存储器阵列的布局结构的制作方法

技术特征：

1.一种布局方法，其包括：

形成具有第一行及第二行的存储器阵列的布局结构，其中所述第一行及所述第二行中的每一者包括多个存储单元；

在所述第一行与所述第二行之间安置字线；

跨所述字线安置多个控制电极用于分别连接所述第一行的所述多个存储单元及所述第二行的所述多个存储单元；

在位于所述字线的第一侧上的所述多个控制电极中的第一控制电极上安置第一切割层；及

在位于所述字线的第二侧上的所述多个控制电极中的第二控制电极上安置第二切割层；

其中所述字线的所述第一侧与所述字线的所述第二侧相对。

技术总结
本发明实施例涉及存储器阵列的布局结构。本发明实施例涉及一种布局方法，其包含：形成具有第一行及第二行的存储器阵列的布局结构，其中所述第一行及所述第二行中的每一者包括多个存储单元；在所述第一行与所述第二行之间安置字线；跨所述字线安置多个控制电极用于分别连接所述第一行的所述多个存储单元及所述第二行的所述多个存储单元；在位于所述字线的第一侧上的所述多个控制电极中的第一控制电极上安置第一切割层；及在位于所述字线的第二侧上的所述多个控制电极中的第二控制电极上安置第二切割层；其中所述字线的所述第一侧与所述字线的所述第二侧相对。

技术研发人员：张盟升;杨耀仁;周绍禹;王奕
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2020.04.27
技术公布日：2021.01.12