存储器单元、存储器件及其形成方法与流程

技术特征：
1.一种存储器单元，包括：薄膜晶体管，位于半导体衬底上方，所述薄膜晶体管包括：存储器膜，接触字线；以及氧化物半导体(os)层，接触源极线和位线，其中，所述存储器膜设置在所述os层和所述字线之间；以及介电材料，将所述源极线和所述位线分隔开，其中所述介电材料与所述os层形成界面；其中，所述介电材料包括氢，并且其中，在所述介电材料和所述os层之间的所述界面处的氢浓度不超过3原子百分比(at％)。2.根据权利要求1所述的存储器单元，其中，所述介电材料包括：第一介电材料，接触所述os层，所述第一介电材料从所述源极线连续地延伸至所述位线；以及第二介电材料，位于所述第一介电材料的与所述os层相对的侧上，所述第二介电材料从所述源极线连续延伸至所述位线，所述第二介电材料的氢浓度大于所述第一介电材料的氢浓度。3.根据权利要求1所述的存储器单元，其中，所述介电材料包括氧化硅，并且所述介电材料的总氢浓度大于0at％且小于5at％。4.根据权利要求1所述的存储器单元，其中，所述介电材料包括氮化硅，并且所述介电材料的总氢浓度大于0at％且小于10at％。5.根据权利要求1所述的存储器单元，其中，所述os层包括氢。6.根据权利要求1所述的存储器单元，其中，所述os层的氢浓度在10
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原子每立方厘米至10
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原子每立方厘米的范围内。7.根据权利要求1所述的存储器单元，所述字线的纵轴平行于半导体衬底的主表面延伸，所述源极线的纵轴垂直于所述半导体衬底的所述主表面延伸，以及所述位线的纵轴垂直于所述半导体衬底的所述主表面延伸。8.一种存储器件，包括：半导体衬底；第一存储器单元，位于所述半导体衬底上方，所述第一存储器单元包括第一薄膜晶体管，其中，所述第一薄膜晶体管包括：栅电极，包括第一字线的部分；铁电材料的第一部分，所述铁电材料的所述第一部分位于所述第一字线的侧壁上；以及第一沟道区，位于所述铁电材料的侧壁上，所述第一沟道区包括氢，并且所述第一沟道区的氢浓度在10
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原子每立方厘米至10
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原子每立方厘米的范围内；源极线，其中，所述源极线的第一部分提供用于所述第一薄膜晶体管的第一源/漏电极；位线，其中，所述位线的第一部分提供用于所述第一薄膜晶体管的第二源/漏电极；第一介电材料，将所述源极线和所述位线分隔开，其中，所述第一介电材料物理接触所述第一沟道区；以及第二存储器单元，位于所述第一存储器单元上方。
9.根据权利要求8所述的存储器件，其中，所述第二存储器单元包括第二薄膜晶体管，其中，所述源极线的第二部分提供用于所述第二薄膜晶体管的第一源/漏电极，并且其中，所述位线的第二部分提供用于所述第二薄膜晶体管的第二源/漏电极。10.一种形成存储器件的方法，包括：图案化延伸穿过第一导线的第一沟槽；沿着所述第一沟槽的底面和侧壁沉积存储器膜；在所述存储器膜上方沉积氧化物半导体(os)层，所述os层沿着所述第一沟槽的底面和侧壁延伸；在所述os层的上方沉积第一介电材料并且接触所述os层，其中，沉积所述第一介电材料包括同时施加第一流速的第一含氢前体和第二流的第二流速的第二无氢前体，并且其中，所述第二无氢前体的所述第二流速与所述第一含氢前体的所述第一流速的比率至少为60；以及在所述第一介电材料上方沉积第二介电材料以填充所述第一沟槽的剩余部分。

技术总结
存储器单元包括位于半导体衬底上方的薄膜晶体管。薄膜晶体管包括接触字线的存储器膜；以及接触源极线和位线的氧化物半导体(OS)层，其中，存储器膜设置在OS层和字线之间；以及将源极线和位线分隔开的介电材料。介电材料与OS层形成界面。介电材料包括氢，并且在介电材料和OS层之间的界面处的氢浓度不超过3原子百分比(at％)。本申请的实施例提供了存储器单元、存储器件及其形成方法。存储器件及其形成方法。存储器件及其形成方法。


技术研发人员：蒋国璋 孙宏彰 赖昇志 杨子庆 江昱维
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2021.03.04
技术公布日：2021/10/22