一种晶片表面处理方法及晶片与流程

技术特征：
1.一种晶片表面处理方法，其特征在于，包括：在位于晶片上表面的源极表面溅射两层种子层；在所述种子层的上表面上依次制备第三金属层和第四金属层；将所述晶片设置在框架上，通过回流焊的方式在所述第四金属层上焊接金属连接线；将完成焊接的所述框架进行塑封。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述两层种子层分别为第一金属层和第二金属层；所述第一金属层为厚度为0.09～0.11微米的钛金属；所述第二金属层为厚度为0.1～0.3微米的金属铜。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一金属层的厚度为0.1微米。4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二金属层的厚度为0.2微米。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述种子层的上表面上依次制备第三金属层和第四金属层，具体包括：在所述源极表面上通过曝光显影方式制备待镀金属的图形，在所述待镀金属图形上依次电镀所述第三金属层和第四金属层。6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第三金属层为厚度1～10微米的金属铜，所述第四金属层为厚度为10～20微米的锡金属或者锡银合金。7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过回流焊的方式在所述第四金属层上焊接金属连接线，具体包括：通过回流焊的方式在所述第四金属层上焊接所述金属连接线，并在所述金属连接线的另一端焊接到源极框架。8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述金属连接线为cu
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clip。9.一种晶片，其特征在于，包括：晶片层；源极金属层；位于所述源极金属层上的源极处理层和所述源极两侧的钝化层；其中，所述源极处理层从下至上依次包括四层金属层。10.如权利要求9所述的晶片，其特征在于，所述四层金属层分别为第一金属层，第二金属层，第三金属层和第四金属层；所述第一金属层为厚度为0.09～0.11微米的钛金属；所述第二金属层为厚度为0.1～0.3微米的金属铜；所述第三金属层为厚度1～10微米的金属铜；所述第四金属层为厚度为10～20微米的锡金属或者锡银合金。

技术总结
本发明公开了一种晶片表面处理方法及晶片，涉及半导体器件技术领域。用以解决现有的Cu


技术研发人员：宁波 刘义芳 何磊
受保护的技术使用者：华羿微电子股份有限公司
技术研发日：2021.06.30
技术公布日：2021/10/18