纳米复合材料及其制备方法、薄膜和发光二极管与流程

技术特征：
1.一种纳米复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在惰性气体气氛下，将金属氧化物纳米颗粒和氟代立方烷类化合物分散在有机溶剂中，进行混合处理，获得包含有纳米复合材料的混合溶液；将所述混合溶液进行固液分离，获得所述纳米复合材料。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述混合处理温度为110-200摄氏度，时间为30分钟以上。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氟代立方烷类化合物的重量为所述金属氧化物纳米颗粒的重量的1％-5％；和/或将金属氧化物纳米颗粒和氟代立方烷类化合物分散在有机溶剂中的步骤中，分散在所述有机溶剂中的所述金属氧化物纳米颗粒的浓度为10-100mg/ml。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氟代立方烷类化合物选自1-氟立方烷、2,4-二氟立方烷、1-氟甲基立方烷和1-氟乙基立方烷中的至少一种；和/或所述金属氧化物纳米颗粒选自氧化镍、氧化钒、氧化钨和氧化钼中的至少一种。5.根据权利要求1至4中任一项所述的制备方法，其特征在于，将所述混合溶液进行固液分离的步骤包括，将所述混合溶液在110-200摄氏度下进行退火处理。6.一种纳米复合材料，其特征在于，包括：金属氧化物纳米颗粒和氟代立方烷类化合物，所述氟代立方烷类化合物连接所述金属氧化物纳米颗粒。7.根据权利要求6所述的纳米复合材料，其特征在于，所述氟代立方烷类化合物选自1-氟立方烷、2,4-二氟立方烷、1-氟甲基立方烷和1-氟乙基立方烷中的至少一种。8.根据权利要求6所述的纳米复合材料，其特征在于，所述金属氧化物纳米颗粒选自氧化镍、氧化钒、氧化钨和氧化钼中的至少一种。9.根据权利要求6所述的纳米复合材料，其特征在于，所述氟代立方烷类化合物在所述金属氧化物纳米颗粒的表面形成包覆层。10.根据权利要求6至9任一项所述的纳米复合材料，其特征在于，所述氟代立方烷类化合物的重量为所述金属氧化物纳米颗粒的重量的1％-5％。11.一种薄膜，其特征在于，所述薄膜的材料包括：金属氧化物纳米颗粒和氟代立方烷类化合物，所述氟代立方烷类化合物连接所述金属氧化物纳米颗粒。12.一种发光二极管，包括相对设置的阴极和阳极，设置在所述阴极和所述阳极之间的发光层，以及设置在所述发光层和所述阳极之间的空穴传输层，其特征在于，所述空穴传输层的材料包括：金属氧化物纳米颗粒和氟代立方烷类化合物，所述氟代立方烷类化合物连接所述金属氧化物纳米颗粒。

技术总结
本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种纳米复合材料及其制备方法、薄膜和发光二极管。本发明提供的制备方法包括：在惰性气体气氛下，将金属氧化物纳米颗粒和氟代立方烷类化合物分散在有机溶剂中，进行混合处理，获得包含有纳米复合材料的混合溶液；将混合溶液进行固液分离，获得纳米复合材料。由此制得的纳米复合材料包括：金属氧化物纳米颗粒和氟代立方烷类化合物，所述氟代立方烷类化合物连接所述金属氧化物纳米颗粒。采用氟代立方烷类化合物表面修饰金属氧化物纳米颗粒，有利于提升金属氧化物纳米颗粒表面的空穴迁移率，以平衡复合纳米材料的空穴-电子传输速率；促进空穴传输层的空穴传输到发光层与电子复合发光，提高QLED器件的发光性能。器件的发光性能。器件的发光性能。


技术研发人员：吴劲衡 吴龙佳 何斯纳
受保护的技术使用者：TCL科技集团股份有限公司
技术研发日：2020.03.23
技术公布日：2021/9/23