[0192]
本发明还提供上述本发明这种有机电致发光器件的应用，所述应用为在有机电子装置中的应用，所述有机电子装置包括光学传感器、太阳能电池、照明元件、有机薄膜晶体管、有机场效应晶体管、有机薄膜太阳能电池、信息标签、电子人工皮肤片材、片材型扫描器或电子纸。
[0193]
本发明同时保护一种显示装置，包括本发明上述的有机电致发光器件，所述显示装置包括但不限于显示元件、照明元件、信息标签、电子人工皮肤片材或电子纸。
[0194]
本发明的有机电致发光器件，发光层中包括发光主体材料、磷光敏化剂和用作发光染料的共振型热活化延迟荧光材料，共振型热活化延迟荧光材料为核心结构采用硼原子和/或羰基分别与氮原子和/或氧原子形成共振分子结构的化合物，共振型热活化延迟荧光材料的单重态能级(s1)和三重态能级(t1)可以满足公式：δest＝s1
‑
t1≤0.4ev；共振型热活化延迟荧光材料的斯托克斯位移满足：λ≤60nm。本发明的有机电致发光器件中，特别优选采用本发明上述的具有特定结构的如通式(1)至通式(7)的共振型热活化延迟荧光材料。本发明的有机电致发光器件在受到电激发后，利用磷光敏化剂的外部重原子效应，能够直接增强mr
‑
tadf染料的反向系间窜越速率；或者实现mr
‑
tadf染料的三重态上转换为磷光敏化剂三重态，磷光敏化剂三重态进一步上转化为mr
‑
tadf染料的单线态，最终同样增强了mr
‑
tadf染料的反向系间窜越速率。因此本发明能够有效解决高亮度下mr
‑
tadf器件roll
‑
off下降严重的问题，有效地增强了有机电致发光器件的稳定性能。此外，本发明的有机电致发光器件在受到电激发后，磷光敏化剂能够捕获高能的三线态激子，由于其外部重原子
效应，磷光敏化剂的三线态激子能够快速传递给mr
‑
tadf染料的单线态和三线态，同时也可以直接增强mr
‑
tadf染料的反向系间窜越速率，从而显著降低三线态激子的浓度，实现mr
‑
tadf器件的低效率滚降、长寿命。本发明有机电致发光器件中的发光层中的发光机制示意图请参照图1所示。
附图说明
[0195]
图1为本发明的有机电致发光器件的发光机制图，其中fet为forster能量传递，det为dexter能量传递，isc为系间穿越，risc为反向系间穿越。
[0196]
图2为本发明实施例中制备的有机电致发光器件的结构示意图。
具体实施方式
[0197]
如图2所示，本发明的有机电致发光器件包括在基板1上依次沉积的阳极2、空穴传输区3、有机发光层4、电子传输区5以及阴极6。
[0198]
具体地，基板可以采用具有机械强度、热稳定性、防水性、透明度优异的玻璃或聚合物材料。此外，作为显示器用的基板上也可以带有薄膜晶体管(tft)。
[0199]
阳极可以通过在基板上溅射或者沉积阳极材料的方式来形成，其中，阳极材料可以采用铟锡氧(ito)、铟锌氧(izo)、二氧化锡(sno2)、氧化锌(zno)等氧化物透明导电材料和它们的任意组合；阴极可以采用镁(mg)、银(ag)、铝(al)、铝
‑
锂(al
‑
li)、钙(ca)、镁
‑
铟(mg
‑
in)、镁
‑
银(mg
‑
ag)等金属或合金以及它们之间的任意组合。
[0200]
空穴传输区、发光层、电子传输区以及阴极的有机材料层可以通过真空热蒸镀、旋转涂敷、打印等方法依次制备于阳极之上。其中，用作有机材料层的化合物可以为有机小分子、有机大分子和聚合物，以及它们的组合。
[0201]
对本发明的空穴传输区3、电子传输区5以及阴极6进行介绍。空穴传输区3位于阳极2和有机发光层4之间。空穴传输区3可以为单层结构的空穴传输层(htl)，包括只含有一种化合物的单层空穴传输层和含有多种化合物的单层空穴传输层。空穴传输区也3可以为包括空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)、电子阻挡层(ebl)中的至少一层的多层结构。
[0202]
空穴传输区3的材料(包括hil、htl以及ebl)可以选自、但不限于酞菁衍生物如cupc、导电聚合物或含导电掺杂剂的聚合物如聚苯撑乙烯、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa)、聚(3,4
‑
乙撑二氧噻吩)/聚(4
‑
苯乙烯磺酸盐)(pedot/pss)、聚苯胺/樟脑磺酸(pani/csa)、聚苯胺/聚(4
‑
苯乙烯磺酸盐)(pani/pss)、芳香胺衍生物。
[0203]
其中，芳香胺衍生物如下面ht
‑
1至ht
‑
34所示的化合物。若空穴传输区3的材料为芳香胺衍生物，可以为ht
‑
1至ht
‑
34所示的化合物的一种或多种。
[0204]
[0205]
[0206][0207]
空穴注入层位于阳极2和空穴传输层之间。空穴注入层可以是单一化合物材料，也可以是多种化合物的组合。例如，空穴注入层可以采用上述ht
‑
1至ht
‑
34的一种或多种化合物，或者采用下述hi1
‑
hi3中的一种或多种化合物；也可以采用ht
‑
1至ht
‑
34的一种或多种化合物掺杂下述hi1
‑
hi3中的一种或多种化合物。
[0208][0209]
电子传输区5可以为单层结构的电子传输层(etl)，包括只含有一种化合物的单层电子传输层和含有多种化合物的单层电子传输层。电子传输区5也可以为包括电子注入层(eil)、电子传输层(etl)、空穴阻挡层(hbl)中的至少一层的多层结构。
[0210]
本发明的一方面，电子传输层材料可以选自、但不限于以下所罗列的et
‑
1至et
‑
57的一种或多种的组合。
[0211]
[0212]
[0213]
[0214][0215]
发光器件的结构中还可以包括位于电子传输层与阴极6之间的电子注入层，电子注入层材料包括但不限于以下罗列的一种或多种的组合：liq,lif,nacl,csf,li2o,cs2co3,bao,na,li,ca。
[0216]
上述各层的厚度可以采用本领域中的这些层的常规厚度。
[0217]
以下，对发光层进行详细的介绍。在制备有机发光层4时，通过宽带隙主体材料源、tadf染料源和磷光敏化剂材料源共同蒸镀的方法形成有机发光层4。
[0218]
以下通过具体实施例对本发明的有机电致发光器件进行进一步的介绍。
[0219]
本发明的有机电致发光器件的制备方法包括以下步骤：
[0220]
1、将涂布了阳极材料的玻璃板在商用清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮：乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水份，用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击表面；
[0221]
2、把上述带有阳极的玻璃板置于真空腔内，抽真空至1
×
10
‑5～9
×
10
‑3pa，在上述阳极层膜上真空蒸镀空穴注入层，蒸镀速率为0.1
‑
0.5nm/s；
[0222]
3、在空穴注入层之上真空蒸镀空穴传输层，蒸镀速率为0.1
‑
0.5nm/s，
[0223]
4、在空穴传输层之上真空蒸镀器件的发光层，发光层包括主体材料、tadf染料和磷光敏化剂。利用多源共蒸的方法，调节主体材料的蒸镀速率、tadf染料和磷光敏化剂材料的蒸镀速度的蒸镀速率使染料达到预设掺杂比例；
[0224]
5、在有机发光层之上真空蒸镀器件的电子传输层材料，其蒸镀速率为0.1
‑
0.5nm/s；
[0225]
6、在电子传输层上以0.1
‑
0.5nm/s真空蒸镀lif作为电子注入层，以0.5
‑
1nm/s真空蒸镀al层作为器件的阴极。
[0226]
本发明实施例中采用的一些有机材料结构式如下：
[0227][0228]
实施例1
[0229]
本实施例的器件结构如下所示：
[0230]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
7:10wt％ph
‑
3:1wt％mr
‑
82(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0231]
其中，阳极为ito；空穴注入层的材料为hi
‑
2，一般总厚度为5
‑
30nm，本实施例为10nm；空穴传输层的材料为hi
‑
27，总厚度一般为5
‑
500nm，本实施例为40nm；有机发光层的主体材料为宽带隙材料w
‑
7，磷光敏化剂材料为ph
‑
3且掺杂浓度为10wt％，染料为共振型tadf材料mr
‑
82且掺杂浓度为1wt％，有机发光层的厚度一般为1
‑
200nm，本实施例为30nm；电子传输层的材料为et
‑
53，厚度一般为5
‑
300nm，本实施例为30nm；电子注入层及阴极材料选择lif(0.5nm)和金属铝(150nm)。
[0232]
按照上述的制备步骤和测试方法完成了本发明的器件实施例1
‑
55和对比例1
‑
9，具体发光层的设计方案详见下述实施例及表1内容。
[0233]
实施例2
[0234]
本实施例的器件结构如下所示：
[0235]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
7:10wt％ph
‑
67:1wt％mr
‑
82(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0236]
其器件意义与实施例1大致相同，唯一区别为磷光敏化剂不同。
[0237]
实施例3
[0238]
本实施例的器件结构如下所示：
[0239]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
7:10wt％ph
‑
5:1wt％mr
‑
82(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0240]
其器件意义与实施例1大致相同，唯一区别为磷光敏化剂不同。
[0241]
实施例4
[0242]
本实施例的器件结构如下所示：
[0243]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
1:10wt％ph
‑
3:1wt％mr
‑
82(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0244]
其器件意义与实施例1大致相同，唯一区别为主体不同。
[0245]
实施例5
[0246]
本实施例的器件结构如下所示：
[0247]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
1:10wt％ph
‑
67:1wt％mr
‑
82(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0248]
其器件意义与实施例4大致相同，唯一区别为磷光敏化剂不同。
[0249]
实施例6
[0250]
本实施例的器件结构如下所示：
[0251]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
1:10wt％ph
‑
5:1wt％mr
‑
82(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0252]
其器件意义与实施例4大致相同，唯一区别为磷光敏化剂不同。
[0253]
实施例7
[0254]
本实施例的器件结构如下所示：
[0255]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
19:10wt％ph
‑
3:1wt％mr
‑
82(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0256]
其器件意义与实施例1大致相同，唯一区别为主体不同。
[0257]
实施例8
[0258]
本实施例的器件结构如下所示：
[0259]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
19:10wt％ph
‑
67:1wt％mr
‑
82(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0260]
其器件意义与实施例7大致相同，唯一区别为磷光敏化剂不同。
[0261]
实施例9
[0262]
本实施例的器件结构如下所示：
[0263]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
19:10wt％ph
‑
5:1wt％mr
‑
82(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0264]
其器件意义与实施例7大致相同，唯一区别为磷光敏化剂不同。
[0265]
实施例10
[0266]
本实施例的器件结构如下所示：
[0267]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
7:10wt％ph
‑
3:1wt％mr
‑
802(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0268]
其器件意义与实施例1大致相同，唯一区别为共振型热活化延迟荧光材料的种类不同。
[0269]
实施例11
[0270]
本实施例的器件结构如下所示：
[0271]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
7:10wt％ph
‑
67:1wt％mr
‑
802(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0272]
其器件意义与实施例10大致相同，唯一区别为磷光敏化剂不同。
[0273]
实施例12
[0274]
本实施例的器件结构如下所示：
[0275]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
7:10wt％ph
‑
5:1wt％mr
‑
802(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0276]
其器件意义与实施例10大致相同，唯一区别为磷光敏化剂不同。
[0277]
实施例13
[0278]
本实施例的器件结构如下所示：
[0279]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
1:10wt％ph
‑
3:1wt％mr
‑
802(30nm)/et
‑
53
(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0280]
其器件意义与实施例10大致相同，唯一区别为主体不同。
[0281]
实施例14
[0282]
本实施例的器件结构如下所示：
[0283]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
1:10wt％ph
‑
67:1wt％mr
‑
802(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0284]
其器件意义与实施例13大致相同，唯一区别为磷光敏化剂不同。
[0285]
实施例15
[0286]
本实施例的器件结构如下所示：
[0287]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
1:10wt％ph
‑
5:1wt％mr
‑
802(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0288]
其器件意义与实施例13大致相同，唯一区别为磷光敏化剂不同。
[0289]
实施例16
[0290]
本实施例的器件结构如下所示：
[0291]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
19:10wt％ph
‑
3:1wt％mr
‑
802(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0292]
其器件意义与实施例10大致相同，唯一区别为主体不同。
[0293]
实施例17
[0294]
本实施例的器件结构如下所示：
[0295]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
19:10wt％ph
‑
67:1wt％mr
‑
802(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0296]
其器件意义与实施例16大致相同，唯一区别为磷光敏化剂不同。
[0297]
实施例18
[0298]
本实施例的器件结构如下所示：
[0299]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
19:10wt％ph
‑
5:1wt％mr
‑
802(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0300]
其器件意义与实施例16大致相同，唯一区别为磷光敏化剂不同。
[0301]
实施例19
[0302]
本实施例的器件结构如下所示：
[0303]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
7:10wt％ph
‑
3:1wt％mr
‑
1217(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0304]
其器件意义与实施例1大致相同，唯一区别为共振型热活化延迟荧光材料的种类不同。
[0305]
实施例20
[0306]
本实施例的器件结构如下所示：
[0307]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
7:10wt％ph
‑
67:1wt％mr
‑
1217(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0308]
其器件意义与实施例19大致相同，唯一区别为磷光敏化剂不同。
[0309]
实施例21
[0310]
本实施例的器件结构如下所示：
[0311]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
7:10wt％ph
‑
5:1wt％mr
‑
1217(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0312]
其器件意义与实施例19大致相同，唯一区别为磷光敏化剂不同。
[0313]
实施例22
[0314]
本实施例的器件结构如下所示：
[0315]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
1:10wt％ph
‑
3:1wt％mr
‑
1217(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0316]
其器件意义与实施例19大致相同，唯一区别为主体不同。
[0317]
实施例23
[0318]
本实施例的器件结构如下所示：
[0319]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
1:10wt％ph
‑
67:1wt％mr
‑
1217(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0320]
其器件意义与实施例22大致相同，唯一区别为磷光敏化剂不同。
[0321]
实施例24
[0322]
本实施例的器件结构如下所示：
[0323]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
1:10wt％ph
‑
5:1wt％mr
‑
1217(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0324]
其器件意义与实施例22大致相同，唯一区别为磷光敏化剂不同。
[0325]
实施例25
[0326]
本实施例的器件结构如下所示：
[0327]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
19:10wt％ph
‑
3:1wt％mr
‑
1217(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0328]
其器件意义与实施例19大致相同，唯一区别为主体不同。
[0329]
实施例26
[0330]
本实施例的器件结构如下所示：
[0331]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
19:10wt％ph
‑
67:1wt％mr
‑
1217(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0332]
其器件意义与实施例24大致相同，唯一区别为磷光敏化剂不同。
[0333]
实施例27
[0334]
本实施例的器件结构如下所示：
[0335]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
19:10wt％ph
‑
5:1wt％mr
‑
1217(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0336]
其器件意义与实施例25大致相同，唯一区别为磷光敏化剂不同。
[0337]
实施例28
[0338]
本实施例的器件结构如下所示：
[0339]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
7:10wt％ph
‑
3:1wt％mr
‑
199(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0340]
其器件意义与实施例1大致相同，唯一区别为共振型热活化延迟荧光材料的种类
不同。
[0341]
实施例29
[0342]
本实施例的器件结构如下所示：
[0343]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
7:10wt％ph
‑
67:1wt％mr
‑
199(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0344]
其器件意义与实施例28大致相同，唯一区别为磷光敏化剂不同。
[0345]
实施例30
[0346]
本实施例的器件结构如下所示：
[0347]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
7:10wt％ph
‑
5:1wt％mr
‑
199(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0348]
其器件意义与实施例28大致相同，唯一区别为磷光敏化剂不同。
[0349]
实施例31
[0350]
本实施例的器件结构如下所示：
[0351]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
1:10wt％ph
‑
3:1wt％mr
‑
199(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0352]
其器件意义与实施例28大致相同，唯一区别为主体不同。
[0353]
实施例32
[0354]
本实施例的器件结构如下所示：
[0355]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
1:10wt％ph
‑
67:1wt％mr
‑
199(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0356]
其器件意义与实施例31大致相同，唯一区别为磷光敏化剂不同。
[0357]
实施例33
[0358]
本实施例的器件结构如下所示：
[0359]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
1:10wt％ph
‑
5:1wt％mr
‑
199(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0360]
其器件意义与实施例31大致相同，唯一区别为磷光敏化剂不同。
[0361]
实施例34
[0362]
本实施例的器件结构如下所示：
[0363]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
19:10wt％ph
‑
3:1wt％mr
‑
199(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0364]
其器件意义与实施例28大致相同，唯一区别为主体不同。
[0365]
实施例35
[0366]
本实施例的器件结构如下所示：
[0367]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
19:10wt％ph
‑
67:1wt％mr
‑
199(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0368]
其器件意义与实施例33大致相同，唯一区别为磷光敏化剂不同。
[0369]
实施例36
[0370]
本实施例的器件结构如下所示：
[0371]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
19:10wt％ph
‑
5:1wt％mr
‑
199(30nm)/et
‑
53
(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0372]
其器件意义与实施例34大致相同，唯一区别为磷光敏化剂不同。
[0373]
实施例37
[0374]
本实施例的器件结构如下所示：
[0375]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
7:10wt％ph
‑
3:1wt％mr
‑
1084(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0376]
其器件意义与实施例1大致相同，唯一区别为共振型热活化延迟荧光材料的种类不同。
[0377]
实施例38
[0378]
本实施例的器件结构如下所示：
[0379]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
7:10wt％ph
‑
67:1wt％mr
‑
1084(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0380]
其器件意义与实施例37大致相同，唯一区别为磷光敏化剂不同。
[0381]
实施例39
[0382]
本实施例的器件结构如下所示：
[0383]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
7:10wt％ph
‑
5:1wt％mr
‑
1084(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0384]
其器件意义与实施例37大致相同，唯一区别为磷光敏化剂不同。
[0385]
实施例40
[0386]
本实施例的器件结构如下所示：
[0387]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
1:10wt％ph
‑
3:1wt％mr
‑
1084(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0388]
其器件意义与实施例37大致相同，唯一区别为主体不同。
[0389]
实施例41
[0390]
本实施例的器件结构如下所示：
[0391]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
1:10wt％ph
‑
67:1wt％mr
‑
1084(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0392]
其器件意义与实施例40大致相同，唯一区别为磷光敏化剂不同。
[0393]
实施例42
[0394]
本实施例的器件结构如下所示：
[0395]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
1:10wt％ph
‑
5:1wt％mr
‑
1084(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0396]
其器件意义与实施例40大致相同，唯一区别为磷光敏化剂不同。
[0397]
实施例43
[0398]
本实施例的器件结构如下所示：
[0399]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
19:10wt％ph
‑
3:1wt％mr
‑
1084(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0400]
其器件意义与实施例37大致相同，唯一区别为主体不同。
[0401]
实施例44
[0402]
本实施例的器件结构如下所示：
[0403]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
19:10wt％ph
‑
67:1wt％mr
‑
1084(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0404]
其器件意义与实施例43大致相同，唯一区别为磷光敏化剂不同。
[0405]
实施例45
[0406]
本实施例的器件结构如下所示：
[0407]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
19:10wt％ph
‑
5:1wt％mr
‑
1084(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0408]
其器件意义与实施例43大致相同，唯一区别为磷光敏化剂不同。
[0409]
实施例46
[0410]
本实施例的器件结构如下所示：
[0411]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
7:10wt％ph
‑
3:0.5wt％mr
‑
82(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0412]
其器件意义与实施例1大致相同，唯一区别为共振型热活化延迟荧光材料的掺杂浓度不同。
[0413]
实施例47
[0414]
本实施例的器件结构如下所示：
[0415]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
7:15wt％ph
‑
3:1wt％mr
‑
82(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0416]
其器件意义与实施例1大致相同，唯一区别为磷光敏化剂的掺杂浓度不同。
[0417]
实施例48
[0418]
本实施例的器件结构如下所示：
[0419]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
7:10wt％ph
‑
3:1.5wt％mr
‑
802(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0420]
其器件意义与实施例10大致相同，唯一区别为共振型热活化延迟荧光材料的掺杂浓度不同。
[0421]
实施例49
[0422]
本实施例的器件结构如下所示：
[0423]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
7:5wt％ph
‑
3:1wt％mr
‑
802(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0424]
其器件意义与实施例10大致相同，唯一区别为磷光敏化剂的掺杂浓度不同。
[0425]
实施例50
[0426]
本实施例的器件结构如下所示：
[0427]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
7:10wt％ph
‑
3:2wt％mr
‑
1217(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0428]
其器件意义与实施例19大致相同，唯一区别为共振型热活化延迟荧光材料的掺杂浓度不同。
[0429]
实施例51
[0430]
本实施例的器件结构如下所示：
[0431]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
7:20wt％ph
‑
3:1wt％mr
‑
1217(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0432]
其器件意义与实施例19大致相同，唯一区别为磷光敏化剂的掺杂浓度不同。
[0433]
实施例52
[0434]
本实施例的器件结构如下所示：
[0435]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
7:10wt％ph
‑
3:0.3wt％mr
‑
199(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0436]
其器件意义与实施例28大致相同，唯一区别为共振型热活化延迟荧光材料的掺杂浓度不同。
[0437]
实施例53
[0438]
本实施例的器件结构如下所示：
[0439]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
7:25wt％ph
‑
3:1wt％mr
‑
199(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0440]
其器件意义与实施例28大致相同，唯一区别为磷光敏化剂的掺杂浓度不同。
[0441]
实施例54
[0442]
本实施例的器件结构如下所示：
[0443]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
7:10wt％ph
‑
3:1.5wt％mr
‑
1084(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0444]
其器件意义与实施例37大致相同，唯一区别为共振型热活化延迟荧光材料的掺杂浓度不同。
[0445]
实施例55
[0446]
本实施例的器件结构如下所示：
[0447]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
7:30wt％ph
‑
3:1wt％mr
‑
1084(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0448]
其器件意义与实施例37大致相同，唯一区别为磷光敏化剂的掺杂浓度不同。
[0449]
对比例1
[0450]
本对比例的器件结构如下所示：
[0451]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
7:1wt％mr
‑
802(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0452]
其器件意义与实施例1大致相同，唯一区别为没有磷光敏化剂。
[0453]
对比例2
[0454]
本对比例的器件结构如下所示：
[0455]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
7:1wt％mr
‑
82(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0456]
其器件意义与实施例10大致相同，唯一区别为没有磷光敏化剂。
[0457]
对比例3
[0458]
本对比例的器件结构如下所示：
[0459]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
7:1wt％mr
‑
1217(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0460]
其器件意义与实施例19大致相同，唯一区别为没有磷光敏化剂。
[0461]
对比例4
[0462]
本对比例的器件结构如下所示：
[0463]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
7:1wt％mr
‑
199(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0464]
其器件意义与实施例28大致相同，唯一区别为没有磷光敏化剂。
[0465]
对比例5
[0466]
本对比例的器件结构如下所示：
[0467]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
7:1wt％mr
‑
1084(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0468]
其器件意义与实施例37大致相同，唯一区别为没有磷光敏化剂。
[0469]
对比例6
[0470]
本对比例的器件结构如下所示：
[0471]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
7:1wt％tbpe(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0472]
其器件意义与对比例1大致相同，唯一区别为将发光层更换为传统荧光染料。
[0473]
对比例7
[0474]
本对比例的器件结构如下所示：
[0475]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
7:1wt％ttpa(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0476]
其器件意义与对比例1大致相同，唯一区别为将发光层更换为传统荧光染料。
[0477]
对比例8
[0478]
本对比例的器件结构如下所示：
[0479]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
7:1wt％tbrb(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0480]
其器件意义与对比例1大致相同，唯一区别为将发光层更换为传统荧光染料。
[0481]
对比例9
[0482]
本对比例的器件结构如下所示：
[0483]
ito/hi
‑
2(10nm)/ht
‑
27(40nm)/w
‑
7:1wt％dbp(30nm)/et
‑
53(30nm)/lif(0.5nm)/al(150nm)
[0484]
其器件意义与对比例1大致相同，唯一区别为将发光层更换为传统荧光染料。
[0485]
对由上述过程制备的有机电致发光器件进行如下性能测定：
[0486]
对实施例1
‑
55、对比例1
‑
9制备得到的器件进行如下性能测定：制备得到器件的电流、电压、亮度、发光光谱、电流效率、外量子效率等特性采用pr 655光谱扫描亮度计和keithley k 2400数字源表系统同步测试，寿命通过mc
‑
6000测试完成。
[0487]
1、开启电压：以每秒0.1v的速率提升电压，测定当有机电致发光器件的亮度达到1cd/m2时的电压即开启电压；
[0488]
2、lt90的寿命测试如下：通过设定不同的测试亮度，得出有机电致发光器件的亮度与寿命衰减曲线，从而取得器件在要求衰减亮度下的寿命数值。即设定测试亮度为
1000cd/m2，保持恒定的电流，测量有机电致发光器件的亮度降为900cd/m2的时间，单位为小时；
[0489]
上述具体测试结果见表1。
[0490]
表1：
[0491]
[0492]
[0493]
[0494][0495][0496]
本发明的有机电致发光器件结构的电致发光外量子效率都在30％左右，且在高亮度下效率滚降小，半峰宽较窄进而表明其色纯度好。此外该发明的器件寿命较长，表现出整体的优越性。
[0497]
本发明实施例还提供一种显示装置，所述显示装置包括如上述提供的有机电致发光器件。该显示装置具体可以为oled显示器等显示器件，以及包括该显示器件的电视、数码相机、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或者部件。该显示装置与上述有机电致发光器件相对于现有技术所具有的优势相同，在此不再赘述。
[0498]
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制。尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换，而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。