相变存储器的制备方法、制备的控制方法以及相变存储器与流程

技术特征：
1.一种相变存储器的制备方法，其特征在于，包括：形成覆盖基底表面的第n个第一导电材料层；其中，n为自然数；形成覆盖第n个所述第一导电材料层的第n个第二导电材料层；在形成第n个所述第二导电材料层的同时，第n个所述第二导电材料层的组成粒子轰击第n个所述第一导电材料层，以使至少部分第n个所述第一导电材料层的组成粒子进入所述基底内并形成粘接层；其中，所述第一导电材料层与所述第二导电材料层的组成粒子相同；形成覆盖所述第二导电材料层的相变存储单元；其中，所述粘接层，用于增大所述第二导电材料层与所述基底之间的附着力。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在形成第n个所述第二导电材料层的同时，第n个所述第二导电材料层的组成粒子轰击第n个所述第一导电材料层，以使至少部分第n个所述第一导电材料层的组成粒子进入所述基底内并形成粘接层，包括：在向第n个所述第一导电材料层表面沉积第n个所述第二导电材料层的组成粒子的同时，至少部分第n个所述第二导电材料层的组成粒子轰击第n个所述第一导电材料层，以使至少部分第n个所述第一导电材料层的组成粒子进入所述基底内；进入所述基底内的第n个所述第一导电材料层的组成粒子与所述基底的组成粒子发生反应，生成组成所述粘接层的产物。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述n大于1且小于预设值m时，形成覆盖第(n
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1)个所述第二导电材料层的第n个所述第一导电材料层；其中，所述n为大于1的正整数；在所述n增加至等于预设值m时，停止向第m个所述第二导电材料层表面沉积第(m 1)个所述第一导电材料层。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在形成所述粘接层之后，利用物理气相沉积工艺向所述第二导电材料层表面沉积导电材料，以使所述第二导电材料层的厚度从第一厚度增加至第二厚度；所述形成覆盖所述第二导电材料层的相变存储单元，包括：在具有第二厚度的所述第二导电材料层表面形成所述相变存储单元。5.一种相变存储器制备的控制方法，其特征在于，所述控制方法包括：在检测到承载台上承载有基底时，发送第n个第一控制指令；根据第n个所述第一控制指令，产生第一电场；其中，在所述第一电场作用下，靶材的组成粒子飞溅至所述基底表面并形成第n个第一导电材料层，n为自然数；在发送第n个所述第一控制指令之后，发送第n个第二控制指令；根据第n个所述第二控制指令，产生第二电场；其中，在所述第二电场作用下，所述靶材的组成粒子飞溅至所述基底表面形成第n个第二导电材料层，并轰击第n个所述第一导电材料层，以使至少部分第n个所述第一导电材料层的组成粒子进入所述基底内并形成粘接层。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述根据第n个所述第一控制指令，产生第一电场，包括：根据第n个所述第一控制指令，开启直流电源，以向所述靶材施加第一直流电压并产生所述第一电场；所述根据第n个所述第二控制指令，产生第二电场，包括：根据第n个所述第二控制指令，保持所述直流电源处于开启状态并开启交流电源，以向所述靶材施加所述第一直流电
压和第二交流电压，产生所述第二电场。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述根据第n个所述第一控制指令，产生第一电场，还包括：在所述n大于1且小于预设值m时，根据第n个所述第一控制指令，保持所述直流电源处于开启状态并关闭所述交流电源；其中，所述n为大于1的正整数。8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述n增加至等于预设值m时，产生第三控制指令；根据所述第三控制指令，保持所述直流电源处于开启状态，并将所述交流电源的功率值从第一功率值减小至第二功率值；其中，所述第二功率值大于0。9.一种相变存储器，其特征在于，包括：基底；相变存储单元，位于所述基底表面；第二导电线，位于所述相变存储单元和所述基底之间；粘接层，位于所述第二导电线和所述基底之间，用于增大所述第二导电线和所述基底之间的附着力；其中，所述粘接层，通过轰击覆盖所述基底表面的第一导电材料层时，至少部分所述第一导电材料层的组成粒子进入所述基底内所形成的；所述粘接层的厚度小于所述基底的厚度。10.根据权利要求9所述的相变存储器，其特征在于，所述粘接层，通过向所述第一导电材料层表面沉积所述第二导电材料层的组成粒子时，注入所述基底内的所述第一导电材料层的组成粒子与所述基底的组成粒子发生反应生成。

技术总结
本公开实施例公开了一种相变存储器的制备方法、制备的控制方法以及相变存储器。所述相变存储器的制备方法包括：形成覆盖基底表面的第n个第一导电材料层；其中，n为自然数；形成覆盖第n个所述第一导电材料层的第n个第二导电材料层；在形成第n个所述第二导电材料层的同时，第n个所述第二导电材料层的组成粒子轰击第n个所述第一导电材料层，以使至少部分第n个所述第一导电材料层的组成粒子进入所述基底内并形成粘接层；其中，所述第一导电材料层与所述第二导电材料层的组成粒子相同；形成覆盖所述第二导电材料层的相变存储单元；其中，所述粘接层，用于增大所述第二导电材料层与所述基底之间的附着力。述基底之间的附着力。述基底之间的附着力。


技术研发人员：骆金龙
受保护的技术使用者：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
技术研发日：2021.04.15
技术公布日：2021/10/18