晶圆处理方法和制造半导体器件的方法与流程

技术特征：
1.一种晶圆处理方法，包括：在晶圆的边缘或附近设置具有至少一个通孔的保护件，所述至少一个通孔至少与所述晶圆的边缘部分对应；利用加热设备辐射的热量对所述晶圆进行热处理，其中所述热量中的一部分穿过所述至少一个通孔对所述晶圆的边缘部分进行加热，所述热量中的另一部分直接对所述晶圆的除边缘部分之外的其余部分加热。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述保护件具有环形圈的结构。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述环形圈的外径与内径之间的差为1mm至5mm。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述保护件位于支承所述晶圆的边缘环上方。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述保护件的外径等于或大于所述晶圆的外径。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述至少一个通孔包括多个通孔，所述多个通孔均匀地周向地布置在所述保护件中。7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述通孔的尺寸是可调节的以改变穿过所述通孔的光的总量。8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述通孔的数量是可调节的以改变穿过所述通孔的光的总量。9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述热处理为快速热退火处理工艺。10.根据权利要求1
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9中任一项所述的方法，其中，所述半导体器件包括3d nand型闪存。11.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：通过根据权利要求1所述的方法处理晶圆；在经过热处理后的所述晶圆上形成半导体器件。

技术总结
本申请提供了一种晶圆处理方法和制造半导体器件的方法。该晶圆处理方法包括：在晶圆的边缘或附件设置具有至少一个通孔的保护件，该至少一个通孔至少与晶圆的边缘部分对应；利用加热设备辐射的热量对晶圆进行热处理，其中所述热量中的一部分穿过至少一个通孔对晶圆的边缘部分进行加热，所述热量中的另一部分直接对晶圆的除边缘部分之外的其余部分加热。根据本申请的晶圆处理方法，可以通过保护件调节晶圆边缘部分接收到的热量，从而调节应力，调节晶圆的中心/中部/边缘区域的弯曲，从而平衡整片晶圆的弯曲，也有益于后续的处理工艺，减小晶圆边缘产生裂纹的可能性，提高晶圆的良率。率。率。


技术研发人员：孙璐
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2021.07.14
技术公布日：2021/10/19