显示装置的制造方法及刻蚀溶液与流程

技术特征：
1.一种在室中制造显示装置的方法，在所述室中，包含钇的材料涂覆在内表面上，所述方法包括以下步骤：在基底上通过干刻蚀形成第一层图案；在所述第一层图案上沉积第二层材料；在所述第二层材料上形成光致抗蚀剂图案；通过使用所述光致抗蚀剂图案作为刻蚀掩模完成第二层图案；以及在所述干刻蚀以形成所述第一层图案的所述步骤之后且在在所述第二层材料上形成所述光致抗蚀剂图案的所述步骤之前，通过使用包括盐酸、硫酸和硝酸中的至少一种的刻蚀溶液来执行附加的酸刻蚀工艺。2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第二层材料上形成所述光致抗蚀剂图案的所述步骤包括以下步骤：沉积光致抗蚀剂材料；以及通过曝光所述光致抗蚀剂材料完成所述光致抗蚀剂图案，在通过曝光所述光致抗蚀剂材料完成所述光致抗蚀剂图案的所述步骤之前执行所述附加的酸刻蚀工艺，并且在沉积所述光致抗蚀剂材料的所述步骤与通过曝光所述光致抗蚀剂材料完成所述光致抗蚀剂图案的所述步骤之间执行所述附加的酸刻蚀工艺。3.根据权利要求1所述的方法，其中，通过所述干刻蚀形成所述第一层图案的所述步骤包括以下步骤：在所述基底上沉积第一层材料；在所述第一层材料上沉积第一光致抗蚀剂；曝光所述第一光致抗蚀剂以完成第一光致抗蚀剂图案；以及在完成所述第一层图案之后，去除或清洁在所述第一层图案上剩余的所述第一光致抗蚀剂图案，其中，在去除或清洁所述第一光致抗蚀剂图案的所述步骤之前执行所述附加的酸刻蚀工艺，或者与去除或清洁所述第一光致抗蚀剂图案的所述步骤一起执行所述附加的酸刻蚀工艺。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一层图案和所述第二层图案各自独立地是导电层、半导体层或绝缘层。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述附加的酸刻蚀工艺去除由涂覆在所述室的所述内表面上的钇产生的第一钇化合物，所述第一钇化合物是y2o3。6.根据权利要求5所述的方法，其中，附着到所述基底的载体基底设置在所述基底下方，在所述干刻蚀期间，在所述载体基底的后部或所述后部的边缘部分上形成所述第一钇化合物，并且在清洁工艺中将所述第一钇化合物转化为第二钇化合物yf3。7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一层图案是半导体层，
所述第二层图案是栅极导电层，并且所述方法还包括以下步骤：形成设置在所述半导体层与所述栅极导电层之间的第一栅极绝缘层；形成覆盖所述栅极导电层的第二栅极绝缘层；以及通过使用第三层掩模作为光掩模在所述第二栅极绝缘层上形成第三层图案，其中，在完成所述第二层图案的所述步骤之后且在使用所述第三层掩模曝光以形成所述第三层图案的所述步骤之前，进一步执行所述附加的酸刻蚀工艺，其中，通过所述干刻蚀形成包括在所述显示装置中的导电层之中的形成为比阳极靠近所述基底的所有导电层，并且其中，通过湿刻蚀形成所述阳极。8.一种刻蚀溶液，所述刻蚀溶液包括以下中的至少一种：20％或更少的重量百分比浓度的硝酸；20％或更少的重量百分比浓度的硫酸；以及20％或更少的重量百分比浓度的盐酸，其中，所述刻蚀溶液用于在干刻蚀工艺之后通过去除钇化合物来防止缺陷形成。9.根据权利要求8所述的刻蚀溶液，其中，所述硝酸的所述重量百分比浓度在5％至10％的范围内，所述硫酸的所述重量百分比浓度在2％至8％的范围内，并且所述钇化合物是y2o3或yf3。10.根据权利要求8所述的刻蚀溶液，其中，所述刻蚀溶液还包括磷酸或乙酸，并且所述磷酸或所述乙酸的重量百分比浓度是10％至20％。

技术总结
公开了一种在其中在内表面上涂覆有包含钇的材料的室中制造显示装置的方法和刻蚀溶液，该方法包括以下步骤：在基底上通过干刻蚀形成第一层图案；在第一层图案上沉积第二层材料；在第二层材料上形成光致抗蚀剂图案；通过使用光致抗蚀剂图案作为刻蚀掩模完成第二层图案；以及在干刻蚀以形成第一层图案之后且在第二层材料上形成光致抗蚀剂图案之前，通过使用包括盐酸、硫酸和硝酸中的至少一种的刻蚀溶液来执行附加的酸刻蚀工艺。液来执行附加的酸刻蚀工艺。液来执行附加的酸刻蚀工艺。


技术研发人员：柳龙焕 曹雨辰 郑钟铉 金载运 宋先镇 赵显德
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：2021.02.26
技术公布日：2021/10/22