半导体装置的制作方法

技术特征：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：基板；半导体芯片，配置于所述基板的表面；以及盖，与所述基板的表面接合，并覆盖所述半导体芯片。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还具备芯，该芯以一个表面暴露在所述基板的表面侧的方式埋入于所述基板的内部，所述基板在背面设置有接地电极且包含多个形成为层状的树脂层，所述半导体芯片与填充通孔对置地配置在所述芯的表面，该填充通孔设置为贯通所述树脂层中的配置于所述芯与所述接地电极之间的特定的树脂层，且将所述芯的背面与所述接地电极电连接，并且所述盖为高热传导率的盖且通过包含烧结银的接合材料与所述芯的表面接合。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置具备：所述基板的表面上的配置于所述半导体芯片的周边的周边图案；和配置于所述基板的表面并将所述半导体芯片与所述周边图案连接的线，所述盖具有隧道构造，该隧道构造形成有以非接触的方式对所述线进行布线的开放孔。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述周边图案是将上部填充通孔配置在正下方的中继图案，其中所述上部填充通孔用于将与所述半导体芯片连接的所述线中继到信号电极，所述盖的所述隧道构造的出入口被堵塞，从所述线输入以及输出的电信号，能够经由所述上部填充通孔从自所述基板的表面起第二层以上的层引出到所述盖的外部。5.根据权利要求3或4所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置具备模制树脂，该模制树脂形成于所述基板的整个表面，且设置为以使所述盖的表面暴露的方式包围该盖的周围，在所述基板的厚度方向上，所述模制树脂的表面的高度比所述盖的表面的高度低。6.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述基板具有多个所述半导体芯片，所述周边图案与所述半导体芯片的数量成比例地具有中继图案，该中继图案配置于用于将与所述半导体芯片连接的所述线中继到信号电极的上部填充通孔的正上方，所述盖与所述半导体芯片的数量对应地具有隧道构造，该隧道构造形成有以非接触的方式对所述线进行布线的开放孔。7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述盖具有密闭构造，该密闭构造在所述基板的表面上对多个组合所述半导体芯片、所述线以及所述中继图案而成的组合构成体以相互分离的方式进行密闭。8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，覆盖所述半导体芯片的所述盖的材质为人造金刚石。

技术总结
在具备在背面设置有接地电极并包含多个树脂层(11)的基板(6)、和安装于该基板(6)的表面的半导体芯片(1)的半导体装置中，具备：芯(9)，以一个表面暴露在上述基板(6)的表面侧的方式埋入于上述基板(6)的内部；填充通孔(12)，设置为贯通上述树脂层(11)中的配置于上述芯(9)与上述接地电极之间的树脂层(11)，将上述芯(9)的背面与上述接地电极电连接；表面暴露的高热传导率的盖(4)，以覆盖上述半导体芯片的方式设置于上述基板(6)的表面；包含烧结银(3)的接合材料，将上述盖(4)的背面与上述芯(9)的表面接合；以及模制树脂(7)，在上述基板(6)的整个表面被传递成型，以包围上述盖(4)的周围的方式设置。周围的方式设置。周围的方式设置。


技术研发人员：中屋大佑
受保护的技术使用者：三菱电机株式会社
技术研发日：2019.03.20
技术公布日：2021/10/21