用于存储器操作的专用命令的制作方法

1.本公开大体上涉及例如存储器系统的设备及其操作，且更特定来说，涉及用于存储器操作的专用命令。


背景技术：

2.存储器系统(例如存储系统)可实施于电子系统(例如计算机、手机、手持式电子装置等)中。一些存储系统(例如固态驱动器(ssd)、嵌入式多媒体控制器(emmc)装置、通用快闪存储(ufs)装置及类似者)可包含用于存储来自主机的主机(例如，用户)数据的非易失性存储存储器。非易失性存储存储器通过在未供电时留存所存储数据而提供永久性数据且可包含(nand快闪存储器、nor快闪存储器、只读存储器(rom)、电可擦除可编程rom(eeprom)、可擦除可编程rom(eprom)及电阻可变存储器(例如相变随机存取存储器(pcram)、电阻性随机存取存储器(rram)、铁电随机存取存储器(feram)、磁阻性随机存取存储器(mram)及可编程导电存储器以及其它类型的存储器。
3.电阻可变存储器单元可经写入(例如，经编程)到所要状态(例如到多个状态中的一者)。例如，相应多个状态中的每一者可对应于相应阈值电压(vt)分布。经编程为单电平单元(slc)的电阻可变存储器单元可存储两个逻辑(例如，二进制)数据状态(例如，1或0)中的一者。经编程为多电平单元(mlc)的电阻可变存储器单元可存储两个以上逻辑数据状态。例如，电阻可变四电平单元可经编程以存储16个状态中的一者，例如1111、0111、0011、1011、1001、0001、0101、1101、1100、0100、0000、1000、1010、0010、0110及1110。
4.电阻可变存储器单元的相应状态(例如，经存储数据值)取决于对应于单元的相应vt的存储器单元的相应经编程电阻。在一些实例中，电阻可变存储器单元可通过在不首先擦除存储器单元的情况下盖写其而重写。此可被称为原位写入。可(例如)通过响应于经施加感测(例如，读取)电压感测通过单元的电流而确定(例如，读取)电阻可变存储器单元的状态。基于单元的电阻变化的经感测电流可指示单元的状态，例如由单元存储的逻辑数据值。然而，经编程电阻可变存储器单元的电阻可随着时间漂移(例如，偏移)。电阻漂移可导致电阻可变存储器单元的错误感测(例如，单元在除其经编程到的状态外的状态中的确定)以及其它问题。
5.在一些实例中，在较低电阻状态中的电阻可变单元可被称为在设置状态(例如，对应于逻辑1)中，且在较高电阻状态中的电阻可变单元可被称为在复位状态(例如，对应于逻辑0)中。例如，在设置状态中的单元可由复位操作原位写入(例如，复位)到复位状态，且在复位状态中的单元可由设置操作原位写入(例如，设置)到设置状态。
附图说明
6.图1是根据本公开的数个实施例的设备的框图。
7.图2说明根据本公开的数个实施例的与将电阻可变单元的群组写入到共同电阻状态相关联的数据模式。
8.图3说明根据本公开的数个实施例的与无预读取操作的写入相关联的数据模式。
9.图4说明根据本公开的数个实施例的与具有数据模式反转的无预读取操作的写入相关联的数据模式。
10.图5说明根据本公开的数个实施例的与刷新操作相关联的数据模式。
11.图6a说明根据本公开的数个实施例的与循环刷新操作相关联的数据模式。
12.图6b说明根据本公开的数个实施例的与循环刷新操作期间的写入相关联的数据模式。
具体实施方式
13.本公开涉及设备及由设备执行的方法(例如，过程)中的技术改进，例如对存储器系统及其操作的技术改进。在一些实施例中，可将电阻可变存储器单元的数个群组写入到共同电阻状态而无需将对应于共同电阻状态的任何主机数据传送到单元。例如，存储器内部的控制器可响应于仅从存储器外部的控制器接收专用命令而将单元写入到存储器内部的共同状态而无需响应于专用命令在单元处接收主机数据。将存储器单元群组写入到共同电阻状态(例如对应于逻辑(例如，二进制)零(0)的复位状态)可提供例如减少电阻可变存储器单元(其电阻电平可(例如，在经编程到目标状态之后)随着时间漂移)的错误读取的益处。
14.在先前方法中，可通过经由数据总线将对应于共同电阻状态的主机数据从外部控制器传送到存储器且将主机数据写入到单元而将存储器单元群组写入到共同电阻状态。然而，此类数据传送可消耗功率及/或数据总线带宽。本公开的实施例可通过响应于从外部控制器接收专用命令而将单元写入到存储器内部的共同电阻状态而无需从外部控制器接收对应于共同电阻的主机数据来减少功率消耗且保留与此类数据传送相关联的数据总线宽度。此可导致对存储器系统及其操作的技术改进。
15.在一些实施例中，可将来自外部控制器的主机数据写入到先前响应于专用写入而经写入到共同电阻状态的存储器单元的目标群组而无需来自外部控制器的预读取命令。例如，可将数据写入到目标群组而无需首先读取目标群组。此可通过减少与执行写入操作(其涉及在写入到群组之前读取存储器单元群组，如先前方法中通常进行)相关联的延时及能量消耗而导致对存储器系统及其操作的技术改进。
16.在一些所公开实施例中，经写入到对应于特定数据值(例如逻辑(1))的特定电阻状态(例如设置状态)的存储器单元的数个群组中的存储器单元可通过响应于从外部控制器接收专用刷新命令将单元写回到存储器内部的特定电阻状态而(例如，周期性地)经刷新而无需响应于刷新命令从外部控制器接收对应于特定电阻状态的任何主机数据。
17.在不同时间经写入到对应于特定数据值的特定电阻状态的不同单元可随着时间漂移到对应于相同特定数据值的不同电阻状态。此可使得难以使用特定读取电压读取不同存储器单元，且读取电压可需要经调整，如先前方法中通常进行。周期性地将已在不同时间经写入的单元刷新回到特定电阻状态可缓解与漂移相关联的问题，例如潜在地消除调整读取电压的需要。
18.刷新单元而无需从外部控制器传送对应于待刷新的数据的任何主机数据可通过响应于从外部控制器接收专用刷新命令刷新存储器内部的单元而无需从外部控制器接收
主机数据来减少功率消耗且保留与此类数据传送相关联的数据总线宽度。此可导致对存储器系统及其操作的技术改进。
19.图1是根据本公开的数个实施例的呈计算系统100的形式的设备的框图。计算系统100包含存储器系统102，所述存储器系统102可为(例如)存储系统，例如ssd、ufs装置、emmc装置等。然而，实施例不限于特定类型的存储器系统。例如，存储器系统102可用作系统100的主存储器。
20.如图1中展示，存储器系统102可包含控制器108，其可被称为存储器系统控制器，这是因为控制器108可控制存储器106。控制器108经耦合到主机104且到存储器106。例如，存储器106可包含数个存储器装置(例如，裸片、芯片等)且用作存储器(例如，主存储器)及/或用作系统102的存储卷。存储器106可经由接口111(例如，存储器接口)耦合到控制器108，所述接口111可包含数据总线且可支持各种标准及/或遵循各种接口类型，例如双倍数据速率(ddr)等。控制器108可接收命令，例如来自主机104的读取及写入命令。控制器108可(例如)接收待写入到存储器106的数据(例如，用户数据)。数据可(例如，经由主机接口112)从主机104接收且可被称为主机数据。
21.主机104可为(例如)主机系统，例如个人膝上型计算机、桌面计算机、数码相机、移动装置(例如，蜂窝电话)、网络服务器、具备物联网(iot)功能的装置或存储器卡读取器以及各种其它类型的主机。例如，主机104可包含能够通过可包含总线的接口112(例如，经由控制器108)存取存储器106的一或多个处理器。接口112可为标准化接口，例如串行高级技术附件(sata)、外围组件互连快速(pcie)或通用串行总线(usb)以及各种其它标准化接口。
22.存储器106可包含数个存储器阵列114(例如，统称为阵列114)及可被称为嵌入式控制器的控制器113。在一些实例中，阵列114可包含2d及/或3d阵列结构，例如交叉点阵列结构。例如，阵列114可包含(例如)非易失性电阻可变存储器单元。
23.控制器113可定位于存储器106内部，且可经由存储器接口111从控制器108接收命令(例如，写入命令、读取命令、刷新命令等)。例如，根据本公开的数个实施例，控制器113可从控制器108接收专用写入全一数据值命令118(例如写入全部逻辑零(0)命令)、专用无预读取的写入命令120及专用刷新命令122。数据缓冲器116可经耦合到阵列114。例如，可将数据从阵列114读取到缓冲器116中，或可在缓冲器116处从控制器108接收主机数据且随后将主机数据写入到阵列114。
24.可将存储器阵列114划分为可响应于写入命令而经写入(例如，经编程)的存储器单元的可寻址群组，所述写入命令寻址群组且可响应于寻址群组的读取命令而经读取。在一些实例中，存储器单元群组可具有对应于从主机104接收的逻辑地址的物理地址。控制器108可包含可将来自主机104的逻辑地址映射到存储器单元群组的物理地址的映射表，例如逻辑到物理(l2p)映射表。存储器单元群组可为对应于逻辑地址的页面。在一些实例中，每一群组可存储可被称为管理单元的数据模式(例如码字)。
25.响应于命令118，控制器113可将命令118中指定的阵列114中的存储器单元群组中的全部存储器单元写入到对应于命令118中指定的数据值(例如全部逻辑0或全部逻辑1)的数据状态而无需响应于命令118在存储器106处从控制器108接收对应于经指定数据值的主机数据。例如，控制器113可将全部存储器单元写入到存储器106内部的数据状态而无需响应于命令118在存储器单元处接收任何主机数据。
26.响应于命令120，控制器113可将从控制器108接收的主机数据写入到存储器单元的目标群组而无需预读取目标群组。例如，目标群组中的全部存储器单元可例如响应于命令118而先前经写入到相同预定状态，借此避免在将经接收主机数据写入到目标群组之前读取目标群组的需要。
27.响应于命令122，控制器113可通过将存储器单元的目标群组的单元中的数据值写回到单元而刷新目标群组中的数据而无需响应于从控制器108接收命令122在存储器106处从控制器108接收对应于待刷新的数据的主机数据。
28.在一些实例中，阵列114中的电阻可变存储器单元可具有与存储元件(例如，相变材料、金属氧化物材料及/或可编程到不同电阻电平的某一其它材料)串联的选择元件(例如，二极管、晶体管或其它切换装置)。例如，存储元件可经编程到对应于位的一部分、单个位或多个位的值的状态。选择元件可用于存取同一存储器单元中的存储元件。
29.选择元件可包含材料，所述材料的至少一部分可在非导电状态与导电状态之间改变(例如，切换)。例如，选择元件可经接通(例如，从非导电状态改变到导电状态)以存取存储元件。在一些实例中，选择元件可包含可变电阻材料(例如，相变材料)。然而，选择元件的材料可使得其可仅作为开关操作(例如，不用于存储信息)以允许存取存储元件。例如，选择元件可包含可不改变相态的硫系材料。
30.存储元件可包含材料，所述材料的至少一部分可(例如，经由写入操作)在不同状态(例如，不同材料相态)之间改变。不同状态可具有(例如)用于表示存储器单元的不同状态的不同电阻值的范围。例如，存储元件可包含可由各种经掺杂或未经掺杂材料形成的硫系材料，所述硫系材料可为或可不为相变材料且在读取及/或编程存储器单元期间可或可不经历相变。在一些实例中，存储元件可包含相变材料(例如，相变硫系合金)，例如铟(in)
‑
锑(sb)
‑
碲(te)(ist)材料(例如，in2sb2te5、in1sb2te4、in1sb4te7等)或锗(ge)
‑
锑(sb)
‑
碲(te)(gst)材料(例如，ge2sb2te5、ge1sb2te4、ge1sb4te7等)。如本文中使用的用连字符连接的化学组合物表示法指示包含于特定混合物或化合物中的元素且希望表示涉及经指示元素的全部理想配比。其它存储元素材料可包含gete、in
‑
se、sb2te3、gasb、insb、as
‑
te、al
‑
te、ge
‑
sb
‑
te、te
‑
ge
‑
as、in
‑
sb
‑
te、te
‑
sn
‑
se、ge
‑
se
‑
ga、bi
‑
se
‑
sb、ga
‑
se
‑
te、sn
‑
sb
‑
te、in
‑
sb
‑
ge、te
‑
ge
‑
sb
‑
s、te
‑
ge
‑
sn
‑
o、te
‑
ge
‑
sn
‑
au、pd
‑
te
‑
ge
‑
sn、in
‑
se
‑
ti
‑
co、ge
‑
sb
‑
te
‑
pd、ge
‑
sb
‑
te
‑
co、sb
‑
te
‑
bi
‑
se、ag
‑
in
‑
sb
‑
te、ge
‑
sb
‑
se
‑
te、ge
‑
sn
‑
sb
‑
te、ge
‑
te
‑
sn
‑
ni、ge
‑
te
‑
sn
‑
pd及ge
‑
te
‑
sn
‑
pt以及各种其它材料。
31.在其它实例中，存储器单元120可包含材料(例如相变材料)，所述材料可用作选择元件及存储元件，使得存储器单元120可用作选择器装置及存储器元件两者。一些此类单元可被称为自选择存储器(ssm)单元。
32.图2说明根据本公开的数个实施例的与将电阻可变单元的群组写入到共同电阻状态相关联的数据模式。例如，图2说明将存储器单元的目标群组的全部单元写入到共同状态，例如对应于逻辑0的数据值的电阻状态(例如，复位状态)。在下文中，逻辑0可指代对应于逻辑0的电阻状态且逻辑1可指代对应于逻辑1的电阻状态(例如，设置状态)。例如，将逻辑0写入到单元可指代将单元写入到对应于逻辑0的电阻状态，且将逻辑1写入到单元可指代将单元写入到对应于逻辑1的电阻状态。例如，单元在复位状态中可具有比在设置状态中更大的电阻。
33.图2中的操作可由控制器113响应于专用命令(例如命令118)执行而无需响应于专用命令在存储器106处从控制器108接收的任何外部主机数据。例如，命令可指定目标群组的地址且全部逻辑0待写入目标群组。响应于命令，控制器113可继续在不从控制器108接收任何主机数据的情况下在存储器106内部写入全部逻辑零。在一些实例中，命令可包含目标群组的地址及在目标群组之后的连续群组的数量。除了目标群组之外，如下描述的写入仅逻辑0操作还可针对连续群组中的每一者执行。虽然图2的实例说明写入全部逻辑0，但在其它实例中，可写入全部逻辑1。
34.如图2中展示，在读取操作234期间从阵列114中的电阻可变存储器单元235
‑
1到235
‑
14的目标群组读取数据模式230(例如，10111010101010)(例如管理单元)到缓冲器216(其可为缓冲器116)。例如，存储于存储器单元235
‑
1到235
‑
14中的数据值可分别经读取到缓冲器216的片段237
‑
1到237
‑
14。接着，控制器113可从缓冲器216中的读取数据模式230确定处于逻辑1的任何单元235。
35.在一些实例中，除了单元235
‑
1到235
‑
14之外，存储器单元群组还可包含用于存储对应于数据模式230的错误校正(ecc)数据的单元。例如，控制器113可在读取操作234期间使用ecc数据以校正数据模式230。
36.接着，可执行写入操作238以仅将经确定为存储(例如，待写入)逻辑1的单元写入逻辑0，从而导致电阻可变存储器单元235
‑
1到235
‑
14的目标群组中的全部逻辑0的数据模式240。在图2中，复位信号r(例如电压或电流信号r)仅施加到经确定为存储逻辑1的单元以将所述单元写入(例如，复位)到逻辑0，而无电压脉冲施加到经写入逻辑0的剩余单元，如由图2中的破折号
“‑”
指示。
37.仅将复位信号r施加到经编程到逻辑1的单元且不将复位信号r施加到经编程到逻辑0的单元可等效于将复位掩码242施加到存储器单元235
‑
1到235
‑
14的群组。复位掩码242具有分别对应于存储器单元235
‑
1到235
‑
14及缓冲器片段237
‑
1到237
‑
14的掩码元素244
‑
1到244
‑
14。对应于复位信号r的相应掩码片段对应于经编程到逻辑1的单元且指示复位脉冲r将施加到所述单元。含有破折号
“‑”
的相应掩码片段指示防止对应单元获得复位脉冲r。此可减少能量消耗且改进能量效率。
38.结合图2描述的写入操作可执行为背景操作(例如与存储器106执行其它操作同时执行)，且可释放接口111用于读取及/或写入阵列114的其它部分(例如阵列114的其它分区)。写入操作改进存储器系统102的操作，且因此导致对存储器系统102的技术改进。避免通过接口111传送逻辑零可减少功率消耗且可改进存储器系统102的性能。
39.图3说明根据本公开的数个实施例的与无预读取操作的写入相关联的数据模式。例如，图3说明例如响应于专用命令120的无预读取的写入的实例。无预读取操作的写入可由控制器113在存储器106内部执行。无预读取操作的写入将在缓冲器316处从控制器108接收的主机数据模式344(例如，10011000110110)写入到阵列114中的电阻可变存储器单元335
‑
1到335
‑
14的目标群组，电阻可变存储器单元335
‑
1到335
‑
14的所述目标群组的地址可在专用命令120中指定且先前可例如响应于命令218而经写入以包含全零的数据模式340(如先前结合图2描述)。此避免预读取单元以确定单元的状态的需要。
40.缓冲器316可为缓冲器116且包含含有数据模式340的相应数据值的缓冲器片段337
‑
1到337
‑
14。缓冲器片段337
‑
1到337
‑
14分别对应于存储器单元335
‑
1到335
‑
14。
41.在一些实例中，响应于专用命令120，控制器113可确定模式344是否具有比逻辑0更多的逻辑1。如果模式具有比逻辑0更多的逻辑1，那么控制器113可对模式执行模式反转，使得先前逻辑1变为逻辑0且先前逻辑0变为逻辑1。然而，模式344具有七个逻辑0及七个逻辑1，且不保证模式反转。
42.写入操作346通过仅写入到待写入逻辑1的所述存储器单元而在数据模式340上原位写入数据模式344。在图3中，设置信号s(例如电流或电压信号s)仅施加到待写入逻辑1的单元以将所述单元写入(例如，设置)逻辑1，而无电压脉冲施加到待编程到逻辑0的剩余单元，如由图3中的破折号
“‑”
指示。此可减少能量消耗且改进能量效率。
43.可写入反转指示符(例如旗标353)以指示模式344是否是经反转模式。例如，旗标353可为用于指示无反转的逻辑数据值(例如逻辑0)或用于指示反转的逻辑1。在图3的实例中，旗标被设置为逻辑0，这是因为从控制器108接收的模式344具有相等数目个逻辑1及逻辑0。在一些实例中，例如在单元群组中的除了单元335
‑
1到335
‑
14之外的单元中，旗标353还可存储为数据模式中的额外位，但实施例并不限于此。
44.仅将设置信号s施加到经编程到逻辑1的单元可等效于将设置掩码350施加到存储器单元335
‑
1到335
‑
14的群组。设置掩码350具有分别对应于存储器单元335
‑
1到335
‑
14及缓冲器片段337
‑
1到337
‑
14的掩码元素352
‑
1到352
‑
14。对应于设置信号s的相应掩码片段对应于待编程到逻辑1的单元且指示设置脉冲s待施加到所述单元。含有破折号
“‑”
的相应掩码片段指示防止对应单元获得设置脉冲s。
45.结合图3论述的无预读取操作的写入可通过减少与执行写入操作(其涉及在写入到群组之前读取存储器单元群组，如先前方法中通常进行)相关联的延时及能量消耗而导致对存储器系统及其操作的技术改进。
46.图4说明根据本公开的数个实施例的与具有数据模式反转的无预读取的写入相关联的数据模式。例如，图4说明例如响应于专用命令120的包含模式反转的无预读取的写入。在缓冲器416处从控制器108接收主机数据模式455(例如，10011001111010)。缓冲器416可为缓冲器116且包含含有数据模式455的相应数据值的缓冲器片段437
‑
1到437
‑
14。控制器113确定在模式455中存在比逻辑0(六个)更多的逻辑1(八个)，且因此对缓冲器416中的模式455执行模式反转456以在缓冲器416内产生经反转模式457(例如，01100110000101)。例如，模式455中的逻辑1是模式457中的逻辑0，且模式455中的逻辑0是模式457中的逻辑1。
47.无预读取操作的写入将模式457写入到阵列114中的电阻可变存储器单元435
‑
1到435
‑
14的目标群组，所述目标群组的地址可在专用命令120中指定且先前可例如响应于命令218而经写入以包含全零的数据模式440(如先前结合图2描述)。例如，存储器单元435
‑
1到435
‑
14分别对应于缓冲器片段437
‑
1到437
‑
14。控制器113可避免在将模式457写入到存储器单元435
‑
1到435
‑
14之前预读取存储器单元435
‑
1到435
‑
14以确定存储器单元435
‑
1到435
‑
14的状态的需要，这是因为控制器113知道存储器单元435
‑
1到435
‑
14的群组存储模式440。
48.写入操作458通过仅写入到待写入逻辑1的所述存储器单元而在数据模式440上原位写入数据模式457。在图4中，设置信号s仅施加到待写入逻辑1的单元以将所述单元写入逻辑1，而无电压脉冲施加到待编程到逻辑0的剩余单元，如由图4中的破折号
“‑”
指示。将旗标453设置到逻辑1以指示模式457已经反转且是从控制器108接收的模式455的反转。
49.具有分别对应于存储器单元435
‑
1到435
‑
14及缓冲器片段437
‑
1到437
‑
14的掩码元素452
‑
1到452
‑
14的设置掩码450可有效地施加到存储器单元435
‑
1到435
‑
14的群组，使得设置信号s仅施加到待编程到逻辑1的单元且防止设置信号s施加到待保持为逻辑0的单元，且由破折号
“‑”
指示。
50.图5说明根据本公开的数个实施例的与刷新操作相关联的数据模式。例如，刷新操作可为响应于专用命令122。控制器113可对单元的目标群组(其地址可在命令122中指定)执行图5中的刷新操作而无需响应于专用命令122在存储器106处从控制器108接收任何主机数据。在一些实例中，地址可不在命令122中指定。例如，控制器113可负责响应于命令122而基于最近刷新群组的时间确定刷新单元的哪些群组。在一些实例中，控制器113可响应于命令122而刷新阵列114的全部。在一些实例中，命令可包含目标群组的地址及在目标群组之后的连续群组的数量。除了目标群组之外，如下描述的刷新操作还可针对连续群组中的每一者执行。虽然图5的实例说明仅刷新存储逻辑1的单元，但在其它实例中，可仅刷新存储逻辑0的单元或可刷新存储逻辑0的单元及存储逻辑1的单元。
51.在图5中，在读取操作560期间从阵列114中的电阻可变存储器单元535
‑
1到535
‑
14的目标群组读取数据模式558(例如，10111010101010)到缓冲器516(其可为缓冲器116)。存储于存储器单元535
‑
1到535
‑
14中的数据值可分别经读取至缓冲器516的片段537
‑
1到537
‑
14。接着，控制器113可从缓冲器516中的读取数据模式558确定经写入到逻辑1的任何单元535。接着，可执行刷新操作562以仅将经确定为存储逻辑1的单元刷新回到逻辑1，从而导致经刷新数据模式558。
52.在一些实例中，除了单元535
‑
1到535
‑
14之外，存储器单元群组还可包含用于对应于数据模式558的ecc数据的单元。例如，控制器113可在读取操作560期间使用ecc数据以校正数据模式558。
53.在图5中，电压脉冲(例如刷新电压脉冲f)仅施加到经确定为存储逻辑1的单元以将所述单元刷新到逻辑1，而无电压脉冲施加到存储逻辑0的剩余单元，如由图5中的破折号
“‑”
指示。例如，存储0的单元可随着时间已漂移到不同电阻状态。可此使得难以使用相同读取电压读取单元。在图5的实例中，将刷新脉冲f施加到存储逻辑1的单元可导致所述单元具有大约相同(例如，相同)电阻状态且因此可缓解与漂移相关联的问题。
54.具有分别对应于存储器单元535
‑
1到535
‑
14及缓冲器片段537
‑
1到537
‑
14的掩码元素566
‑
1到566
‑
14的刷新掩码564可有效地施加到存储器单元535
‑
1到535
‑
14的群组，使得刷新脉冲f仅施加到存储逻辑1的单元且防止刷新脉冲f施加到存储逻辑0的单元，如由破折号
“‑”
指示。
55.图6a说明根据本公开的数个实施例的与循环刷新操作相关联的数据模式。例如，循环刷新操作可为响应于专用命令122而经执行。控制器113可对单元的目标群组(其地址可在命令122中指定)执行图6a中的刷新操作而无需响应于专用命令122在存储器106处从控制器108接收任何主机数据。在一些实例中，命令可包含目标群组的地址及在目标群组之后的连续群组的数量。除了目标群组之外，如下描述的刷新操作还可针对连续群组中的每一者执行。虽然图6a的实例说明仅刷新存储逻辑1的单元，但在其它实例中，可仅刷新存储逻辑0的单元或可刷新存储逻辑0的单元及存储逻辑1的单元。
56.在图6a中，在读取操作672期间从阵列114中的电阻可变存储器单元635
‑
1到635
‑
14的目标群组读取数据模式670(例如，10111010101010)到缓冲器616(其可为缓冲器116)。存储于存储器单元635
‑
1到635
‑
14中的数据值可分别经读取到缓冲器616的片段637
‑
1到637
‑
14。接着，控制器113可从缓冲器616中的读取数据模式670确定经写入到逻辑1的任何单元635。接着，可执行循环刷新操作674以仅将单元635
‑
1到635
‑
14的经确定为存储逻辑1的单元刷新回到逻辑1，从而导致经刷新数据模式670。
57.在一些实例中，除了单元635
‑
1到635
‑
14之外，存储器单元群组还可包含用于对应于数据模式670的ecc数据的单元。例如，控制器113可在读取操作672期间使用ecc数据以校正数据模式670。
58.具有分别对应于存储器单元635
‑
1到635
‑
14及缓冲器片段637
‑
1到637
‑
14的掩码元素678
‑
1到678
‑
14的循环刷新掩码676可有效地施加到存储器单元635
‑
1到635
‑
14的群组，使得循环刷新操作c仅施加到存储逻辑1的单元且防止循环刷新操作c施加到存储逻辑0的单元，如由破折号
“‑”
指示。
59.图6b说明根据本公开的数个实施例的与循环刷新期间的写入相关联的数据模式。例如，图6b说明在图6a的循环刷新674期间的写入的实例。循环刷新操作674可包含写入操作638(例如复位操作)，所述写入操作638仅将复位信号r施加到单元635
‑
1到635
‑
14的经确定为存储逻辑1的单元以将所述单元写入逻辑0以产生全部逻辑0的数据模式640，使得单元635
‑
1到635
‑
14中的每一者存储逻辑0。例如，具有分别对应于存储器单元635
‑
1到635
‑
14及缓冲器片段637
‑
1到637
‑
14的掩码元素644
‑
1到644
‑
14的复位掩码642可有效地施加到存储器单元635
‑
1到635
‑
14的群组，使得复位信号r仅施加到存储逻辑1的单元且防止复位信号r施加到存储逻辑0的单元，如由破折号
“‑”
指示。
60.循环刷新操作674可包含写入操作638(例如复位操作)，所述写入操作638仅将复位信号r施加到单元635
‑
1到635
‑
14的经确定为存储逻辑1的单元以将所述单元写入逻辑0以产生全部逻辑0的数据模式640，使得单元635
‑
1到635
‑
14中的每一者存储逻辑0。例如，具有分别对应于存储器单元635
‑
1到635
‑
14及缓冲器片段637
‑
1到637
‑
14的掩码元素644
‑
1到644
‑
14的复位掩码642可有效地施加到存储器单元635
‑
1到635
‑
14的群组，使得复位信号r仅施加到待编程到逻辑1的单元且防止复位信号r施加到经编程为逻辑0的单元，如由破折号
“‑”
指示。
61.循环刷新操作674可包含写入操作680，例如设置操作。写入操作680通过仅写入到待写入逻辑1的所述存储器单元而在数据模式640上原位写入数据模式670。在图6b中，设置信号s仅施加到待写入逻辑1的单元以将所述单元设置到逻辑1，而无电压脉冲施加到待保持于逻辑0的剩余单元，如由破折号
“‑”
指示。例如，具有分别对应于存储器单元635
‑
1到635
‑
14及缓冲器片段637
‑
1到637
‑
14的掩码元素682
‑
1到682
‑
14的设置掩码681可有效地施加到存储器单元635
‑
1到635
‑
14的群组，使得设置信号s仅施加到待编程到逻辑1的单元且防止设置信号s施加到待保持于逻辑0的单元，如由破折号
“‑”
指示。
62.在前文详细描述中，参考形成其一部分且其中通过说明展示特定实例的附图。在图式中，贯穿若干视图，相同数字描述基本上类似组件。可利用其它实例，且可在不脱离本公开的范围的情况下进行结构、逻辑及/或电改变。
63.本文中的图遵循编号惯例，其中首位或前几位数字对应于图式图号且剩余数字识别图式中的元件或组件。可通过使用类似数字识别不同图之间的类似元件或组件。如将了
解，可添加、交换及/或消除在本文中的各个实施例中展示的元件，以便提供本公开的数个额外实施例。另外，如将了解，在图中提供的元件的比例及相对尺度希望说明本公开的实施例，且不应视为限制意义。
64.如在本文中使用，“数个”事物可指代一或多个此类事物。例如，数个存储器单元可指代一或多个存储器单元。“多个”事物希望为两个或更多个。如本文中使用，同时执行多个动作指代动作在特定时间段内至少部分重叠。如本文中使用，术语“耦合”可包含电耦合、(例如，通过直接物理接触)直接耦合及/或直接连接而无中介元件或与中介元件间接耦合及/或连接。术语耦合可进一步包含彼此协作或交互的两个或更多个元件(例如，如在因果关系中)。
65.尽管已在本文中说明及描述特定实例，但所属领域的一般技术人员将了解，经计算以实现相同结果的布置可取代展示的特定实施例。本公开希望涵盖本公开的一或多个实施例的调适或变化。应理解，已以说明性方式而非限制性方式做出上述描述。应参考所附权利要求书以及此类权利要求所授权的等效物的全范围确定本公开的一或多个实例的范围。