激光器组件的制作方法

1.本技术涉及光电技术领域，特别涉及一种激光器组件。


背景技术：

2.随着光电技术的发展，激光器被广泛应用。
3.如图1所示，激光器中的激光器组件可以包括底板001、热沉002和发光芯片003，热沉002贴装在底板001上，发光芯片003贴装在热沉002远离底板001的一侧。发光芯片003在发光时产生的热量可以通过该热沉002传导至外界，以避免该热量的聚集对发光芯片003的损伤。
4.但是，目前发光芯片热传导效果较差，从而影响发光功率。


技术实现要素：

5.本技术提供了一种激光器组件，可以解决激光器组件中发光芯片热传导效果较差的问题。
6.一方面，提供了一种激光器组件，所述激光器组件包括：。
7.底板、热沉和发光芯片，其中热沉贴装在底板上，发光芯片贴装在热沉远离底板的另一侧；发光芯片沿远离底板的方向依次设置有第一电极、发光结构和第二电极，第一电极具有凸凹表面，热沉与所述凸凹表面接触。
8.本技术提供的技术方案带来的有益效果至少包括：本技术提供的激光器组件中，发光芯片中与热沉的接触面为凸凹表面，使得热传递时接触面的面积较大，从而发光芯片可以通过较大的面积向热沉传导热量，可以提高热量传导速度，提高发光芯片热传导效率，以及，由于第一电极更靠近发光结构中的发光区域，可以以较短的路径进行热传递，也可以加快热传导，利于发光芯片的散热。
附图说明
9.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
10.图1是相关技术提供的一种激光器组件的结构示意图；图2是本技术实施例提供的一种激光器组件的结构示意图；图3是本技术实施例提供的一种发光芯片的结构示意图；图4是本技术实施例提供的另一种发光芯片的结构示意图；图5是本技术实施例提供的再一种发光芯片的结构示意图；图6是本技术实施例提供的又一种激光器组件的结构示意图；图7是本技术实施例提供的一种激光器组件的部分结构示意图；
图8是本技术实施例提供的另一种激光器组件的结构示意图；图9是本技术实施例提供的再一种激光器组件的结构示意图；图10是本技术实施例提供的一种激光器的结构示意图。
具体实施方式
11.为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本技术实施方式作进一步地详细描述。
12.随着光电技术的发展，输出功率较大的激光器的应用越来越广，例如激光器可以应用在焊接工艺，切割工艺以及激光投影等方面。激光器中的发光芯片在发光过程中通常会产生较多的热量，该热量是致使发光芯片损坏的重要因素，故如何快速将该热量传导至外界成为目前激光器领域的研究重点。本技术实施例提供了一种激光器组件，可以提高发光芯片的热量传导速率，进而保证激光器组件的使用寿命。
13.图2是本技术实施例提供的一种激光器组件的结构示意图。如图2所示，该激光器组件10包括：底板101、热沉102和发光芯片103，热沉102贴装在底板101上，发光芯片103贴装在热沉102远离底板101的一侧。发光芯片103中与热沉102的接触面为非平面，例如该接触面为凸凹表面或者粗糙表面。
14.综上所述，本技术实施例提供的激光器组件中，发光芯片中与热沉的接触面非平面，呈现凸凹不平，故该面与其他界面的接触面积较大，从而发光芯片与热沉的接触面积较大。进而，发光芯片可以通过较大的面积向热沉传导热量，可以提高热量传导速度，提高发光芯片通过热沉传导热量的效果。
15.请继续参考图2，激光器组件10还可以包括贴装在底板101上的至少一个反射棱镜104，每个反射棱镜104可以与一个或多个发光芯片103相对应，每个反射棱镜104位于对应的发光芯片103的出光侧。发光芯片103用于向对应的反射棱镜发出光线，每个反射棱镜104用于将对应的发光芯片103射出的光线向远离底板101的方向出射。示例地，每个反射棱镜朝向对应的发光芯片的表面可以为反光面，该反光面用于反射发光芯片发出的光线。
16.需要说明的是，激光器组件10可以包括多个热沉102、多个发光芯片103和多个反射棱镜104，图2仅示出了两个热沉102、两个发光芯片103和两个反射棱镜104。可选地，热沉、发光芯片和反射棱镜的数量可以为6个、10个、20个或者其他个数。可选地，激光器组件中的热沉与发光芯片可以一一对应，每个发光芯片可以贴装在一个热沉上。可选地，反射棱镜与发光芯片也可以一一对应。
17.可选地，本技术实施例中，每个热沉也可以对应至少两个发光芯片。该至少两个发光芯片的排布方向垂直于该至少两个发光芯片与对应的反射棱镜的排布方向，且该至少两个发光芯片相邻。可选地，每个反射棱镜也可以对应至少两个发光芯片。该至少两个发光芯片可以位于对应的反射棱镜的同侧，且该至少两个发光芯片相邻。该至少两个发光芯片的排布方向与发光芯片的出光方向（如图2中的x方向）垂直。如此，该反射棱镜靠近对应的发光芯片的反光面可以用于反射该至少两个发光芯片射出的激光。可选地，该至少两个发光芯片也可以位于反射棱镜的不同侧。如位于反射棱镜中相对的两侧，如此该反射棱镜中位于该两侧中每侧的反光面可以用于反射该侧的发光芯片射出的激光。
18.该接触面包括朝远离热沉的方向凹陷的多个凹陷区域和该多个凹陷区域之外的
多个凸起区域，进而使得该接触面非平面。需要说明的是，表面上的凹陷区域与凸起区域是相对的，该凹陷区域为相对于凸起区域凹陷的区域，该凸起区域为相对于凹陷区域凸起的区域。示例地，如图2所示，发光芯片103靠近底板101的表面（也即是发光芯片103中与热沉102的接触面）可以包括多个凹陷区域，相应地，该接触面还可以包括多个凸起区域。各个凹陷区域和凸起区域可以均匀分布或者也可以随机分布，或者该凹陷区域或沟槽区域可以形成某特定的图案，本技术实施例不作限定。
19.可选地，发光芯片中与热沉的接触面中凹陷区域与凸起区域的高度差的绝对值的范围可以为0.5微米~10微米。
20.请继续参考图2，发光芯片103可以包括沿远离底板101的方向（如图2中的y方向）依次叠置的第一电极1031、发光结构1032和第二电极1033，第一电极1031与第二电极1033可以与外部电源连接，以激发发光结构1032发光。发光结构1032靠近底板101的表面可以具有多个沟槽，第一电极1031可以铺设于发光结构1032靠近底板的表面上。由于第一电极以厚度较薄的金属膜蒸镀在该结构上，从而第一电极1031靠近底板101的表面可以为凸凹表面。第一电极1031靠近底板101的表面，也即是第一电极1031远离发光结构1032的表面，也即是发光芯片中与热沉的接触面。
21.示例地，该多个沟槽可以包括多个凹槽f1。每个凹槽f1可以用于形成第一电极1031靠近底板101的表面中的一个凹陷区域，相应地，凹槽f1之外的区域可用于形成该表面中的凸起区域。如可以先形成发光结构1032，然后在该发光结构1032的一个表面上形成多个凹槽f1。之后在具有凹槽f1的该表面上铺设第一电极1031，第一电极1031中与凹槽f1接触的区域向发光结构1032凹陷，进而第一电极1031远离发光结构1032的表面中的该区域可以为凹陷区域，凹陷区域之外的区域可以为凸起区域。可选地，该凹槽f1可以通过对该发光结构的表面进行粗糙化处理形成，如采用刻蚀工艺形成。
22.又示例地，该多个凸起可以包括多个凸起f2。每个凸起f2可以用于形成第一电极1031靠近底板101的表面中的一个凸起区域，相应地，凸起f2之外的区域可用于形成该表面中的凹陷区域。如可以先形成发光结构1032，然后在该发光结构1032的一个表面上形成多个凸起f2。之后在具有凸起f2的该表面上铺设第一电极1031，第一电极1031中与凸起f2接触的区域向远离发光结构1032的方向凸起，第一电极1031中不与凸起f2接触的区域向发光结构凹陷，进而第一电极1031远离发光结构1032的表面具有凹陷区域和凸起区域。可选地，该凸起f2可以通过涂覆工艺形成，如可以向发光结构上喷涂微型颗粒。需要说明的是，微型可以指微米级别的尺寸，微型颗粒可以指直径在微米级别的颗粒。
23.再示例地，该多个凸起可以包括多个凹槽和多个凸起。如可以在发光结构上形成多个凹槽后再在形成有凹槽的表面上再形成多个凸起，或者也可以在发光结构上形成多个凸起后再在形成有凸起的表面上再形成多个凹槽。形成凹槽和凸起的方式可以参考上述对凹槽f1和凸起f2的相关介绍，本技术实施例不再赘述。
24.需要说明的是，本技术实施例中以第一电极覆盖发光结构靠近底板的整个表面，第二电极覆盖发光结构远离底板的整个表面为例。可选地，第一电极也可以仅覆盖发光结构靠近底板的表面的部分区域，第二电极也可以仅覆盖发光结构远离底板的表面的部分区域，如该部分区域为该表面的中间区域。
25.可选地，第一电极的厚度范围可以为50纳米~300纳米，如该第一电极的厚度为200
纳米。可选地，当该多个凸起包括多个凹槽，如在发光结构上形成多个凹槽时，凹槽的深度范围可以为0.5微米~10微米。由于第一电极的厚度较薄，该第一电极无法将凹槽填充平整，第一电极与凹槽对应的区域朝发光结构凹陷，进而第一电极远离发光结构的表面为凸凹表面。可选地，当该多个凸起包括多个凸起，如在发光结构上形成多个凸起时，凸起的高度范围可以为0.5微米~10微米。由于第一电极的厚度较薄，小于沟槽或者凹陷的绝对深度，该第一电极无法将凸起之间的凹陷填充平整，第一电极与该凹陷对应的区域朝发光结构凹陷，进而第一电极远离发光结构的表面为凸凹表面。
26.可选地，第一电极各个位置的厚度差的绝对值可以小于或等于厚度阈值，进而可以保证第一电极为厚度较为均匀的薄膜，保证第一电极的电流传导效率。如该厚度阈值可以为5纳米或10纳米或其他数值；或该厚度阈值为0纳米，也即是第一电极各个位置的厚度相同。
27.图3是本技术实施例提供的一种发光芯片的结构示意图，图3所示的发光芯片可以为图2所示的发光芯片的左视图。如图3所示，发光芯片103可以包括沿远离底板的方向（如图3中的y方向）依次叠置的第一电极1031、发光结构1032和第二电极1033。需要说明的是，图3中并未对底板进行示意，图3中的z方向垂直于x方向和y方向。如该z方向可以为上述相邻且对应同一反射棱镜的至少两个芯片的排布方向。发光结构1032可以包括：沿远离底板方向依次叠置的基底1032a、第二半导体层1032b、有源层（active layer）1032c、第一半导体层1032d和绝缘层1032e，绝缘层1032e覆盖第一半导体层1032d中的一部分区域。第一半导体层1032d远离基底1032a的表面可以具有凸起t，绝缘层1032e的厚度可以小于该凸起t的高度，绝缘层1032e可以未覆盖该凸起t远离基底1032a的表面。该发光结构1032中基底1032a与第一电极1031接触，也即是基底1032a可以靠近底板设置，基底1032a靠近底板的表面可以具有多个凸起，或者多个沟槽。将图3所示的发光芯片按照基底靠近底板的方式贴装在热沉上，该发光芯片可以称为正装结构的发光芯片。
28.需要说明的是，图3以凸起分布在基底1032a靠近底板的整个表面，进而第一电极1031靠近底板的整个表面非平面为例。可选地，凸起也可以仅分布在基底靠近底板的表面中的部分区域，该部分区域在底板上的正投影可以覆盖第一半导体层的另一部分区域在底板上的正投影，该另一部分区域也即是第一半导体层中未被绝缘层覆盖的区域，本技术实施例未对此种情况进行示意。
29.上述方案中，第一电极1031附着于基底1032a上，第一电极为n极。有源层为激光芯片的发光区域，在发光过程中会产生大量的热，在上述方案中，有源层发光产生的热朝向第二半导体层、基底的方向传递，最终将热量通过基底传递至热沉，并通过热沉传导至底板，底板通常采用金属铜材质，具有良好的导热性能。
30.图4是本技术实施例提供的另一种发光芯片的结构示意图，图4所示的发光芯片可以为图2所示的发光芯片的左视图。如图4所示，发光芯片103可以包括沿远离底板的方向（如图4中的y方向）依次叠置的第一电极1031、发光结构1032和第二电极1033。图4中的发光结构1032的结构与图3中的发光结构1032的结构相同，本技术实施例不再赘述。图4所示的发光芯片103的发光结构1032中绝缘层1032e与第一电极1031接触，也即是绝缘层1032e靠近底板设置，第一半导体层1032d的该另一部分区域靠近底板101的表面具有多个凸起，该另一部分区域也即是第一半导体层1032d中未被绝缘层1032e覆盖的区域。如第一半导体层
1032d具有的凸起t远离基底1032a的表面未被绝缘层1032e覆盖，该表面可以具有多个凸起。将图4所示的发光芯片按照绝缘层靠近底板的方式贴装在热沉上，该发光芯片可以称为倒装结构的发光芯片。
31.需要说明的是，图4中位于第一半导体层1032d的另一部分区域靠近底板的表面具有多个沟槽，进而第一电极1031靠近底板的表面中的部分区域形成凸凹表面。可选地，绝缘层远离基底的表面也可以具有凸起，进而第一电极靠近底板的整个表面可以为非平面，本技术实施例未对此种情况进行示意。图3和图4中的发光芯片，可以称为脊型发光芯片。
32.上述方案中，第一电极1031附着于第一半导体1032d靠近底板且未被绝缘层1032e覆盖的表面区域，该第一半导体为p型半导体，第一电极为p电极。
33.在上述方案中，有源层发光产生的热沿第一半导体层、绝缘层的方向传递，最终将热量传递至与该第一电极1031接触的热沉，并通过热沉传导至底板，底板通常采用金属铜材质，具有良好的导热性能。以及，在本实施例方案中，由于p型半导体层和p电极更靠近有源层1032c，因此可以更短的热传导路径将有源层1032c产生的热量导出，更有利于散热。
34.可选地，图5是本技术实施例提供的再一种发光芯片的结构示意图，图6是本技术实施例提供的又一种发光芯片的结构示意图。图5所示的发光芯片可以与图3所示的发光芯片中各个膜层的排布方式相同，图6所示的发光芯片可以与图4所示的发光芯片中各个膜层的排布方式相同，但图5所示的发光芯片的发光结构1032中绝缘层1032e的厚度可以等于凸起t的高度。图5与图6所示的发光芯片可以称为增益波导条形发光芯片。
35.需要说明的是，图5的发光结构中凸起的设置方式可以与图3中凸起的设置方式相同，图6的发光结构中凸起的设置方式可以与图4中凸起的设置方式相同，本技术实施例不再赘述。在激光器组件中图3的发光芯片103与图5的发光芯片103可以相互替换，图4的发光芯片103与图6的发光芯片103也可以替换，本技术实施例对图5与图6的发光芯片在激光器组件中的设置方式不再赘述。
36.可选地，本技术实施例中发光芯片中第一半导体层具有的凸起可以呈棱台状或四棱柱状，且图3与图4以该凸起呈棱台状为例，图5与图6以该凸起呈四棱柱状为例。
37.本技术实施例的发光芯片中，第二半导体层的材质可以为n型半导体（negative-type semiconductor），也称为电子型半导体；第一半导体层的材质可以为p型半导体（positive-type semiconductor），也称为空穴型半导体。发光芯片中与第二半导体层接触的电极为n电极，也即是负极；与第一半导体层接触的电极为p电极，也即是正极。发光结构还可以包括位于第二半导体层与有源层之间的n型包层，以及位于第一半导体层与有源层之间的p型包层，该n型包层与p型包层也可以称为束缚光子（wave guide）层。
38.需要说明的是，发光芯片是一种电流注入下发出相干辐射光的光电子器件。下面以图3所示的发光芯片为例，对发光芯片的发光原理进行介绍。
39.示例地，图3所示的发光芯片中，第一电极为n电极，第二电极为p电极。第一电极可以与外部电源的正极连接，第二电极可以与外部电源的负极连接，以向发光结构注入电流。在电流的作用下，第二半导体层中的电子向有源层中移动，第一半导体层中的空穴向有源层中移动，以增大有源层中的电子与空穴密度，进而有源层中的电子与空穴复合后激发出光子。该光子在有源层两侧的p型包层与n型包层之间进行振荡反射，使得光子的辐射能量增大，进而从有源层的侧面输出激光。由于第二电极仅覆盖第一半导体层中的该另一部分
区域，故第一半导体层中仅该另一部分区域可以向有源层注入空穴，进而有源层中与该另一部分区域对应的部分区域能够发光。有源层中该部分区域在底板上的正投影位于第一半导体层中该另一部分区域在底板上的正投影内，发光芯片中的实际发光区域即为有源层中的该部分区域。
40.发光芯片中该实际发光区域在发光时产生热量，且该热量较多地在发光芯片中膜层的排布方向上传导，故该热量可以通过第一电极中与该实际发光区域对应的部分区域传导至热沉。第一电极中的该部分区域在底板上的正投影可以与实际发光区域在底板上的正投影重合。在本技术实施例中可以使凸起仅分布在发光结构中的该部分区域（如图4与图6中凸起的设置方式），进而第一电极中仅该部分区域非平面，便可以保证发光芯片的散热面积较大，提高发光芯片产生的热量的传导速度。由于该热量也会按照其他方向传导，本技术实施例中还可以使凸起分布在发光结构靠近底板的整个表面（如图3与图5中凸起的设置方式），进而第一电极中各个区域非平面，可以进一步增大发光芯片的散热面积较大，提高发光芯片产生的热量的传导速度。
41.需要说明的是，由图3至图6的发光芯片的结构可知，发光芯片的实际发光区域位于有源层中，而发光芯片的两个电极中位于绝缘层远离基底的一侧的电极与有源层的距离较近；故使该电极与热沉接触（也即是采用图3或图5倒装结构的发光芯片），可以使实际发光区域在发光时产生的热量通过较小的距离便传导至热沉，保证热量更加及时迅速地通过热沉传导至外界，可以进一步提高发光芯片通过热沉传导热量的效果。
42.可选地，如图5和图6所示，第一半导体层1032d远离基底的表面上可以具有两个凸起t，第一半导体层1032d中未被绝缘层1032e覆盖的区域可以包括两个独立的区域，该两个区域可以分别为该两个凸起t远离基底1031a的表面。如此发光芯片103可以具有两个实际发光区域，进而发光芯片可以发出两束激光。可选地，每个实际发光区域在z方向上的宽度可以为75微米。该两个实际发光区域的间距可以为120微米。图5和图6所示发光芯片中第一半导体层也可以仅具有一个凸起，本技术实施例不作限定。需要说明的是，图3与图4所示的发光芯片中的第一半导体层也可以具有两个凸起，且该两个凸起远离基底的表面可以未被绝缘层覆盖，进而使发光芯片具有两个实际发光区域以发出两束激光，本技术实施例不作限定。
43.激光器组件中可以包括用于发出红光的发光芯片、用于发出绿光的发光芯片和用于发出蓝光的发光芯片。通常激光器组件发出的各束激光需要混合成白光，而通过红光、绿光和蓝光混合得到白光时，红光的占比需要较大，如白光中红光、绿光和蓝光的比例为2:1:1。故本技术实施例提供的激光器组件中用于发出红光的发光芯片可以具有两个实际发光区域，用于发出蓝光的发光芯片和用于发出绿光的发光芯片可以具有一个实际发光区域。
44.下面对上述发光芯片的制备方法进行介绍：在制备发光芯片时，可以先提供基底，该基底的材质与发光芯片发出的激光的颜色相关，如该基底的材质可以包括氮化镓，或者其他材质。之后可以在该基底的表面通过晶体生长的方式依次生长n型半导体层（即是第二半导体层）、有源层和p型半导体层（即是第一半导体层）。如该第一半导体层的材质可以包括氧化铟锡（indium tin oxide，ito）或者其他p型半导体材质。接着，可以对该第一半导体层进行刻蚀，使刻蚀后的第一半导体层远离基底的表面具有一个或两个凸起。之后，在具有凸起的第一半导体层上形成绝缘层，使得该绝缘
层覆盖第一半导体层中除该凸起远离基底的表面之外的其他区域。如该绝缘层的材质可以包括二氧化硅或者其他绝缘材质。然后，可以对该凸起远离基底的表面进行刻蚀，以在该表面形成凹槽；或者对该表面上涂覆微型颗粒，以在该表面上形成凸起（如微型凸起），进而得到图3或图5中发光芯片的发光结构。或者，可以对该基底远离第二半导体层的表面进行刻蚀，以在该表面形成凹槽；或者对该表面上涂覆微型颗粒，以在该表面上形成凸起（如微型凸起），进而得到图4或图6中发光芯片的发光结构。最后，可以在凸起远离基底的一侧蒸镀金属薄膜以及基底远离第二半导体层的一侧蒸镀金属薄膜，以形成第一电极和第二电极，至此制得发光芯片。可选地，发光芯片的整体厚度范围可以为40微米~100微米，如80微米。
45.下面对激光器组件中的热沉进行介绍：图7是本技术实施例提供的一种激光器组件的部分结构示意图，图7中的发光芯片103可以为上述任一发光芯片，且图7中以发光芯片103靠近底板101的整个表面非平面为例。如图7所示，热沉102包括：沿远离底板的方向（如图7中的y方向）依次叠置的散热基板1021、阻焊层1022、导电层1023和焊料层1024。其中，散热基板1021的导热系数较高，用于发光芯片103产生的热量快速传导至外界。焊料层1024用于焊接发光芯片103。导电层1023用于通过焊料层1024与发光芯片103电连接。例如，外部电源可以通过导线与该导电层连接，进而使第一电极通过焊料层与导电层连接至该外部电源。阻焊层1022不与散热基板1021反应，也不与导电层1023反应。阻焊层1022用于防止导电层1023中的离子向散热基板1021扩散，避免对散热基板1021的特性的影响。
46.可选地，散热基板的材质可以包括陶瓷，如氮化铝或碳化硅。需要说明的是，陶瓷的导热性较好，散热效率较高，热稳定性较好，采用陶瓷制备散热基板可以提高热沉对发光芯片的热量进行传导的效果。可选地，散热基板的材质也可以包括铜。可选地，焊料层的材质可以包括焊锡。可选地，导电层的材质可以包括金、银或其他金属。可选地，阻焊层的材质可以包括铂、钯、钛铂金混合物与铜镍金混合物中的至少一种。
47.在组装热沉与发光芯片时，可以将发光芯片放置在热沉的焊料层上，进而可以对焊料层进行加热，以使焊料层融化进而与发光芯片的第一电极充分接触。融化后的焊料层可以与第一电极靠近底板的非平面的表面（也即发光芯片中与热沉的接触面）接触，还可以填充至发光芯片的凹陷区域中。当焊料层固化后，便可以完成热沉与发光芯片的组装。
48.可选地，请继续参考图2或图7，发光芯片103靠近反射棱镜104的一端可以凸出热沉102靠近反射棱镜104的一端。可选地，发光芯片凸出于热沉的部分，在发光芯片与对应的反射棱镜的排布方向（如图2与图7中的x方向）上的长度可以小于15微米。需要说明的是，由于发光芯片发出的激光具有发散角，发光芯片凸出于热沉可以使发光芯片与反射棱镜的距离较近，进而保证发光芯片发出的光线较多地射向反射棱镜，避免发光芯片发出的激光射向底板导致的光线浪费，因此激光器组件发出的光线亮度可以较高。
49.可选地，激光器组件中也可以存在部分发光芯片靠近反射棱镜的一端与热沉靠近反射棱镜的一端平齐，或者激光器组件中的每个发光芯片靠近反射棱镜的一端均与热沉靠近反射棱镜的一端平齐，本技术实施例不作限定。当发光芯片靠近反射棱镜的一端与热沉靠近反射棱镜的一端平齐时，发光芯片与热沉的接触面积较大，进而增加了发光芯片中被热沉支撑的区域面积，提高了发光芯片的设置稳固性。并且，发光芯片与热沉的接触面积较大，可以进一步提高发光芯片通过热沉进行热量传导的效果，提高发光芯片的散热效果。
50.图8是本技术实施例提供的另一种激光器组件的结构示意图。如图8所示，激光器组件10可以包括：底板101、多个热沉102和呈阵列排布的多个发光芯片103。该多个热沉102可以贴装在底板101上，热沉102与至少一个发光芯片103对应，发光芯片103贴装在对应的热沉101远离底板的一侧；发光芯片103中与热沉102的接触面非平面。
51.可选地，图2可以为图8所示的激光器组件的截面a-a’的部分截面示意图，图8中热沉102和发光芯片103均可以参考图2至图7中的热沉102和发光芯片103的相关介绍，本技术实施例不再赘述。图8以激光器组件包括20个发光芯片103，且该20个发光芯片103排成四行五列，该20个发光芯片103可以均朝x方向发光为例。图8中的x方向可以为该多个发光芯片的列方向，z方向可以为该多个发光芯片的行方向，x方向垂直于z方向。可选地，激光器组件中发光芯片203的个数也可以为16个，25个或者其他个数，本技术实施例不作限定。
52.图9是本技术实施例提供的再一种激光器组件的结构示意图。图9可以为激光器组件的俯视图。如图9所示，激光器组件可以包括多个发光芯片103及对应的热沉（图9未示出热沉），以及至少一个反射棱镜104。反射棱镜104可以位于底板101的中间区域，发光芯片103及对应的热沉可以位于底板101的边缘区域，该边缘区域包围该中间区域。例如，激光器组件中的多个发光芯片103可以围成矩形，且包围对应的反射棱镜104。需要说明的是，图9以激光器组件包括16个发光芯片103，且每4个发光芯片103位于矩形的一条边上为例。可选地，矩形的每条边上的发光芯片的数量也可以为5或6或其他值，矩形的不同边上的发光芯片的数量也可以不同，本技术实施例不作限定。
53.需要说明的是，图9以激光器组件仅包括一个反射棱镜，且激光器组件中的发光芯片均对应同一反射棱镜为例。如图9所示，该反射棱镜呈正四棱台状，该正四棱台的四个侧面均可以为反射面，每个反射面用于反射发光芯片射向该反射面的激光，并将该激光向远离底板的方向出射。可选地，各个发光芯片也可以均对应独立的反射棱镜。此时，各个反射棱镜可以围成矩形，且该各个反射棱镜包围的区域中还可以设置发光芯片及对应的反射棱镜，本技术实施例不作限定。
54.可选地，也可以反射棱镜位于底板的边缘区域，发光芯片及对应的热沉位于底板的中间区域，本技术实施例不做限定。
55.需要说明的是，图9仅用于对激光器组件中发光芯片的一种可选排布方式进行示意，激光器组件包括的结构及任一结构的特征均可以参考图2至图7，本技术实施例不作赘述。
56.图10是本技术实施例提供的一种激光器的结构示意图。如图10所示，激光器可以包括：上述任一激光器组件10，管壳105、密封透光层106、上盖107和准直透镜108。图10以该激光器组件10为图2所示的激光器组件为例进行示意。管壳105可以呈环状且贴装在底板101上。上盖107可以呈环状，且该上盖107的中间区域朝底板101凹陷。上盖107的边缘区域固定在管壳105远离底板101的表面上。透光密封层106位于上盖107的中间区域远离底板101的一侧，进而透光密封层106通过上盖107固定于管壳105上。管壳105、透光密封层106、上盖107和底板101可以形成密封空间，热沉102、发光芯片103以及反射棱镜104可以位于该密封空间内。可选地，该密封空间内可以填充有惰性气体，如氮气，以对发光芯片进行保护，防止发光芯片被氧化。需要说明的是，图10并未对发光芯片103中的具体膜层以及接触面非平面的形态进行示意，图10中的发光芯片可以为上述任一发光芯片，热沉可以为图7所示的
热沉。
57.可选地，请继续参考图10，该激光器中的准直透镜108可以与发光芯片103一一对应，准直透镜108可以位于密封透光层106远离底板101的表面上。每个发光芯片103发出的光线在经过对应的反射棱镜104反射后可以射向对应的准直透镜108，进而准直透镜108可以对该光线进行准直后射出激光器。可选地，该多个准直透镜可以一体成型，或者该多个准直透镜也可以相互独立，本技术实施例不作限定。需要说明的是，图10以该多个准直透镜108一体成型，且位于透光密封层106远离底板101的一侧为例；可选地，该准直透镜也可以位于上述密封空间内，本技术实施例不作限定。
58.可选地，透光密封层106的边缘也可以粘贴于管壳105远离底板101的表面上，进而仅由管壳105、透光密封层106和底板101可以形成密封空间，此时激光器可以不包括上盖107。
59.综上所述，本技术实施例提供的激光器组件中，发光芯片中与热沉的接触面非平面，故该接触面的面积较大，发光芯片与热沉的接触面积较大。进而，发光芯片可以通过较大的面积向热沉传导热量，可以提高热量传导速度，提高发光芯片通过热沉传导热量的效果。
60.以上所述仅为本技术的可选实施例，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。