触控基板和触控显示面板的制作方法

1.本公开属于显示技术领域，具体涉及一种触控基板和触控显示面板。


背景技术：

2.通常触控显示屏中的触控电极为矩形设计，当前非矩形触控显示屏越来越被广泛开发应用，而非矩形触控显示屏中的触控电极采用矩形设计时可能会超出显示区域，影响周边区域中的信号线传输的显示信号等，因此通常靠近异形边缘的触控电极会做特殊设计。


技术实现要素：

3.本公开旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种触控基板和触控显示面板。
4.第一方面，本公开实施例提供一种触控基板，所述触控基板划分为平坦区和设置于所述平坦区外围的弯折区；
5.所述触控基板包括触控层，所述触控层包括多个第一触控电极和多个第二触控电极，所述第一触控电极仅位于平坦区，所述第二触控电位于所述平坦区和所述弯折区；
6.其中，所述第二触控电极与所述第一触控电极的形状不同，所述第一触控电极的面积与所述第二触控电极的面积相等。
7.可选地，所述平坦区的轮廓为圆形；沿第一方向排布的所述第一触控电极构成第一触控电极组，沿第二方向排布的所述第一触控电极构成第二触控电极组；
8.沿第一方向排布的所述第二触控电极构成第三触控电极组，沿所述第二方向排布的所述第二触控电极构成第四触控电极组；
9.其中，所述第一触控电极组和所述第三触控电极组错位设置；所述第二触控电极组和所述第四触控电极组错位设置。
10.可选地，以沿所述第二方向延伸、且贯穿所述平坦区的圆心的直线为对称轴，所述第三触控电极组中的第二触控电极呈轴对称设置；
11.以沿所述第一方向延伸、且贯穿所述平坦区的圆心的直线为对称轴，所述第四触控电极组中的第二触控电极呈轴对称设置。
12.可选地，所述第一触控电极的最大长度与所述第二触控电极的最大长度不同，和/或，所述第一触控电极的最大宽度与所述第二触控电极的最大宽度不同。
13.可选地，每个所述第一触控电极的形状相同。
14.可选地，所述触控基板还包括设置在所述触控层下方的基底；
15.所述弯折区包括走线区，所述基底多个具有凹陷部，所述凹陷部设置在所述走线区，所述凹陷部具有圆弧底边，所述每个凹陷部的圆弧底边的弧中点到所述平坦区圆心的距离相同。
16.可选地，所述走线区包括绑定区，所述基底还包括设置在所述绑定区的连接焊盘。
17.可选地，所述触控层还包括多条触控引线，所述触控引线与所述触控电极同层设置且材料相同。
18.可选地，所述触控引线的与所述第一触控电极或所述第二触控电极连接后，沿相邻触控电极组间的缝隙到所述走线区，并与所述走线区的连接焊盘相连接。
19.可选地，所述触控层还包括第三触控电极，所述第三触控电极设置在远离所述连接焊盘一侧的平坦区内，所述第三触控电极的面积小于所述第二触控电极的面积。
20.第二方面，本公开实施例提供一种触控显示面板，包括上述的触控基板；所述触控显示面板还包括设置在所述基底背离所述触控层一侧的显示面板，所述显示面板设置在所述平坦区。
附图说明
21.图1为一种示例性的触控基板的结构示意图；
22.图2为本公开实施例提供的一种触控基板的结构示意图；
23.图3为图2所述触控基板的局部放大图一；
24.图4为图2所述触控基板的局部放大图二；
25.图5为本公开实施例提供的触控基板的基底凹陷部的形成示意图；
26.图6为本公开实施提供的一种触控显示面板的结构示意图；
27.图7为本公开实施例提供的一种显示面板的截面图。
具体实施方式
28.为使本领域技术人员更好地理解本公开的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本公开作进一步详细描述。
29.除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
30.如图1所示，图1为一种示例性的触控基板的结构示意图，如图1所示，圆形触控基板包括显示区域2和包围显示区域2的非显示区域1，其中圆形虚线框可以看作是显示区域2的边界。触控电极3包括的正常触控电极4通常设计为矩形，为满足非矩形显示区域2的形状触控电极同时包括异形触控电极5。如图1所示，异形触控电极5靠近显示区域2的边界一侧设计为弧形，此时异形触控电极5的面积小于正常触控电极4的面积，导致异形触控电极5的触控灵敏度与正常触控电极4的触控灵敏度不一致。
31.基于此，第一方面，本公开实施例提供一种触控基板，触控基板划分为平坦区和设置于平坦区外围的弯折区。触控基板包括触控层，触控层包括多个第一触控电极和多个第
二触控电极，第一触控电极仅位于平坦区，第二触控电位于平坦区和弯折区。其中，第二触控电极与第一触控电极的形状不同，第一触控电极的面积与所述第二触控电极的面积相等。
32.在本实施例中，由于触控层包括多个第一触控电极和多个第二触控电极，第一触控电极仅位于平坦区，第二触控电位于平坦区和弯折区，第二触控电极与第一触控电极的形状不同，第一触控电极的面积与第二触控电极的面积相等，因此，可以保证各个触控电极的触控灵敏度相一致，进而提高了显示面板的触控均一性。
33.需要说明的是，平坦区的形状和弯折区的形状可以相同也可以不同，平坦区的形状和弯折区的形状可以根据具体情况进行设置，在此不做限定。以下以平坦区的轮廓为圆形为例进行举例说明。
34.图2为本公开实施例提供的一种触控基板的结构示意图，如图2所示，本公开实施例提供一种触控基板1000，触控基板1000划分为平坦区a1和设置于平坦区a1外围的弯折区a2。触控基板1000包括触控层10，触控层10包括多个第一触控电极11和环绕多个第一触控电极11设置的多个第二触控电极12。需要说明的是，第一触控电极11和第二触控电极12的个数在此不做具体限定，本实施例是以触控层包括十六个第一触控电极11(rx1
‑
rx16)和十一个第二触控电极12(rx17
‑
rx27)为例进行说明。
35.在本实施例中，十六个第一触控电极11(rx1
‑
rx16)组成4*4的触控电极阵列，触控电极阵列为平坦区a1最大的内切正方形，其中，每个第一触控电极11的形状均相同，并且每个第一触控电极11的面积均相等。触控电极阵列与弯折区a2之间的区域被划分为多个第二触控电极组，其中，每个触控电极组中的第二触控电极的数量相同。每个触控电极组中的第二触控电极12的数量可以根据需要进行设置，本实施例是以每个触控电极组中的第二触控电极12的数量为三个为例进行说明。
36.如图2所示，沿第一方向排布的第一触控电极11构成第一触控电极组(即rx1
‑
rx4构成第一触控电极组，rx5
‑
rx8构成第一触控电极组，rx9
‑
rx12构成第一触控电极组，rx13
‑
rx16构成第一触控电极组)。沿第二方向排布的第一触控电极11构成第二触控电极组(即rx1
‑
rx13构成第二触控电极组，rx2
‑
rx14构成第二触控电极组，rx3
‑
rx15构成第二触控电极组，rx4
‑
rx16构成第二触控电极组)。沿第一方向排布的第二触控电极12构成第三触控电极组(即rx17
‑
rx19构成第三触控电极组，rx25和rx19构成第三触控电极组，rx24和rx21构成第三触控电极组，rx23和rx22构成第三触控电极组)。沿所述第二方向排布的第二触控电极12构成第四触控电极组(即rx23
‑
rx25构成第四触控电极组，rx17和rx26构成第四触控电极组，rx19和rx27构成第四触控电极组，rx20
‑
rx22构成第四触控电极组)。其中，第一触控电极组和第三触控电极组错位设置，第二触控电极组和第四触控电极组错位设置。
37.继续参考图2，以沿第二方向延伸、且贯穿平坦区的圆心o的直线为对称轴，第三触控电极组中的第二触控电极12呈轴对称设置。例如，rx17和rx19以沿第二方向延伸、且贯穿平坦区的圆心o的直线为对称轴，呈轴对称设置。rx26和rx27以沿第二方向延伸、且贯穿平坦区的圆心o的直线为对称轴，呈轴对称设置。
38.以沿所述第一方向延伸、且贯穿所述平坦区的圆心o的直线为对称轴，第四触控电极组中的第二触控电极呈轴对称设置。例如，rx23和rx25以沿所述第一方向延伸、且贯穿所述平坦区的圆心o的直线为对称轴，呈轴对称设置。rx20和rx21以沿第一方向延伸、且贯穿
平坦区的圆心的直线为对称轴，呈轴对称设置。
39.第一触控电极11的最大长度与第二触控电极12的最大长度不同，和/或，第一触控电极11的最大宽度与第二触控电极12的最大宽度不同。如图2所示，本实施例是以第一触控电极11的最大长度与第二触控电极12的最大长度不同，和第一触控电极11的最大宽度与第二触控电极12的最大宽度不同为例进行说明的。
40.继续参考图2，第一触控电极11均仅位于平坦区a1，第二触控电极12同时位于平坦区a1和弯折区a2。并且，第二触控电极12与第一触控电极11的形状不同，第一触控电极11的面积与第二触控电极12的面积相等。
41.在本实施例中，由于第一触控电极11均仅位于平坦区a1，第二触控电极12同时位于平坦区a1和弯折区a2。并且，第二触控电极12与第一触控电极11的形状不同，第一触控电极11的面积与第二触控电极12的面积相等，因此可以保证各个触控电极的触控灵敏度相一致，进而提高了显示面板的触控均一性。同时，由于有部分第二触控电极12位于弯折区a2，因此可实现显示面板的边缘触控功能。
42.在一些实施例中，第一触控电极11和第二触控电极12的类型可以相同，也可以不同。本实施例是以第一触控电极11和第二触控电极12均选用自容式触控电极为例进行说明。通过将第一触控电极11和第二触控电极12均设置为自容式触控电极，自容式触控电极的厚度更薄，弯折性能更好，可以降低制作成本。
43.在一些实施例中，如图2，弯折区a2包括走线区a21(图2中的网格部分)，触控基板1000还包括设置在触控层10下方的基底13。基底13的材料可以为聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate，pmma)、聚乙烯醇(polyvinyl alcohol，pva)、聚乙烯基苯酚(polyvinylphenol，pvp)、聚醚砜(polyether sulfone，pes)、聚酰亚胺、聚酰胺、聚缩醛、聚碳酸酯(poly carbonate，pc)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，pet)、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate，pen)或其组合。或者基底13也可以为柔性基底，例如基底13的材料可以为聚酰亚胺(polyimide，pi)。基底13还可以为多层材料的复合。本实施例是以基底13为柔性基底为例进行说明的。继续参考图2，基底13具有多个凹陷部131，凹陷部131设置在走线区a21，凹陷部131具有圆弧底边，每个凹陷部131的圆弧底边的弧中点到平坦区a1圆心o的距离相同。图3为图2触控基板1000的局部放大图一，如图3所示，a代表平坦区a1轮廓线到基底13边缘的距离，b代表触控层10到基底13边缘的距离，可通过调节a和b的大小，来调节第二触控电极12的面积，进而可使第二触控电极12的面积与第一触控电极11的面积相等。图4为图2所述触控基板1000的局部放大图二，如图4所示，相邻的第二触控电极12(如图4中rx22和rx27)被凹陷部131所隔断，隔断处的触控层10为圆形缺口设计，这样一来，可以避免触控层10贴合到基底13上时发生褶皱，从而提高触控精度。
44.图5为基底13凹陷部131的形成示意图，如图5所示，以平坦区a1的圆心o为中心，将基底13等分成24份扇形，黑色的扇形区域包含第二触控电极12，白色的扇形包含触控层10的缺口101，如图5所示，由abc三点画出圆弧，即为触控层10的缺口101的大小。
45.在一些实施例中，如图2所示，走线区a21包括绑定区a22，基底13上还设置有多条触控引线(图中未示出)和连接焊盘14。其中，连接焊盘14设置在绑定区a22，触控引线与触控电极(11，12)同层设置且材料相同。触控引线的与各个触控电极(11,12)连接后，沿相邻触控电极组间的缝隙到走线区a21，并与走线区a21的连接焊盘14相连接。如图2所示，绑定
区a22的连接焊盘14与柔性线路板15相连，柔性线路15与驱动芯片16相连接，驱动芯片16通过侦测触控基板1000中的触控电极(11,12)的电容值变化来实现触控识别。需要说明的是，驱动芯片16的类型可以根据情况进行选择，在此不做具体限定。例如，驱动芯片16可以为tddi(touch and display driver integration，触控与显示驱动器集成)芯片。
46.在一些实施例中，如图2所示，触控层10上还设置有第三触控电极17(即rx28)，第三触控电极17设置在远离连接焊盘14一侧的平坦区a21内，第三触控电极17的面积小于第二触控电极12的面积。
47.在本实施例中，由于第三触控电极17的面积小于第二触控电极12的面积，因此可以为连接焊盘14提供更多的安装空间。
48.第二方面，本公开实施例提供一种触控显示面板，触控显示面板可以用在智能手表、智能手环或者其他类型的电子设备中。图6为本公开实施提供的一种触控显示面板的结构示意图，如图6所示，触控显示面板包括如上述的触控基板1000，触控显示面板还包括显示面板2000和盖板3000，显示面板设置在基底13背离触控层10的一侧，盖板3000设置在触控层10背离基底13的一侧，其中，显示面板2000设置在平坦区a1，显示面板2000可通过oca胶与触控基板1000粘结，触控基板1000可通过oca胶与盖板3000粘结。
49.如图7所示，显示面板2000可以包括依次层叠设置的衬底基板100、驱动电路层200和像素层300。
50.衬底基板100可以为无机材料的衬底基板100，也可以为有机材料的衬底基板100。举例而言，在本公开的一种实施方式中，衬底基板100的材料可以为钠钙玻璃(soda
‑
lime glass)、石英玻璃、蓝宝石玻璃等玻璃材料，或者可以为不锈钢、铝、镍等金属材料。在本公开的另一种实施方式中，衬底基板100也可以为柔性衬底基板100，例如衬底基板100的材料可以为聚酰亚胺(polyimide，pi)。衬底基板100还可以为多层材料的复合，举例而言，在本公开的一种实施方式中，衬底基板100可以包括依次层叠设置的底膜层(bottom film)、压敏胶层、第一聚酰亚胺层和第二聚酰亚胺层。
51.可选地，在驱动电路层200中，任意一个像素驱动电路可以包括有晶体管t和存储电容。进一步地，晶体管t可以为薄膜晶体管，薄膜晶体管可以为顶栅型薄膜晶体管、底栅型薄膜晶体管或者双栅型薄膜晶体管；薄膜晶体管的有源层的材料可以为非晶硅半导体材料、低温多晶硅半导体材料、金属氧化物半导体材料、有机半导体材料或者其他类型的半导体材料；薄膜晶体管可以为n型薄膜晶体管或者p型薄膜晶体管。在本公开的一种实施方式中，薄膜晶体管为低温多晶硅晶体管。
52.可以理解的是，像素驱动电路中的各个晶体管中，任意两个晶体管之间的类型可以相同或者不相同。示例性地，在一种实施方式中，在一个像素驱动电路中，部分晶体管可以为n型晶体管且部分晶体管可以为p型晶体管。再示例性地，在本公开的另一种实施方式中，在一个像素驱动电路中，部分晶体管的有源层的材料可以为低温多晶硅半导体材料，且部分晶体管的有源层的材料可以为金属氧化物半导体材料。
53.晶体管t可以具有第一端、第二端和控制端，第一端和第二端中的一个可以为晶体管的源极且另一个可以为晶体管的漏极，控制端可以为晶体管的栅极。可以理解的是，晶体管的源极和漏极为两个相对且可以相互转换的概念；当晶体管的工作状态改变时，例如电流方向改变时，晶体管的源极和漏极可以互换。
54.可选地，驱动电路层200可以包括层叠于衬底基板100和像素层300之间的半导体层203、栅极绝缘层204、栅极层205、层间电介质层206和源漏金属层207等。各个薄膜晶体管和存储电容可以由半导体层203、栅极绝缘层204、栅极层205、层间电介质层206、源漏金属层207等膜层形成。其中，各个膜层的位置关系可以根据薄膜晶体管的膜层结构确定。举例而言，在本公开的一种实施方式中，驱动电路层200可以包括依次层叠设置的半导体层203、栅极绝缘层204、栅极层205、层间电介质层206和源漏金属层207，如此所形成的薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管。再举例而言，在本公开的另一种实施方式中，驱动电路层200可以包括依次层叠设置的栅极层205、栅极绝缘层204、半导体层203、层间电介质层206和源漏金属层207，如此所形成的薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管。驱动电路层200还可以采用双栅极层205结构，即栅极层205可以包括第一栅极层和第二栅极层，栅极绝缘层204可以包括用于隔离半导体层203和第一栅极层的第一栅极绝缘层，以及包括用于隔离第一栅极层和第二栅极层的第二栅极绝缘层。举例而言，在本公开的一种实施方式中，驱动电路层200可以包括依次层叠设置于衬底基板100一侧的半导体层203、第一栅极绝缘层、第一栅极层、第二栅极绝缘层、第二栅极层、层间电介质层206和源漏金属层207。
55.可选地，驱动电路层200还可以包括有钝化层，钝化层可以设于源漏金属层207远离衬底基板100的表面，以便保护源漏金属层207。
56.可选地，驱动电路层200还可以包括设于衬底基板100与半导体层203之间的缓冲材料层，且半导体层203、栅极层205等均位于缓冲材料层远离衬底基板100的一侧。缓冲材料层的材料可以为氧化硅、氮化硅等无机绝缘材料。缓冲材料层可以为一层无机材料层，也可以为多层层叠的无机材料层。示例性地，在本公开的一种实施方式中，缓冲材料层可以包括靠近衬底基板100一侧的阻隔层201和位于阻隔层201远离衬底基板100一侧的缓冲层202。阻隔层201用于阻挡衬底基板100中的离子等组分向驱动电路层200渗透，使得驱动电路层200保持性能稳定。缓冲层202可以提高驱动电路层200与衬底基板100之间的结合力，并为驱动电路层200提供稳定环境。
57.可选地，驱动电路层200还可以包括位于源漏金属层207和像素层300之间的平坦化层208，平坦化层208可以为像素电极提供平坦化表面。可选地，平坦化层208的材料可以为有机材料。
58.可选地，像素层300可以设置于驱动电路层200远离衬底基板100的一侧，其可以包括依次层叠设置的像素电极层301、像素定义层302、支撑柱层303、有机发光功能层304和公共电极层305。其中，像素电极层301在背板的显示区具有多个像素电极；像素定义层302在显示区具有与多个像素电极一一对应设置的多个贯通的像素开口，任意一个像素开口暴露对应的像素电极的至少部分区域。支撑柱层303在显示区包括多个支撑柱，且支撑柱位于像素定义层302远离衬底基板100的表面，以便在蒸镀制程中支撑精细金属掩模版(fine metal mask，fmm)。有机发光功能层304至少覆盖被像素定义层302所暴露的像素电极。其中，有机发光功能层304可以包括有机电致发光材料层，以及可以包括有空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层中的一种或者多种。可以通过蒸镀工艺制备有机发光功能层304的各个膜层，且在蒸镀时可以采用精细金属掩模版或者开放式掩膜板(open mask)定义各个膜层的图案。公共电极层305在显示区可以覆盖有机发光功能层304。如此，像素电极、公共电极层305和位于像素电极和公共电极层305之间的有
机发光功能层304形成有机发电致光二极管d，任意一个有机电致发光二极管d可以作为背板的一个子像素。
59.在一些实施方式中，像素层300还可以包括位于公共电极层305远离衬底基板100一侧的光取出层，以增强有机发光二极管的出光效率。
60.可选地，背板还可以包括薄膜封装层400。薄膜封装层400设于像素层300远离衬底基板100的表面，可以包括交替层叠设置的无机封装层和有机封装层。其中，无机封装层可以有效的阻隔外界的水分和氧气，避免水氧入侵有机发光功能层304而导致材料降解。可选地，无机封装层的边缘可以位于外围区。有机封装层位于相邻的两层无机封装层之间，以便实现平坦化和减弱无机封装层之间的应力。其中，有机封装层的边缘，可以位于显示区和无机封装层的边缘之间。示例性地，薄膜封装层400包括依次层叠于像素层300远离衬底基板100一侧的第一无机封装层401、有机封装层402和第二无机封装层403。
61.在一些实施例中，上述触控显示面板1000可以用于智能手表。由于触控显示面板1000的弯折区也具有触控电极，因此，具有上述触控显示面板的智能手表，可以实现手表侧壁的触控感应功能，例如，可以滑动手表侧壁切换应用程序、图片、信息等。通过设置具有触控功能的手表侧壁取代原来的物理旋钮，可以提升智能手表的防水性能，还可以提高用户体验。
62.可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本公开的原理而采用的示例性实施方式，然而本公开并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本公开的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本公开的保护范围。