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波长转换部件及其制造方法、以及发光装置与流程

2021-10-23 03:46:00 来源:中国专利 TAG:波长 转换成 部件 发光 装置

技术特征:
1.一种波长转换部件,其特征在于:包括基质和分散在所述基质中的荧光体颗粒,所述基质由平均细孔径为5μm以下的氧化物多孔体构成。2.如权利要求1所述的波长转换部件,其特征在于:所述基质的气孔率为10%以下。3.如权利要求1或2所述的波长转换部件,其特征在于:所述基质由氧化镁构成。4.如权利要求1~3中任一项所述的波长转换部件,其特征在于:所述基质还含有热传导性颗粒。5.如权利要求4所述的波长转换部件,其特征在于:所述热传导性颗粒由氧化镁构成。6.如权利要求4或5所述的波长转换部件,其特征在于:将所述荧光体颗粒设为平均粒径d
p
,将所述热传导性颗粒的平均粒径设为d
m
时,满足下述条件(a):(a)0.1≤d
p
/d
m
≤10。7.如权利要求1~6中任一项所述的波长转换部件,其特征在于:所述荧光体颗粒的含量以体积%计为0.01~80%。8.一种波长转换部件,其特征在于:在由氧化物构成的基质中分散有荧光体颗粒,所述波长转换部件的热扩散率为2
×
10
-6
m2/s以上。9.如权利要求1~8中任一项所述的波长转换部件,其特征在于:所述波长转换部件的量子效率为20%以上。10.如权利要求1~9中任一项所述的波长转换部件,其特征在于:热扩散率与量子效率的值之积为8
×
10
-5
以上,其中,热扩散率的单位是m2/s,量子效率的单位是%。11.一种波长转换部件的制造方法,其用于制造权利要求1~10中任一项所述的波长转换部件,该制造方法的特征在于,包括:将荧光体颗粒和金属盐混合并进行烧制,从而使所述金属盐发泡,制成氧化物多孔体的工序。12.如权利要求11所述的波长转换部件的制造方法,其特征在于,包括:通过利用所述金属盐包覆所述荧光体颗粒来准备经金属盐包覆的荧光体颗粒的工序;和通过对所述经金属盐包覆的荧光体颗粒进行烧制,使所述金属盐发泡,制成氧化物多孔体的工序。13.如权利要求11或12所述的波长转换部件的制造方法,其特征在于:将所述经金属盐包覆的荧光体颗粒的包覆层的厚度设为t
p
,将所述荧光体颗粒的平均粒径设为d
p
时,满足下述条件(b):
(b)0.01≤t
p
/d
p
≤0.3。14.一种波长转换部件的制造方法,其用于制造权利要求4~10中任一项所述的波长转换部件,该制造方法的特征在于,包括:通过将荧光体颗粒、热传导性颗粒和金属盐混合并进行烧制,使所述金属盐发泡,制成氧化物多孔体的工序。15.如权利要求14所述的波长转换部件的制造方法,其特征在于:通过利用金属盐包覆所述热传导性颗粒来准备经金属盐包覆的热传导性颗粒的工序;和通过将荧光体颗粒和所述经金属盐包覆的热传导性颗粒混合并进行烧制,使所述金属盐发泡,制成氧化物多孔体的工序。16.如权利要求15所述的波长转换部件的制造方法,其特征在于:将所述经金属盐包覆的热传导性颗粒的包覆层的厚度设为t
m
,将所述热传导性颗粒的平均粒径设为d
m
时,满足下述条件(c):(c)0.01≤t
m
/d
m
≤0.3。17.如权利要求14~16中任一项所述的波长转换部件的制造方法,其特征在于:所述金属盐所包含的金属元素和所述热传导性颗粒中所包含的作为主成分的金属元素相同。18.如权利要求15~17中任一项所述的波长转换部件的制造方法,其特征在于:通过利用所述金属盐包覆所述荧光体颗粒来准备经金属盐包覆的荧光体颗粒,将所述经金属盐包覆的荧光体颗粒和所述经金属盐包覆的热传导性颗粒混合并进行烧制。19.如权利要求11~18中任一项所述的波长转换部件的制造方法,其特征在于:所述金属盐由碳酸盐和/或氢氧化物盐构成。20.如权利要求11~19中任一项所述的波长转换部件的制造方法,其特征在于:通过加热压制进行烧制。21.如权利要求11~20中任一项所述的波长转换部件的制造方法,其特征在于:烧制时的最高温度为1300℃以下。22.如权利要求11~21中任一项所述的波长转换部件的制造方法,其特征在于:在不活泼气氛、还原气氛或真空气氛中进行烧制。23.一种发光装置,其特征在于:包括权利要求1~10中任一项所述的波长转换部件和对所述波长转换部件照射激发光的光源。24.如权利要求23所述的发光装置,其特征在于:所述光源为激光二极管。

技术总结
本发明的目的在于提供一种能够抑制波长转换部件的温度上升、能够抑制经时的发光强度的降低和构成材料的变形、变色的波长转换部件及其制造方法、以及发光装置。一种波长转换部件(10),其特征在于,包括基质(1)和分散在基质(1)中的荧光体颗粒(3),基质(1)由平均细孔径为50μm以下的氧化物多孔体(2)构成。为50μm以下的氧化物多孔体(2)构成。为50μm以下的氧化物多孔体(2)构成。


技术研发人员:福本彰太郎 藤田俊辅
受保护的技术使用者:日本电气硝子株式会社
技术研发日:2020.04.06
技术公布日:2021/10/22
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