用于切割胶带的粘合剂组合物和包含其的切割胶带的制作方法

1.本技术要求于2019年9月26日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10
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2019
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0119120号的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文。本发明涉及用于切割胶带的粘合剂组合物和包含其的切割胶带。


背景技术：

2.通常，半导体芯片制造方法包括在晶片上形成精细图案的过程和对晶片进行抛光和封装以满足最终器件的规格的过程。
3.封装过程包括：检查半导体芯片中的缺陷的晶片检查过程；通过切割将晶片分离成单个芯片的切割过程；将单个芯片附接至电路膜或引线框的安装板的管芯接合过程；通过电连接手段(例如导线)将设置在半导体芯片上的芯片焊盘连接至电路膜或引线框的电路图案的导线接合过程；用封装材料对半导体芯片进行封装以保护半导体芯片的内部电路和其他部件的模制过程；对连接引线的阻挡条进行切割的修剪过程；将引线弯曲成期望形式的成形过程；以及检查封装产品中的缺陷的最终产品检查过程。
4.在切割过程中，通过金刚石砂轮等将晶片切割成预定厚度。在切割过程之前，在适当的条件下将切割胶带层合到晶片的背面上以固定晶片，然后进行切割过程。此外，使用管芯接合膜(粘合剂膜)来将切割的单个芯片附接至电路板。通过切割过程，由其中形成有复数个芯片的半导体晶片制造出分离的单个芯片。就广义来说，切割过程是通过研磨半导体晶片的背面并沿着芯片之间的切割线切割半导体晶片来制造复数个分离的单个芯片的过程。
5.此外，在常规的切割过程中，存在产率由于对芯片的损坏而降低的问题。为了解决该问题，已经提出了包括在用刀片将半导体芯片切割之后进行的扩展过程的制造方法。在该制造方法中，使经切割的半导体晶片扩展，用紫外(uv)光照射半导体晶片的基础膜，并拾取复数个单个芯片。
6.然而，在扩展过程期间，发生其中切割的芯片的外围被举离的管芯举离现象，并且氧被捕获在举离部分中。此后，在照射uv光的过程中产生的自由基与所捕获的氧反应而形成过氧自由基，并因此在芯片的外围处发生氧抑制现象。其中发生氧抑制现象的表面保持具有高的粘附性，并且当拾取芯片时，产生芯片拾取的成功率由于膜之间的固定而降低的问题。


技术实现要素：

7.技术问题
8.本发明的目的是提供用于切割胶带的粘合剂组合物和包含所述用于切割胶带的粘合剂组合物的切割胶带，所述用于切割胶带的粘合剂组合物能够防止芯片拾取的成功率由于切割过程中发生的氧抑制现象而降低。
9.然而，本发明要实现的目的不限于上述目的，并且本领域技术人员将从以下描述
中清楚地理解未提及的其他目的。
10.技术方案
11.本发明的一个实施方案提供了用于切割胶带的粘合剂组合物，所述用于切割胶带的粘合剂组合物包含：粘结剂；还原剂；和光引发剂。
12.本发明的另一个实施方案提供了切割胶带，所述切割胶带包括：基础膜；和形成在基础膜的至少一个表面上的粘合剂层，其中所述粘合剂层包含所述用于切割胶带的粘合剂组合物。
13.有益效果
14.如上所述，由于根据本发明的一个实施方案的用于切割胶带的粘合剂组合物还包含还原剂，因此其可以通过引发过氧自由基的还原来减轻氧抑制现象。
15.此外，由于根据本发明的一个实施方案的切割胶带在其粘合剂层中包含所述用于切割胶带的粘合剂组合物，因此其可以防止芯片拾取的成功率降低。
16.本发明的效果不旨在限于上述效果，并且本领域技术人员将从本说明书中清楚地理解未提及的效果。
具体实施方式
17.基于本发明人可以根据原则适当地限定术语的含义以以最好的方式描述他们的发明的这样的原则，本说明书和所附权利要求中所使用的术语不应被解释为限于一般含义或字典定义，而是应被解释为具有与本发明的技术范围相关的含义和概念。因此，应理解，本说明书中描述的实施方案仅为本发明的最优选的实例，而不包括本发明的全部技术精神，并因此在提交本发明时可以存在能够代替这些实施方案的各种等同方案和修改方案。
18.在整个本说明书中，应理解，当任何部分被称为“包含”任何组分时，除非另有说明，否则其不排除其他组分，而是还可以包含其他组分。
19.在整个本说明书中，当任何构件被称为在另一构件“上”时，其不仅指任何构件与另一构件接触的情况，而且还指在这两个构件之间存在第三构件的情况。
20.在整个本说明书中，单位“重量份”可以指组分之间的重量比。
21.在整个本说明书中，术语“(甲基)丙烯酸酯”用作用于丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯的集合术语。
22.在整个本说明书中，任何化合物的“重均分子量”和“数均分子量”可以使用该化合物的分子量和分子量分布来计算。具体地，该化合物的分子量和分子量分布可以通过以下来获得：将四氢呋喃(thf)和该化合物放置在1ml玻璃小瓶中以制备其中该化合物的浓度为1重量％的测试样品；通过过滤器(孔尺寸：0.45μm)将标准样品(聚苯乙烯)和测试样品过滤；将各样品滤液注入到gpc注入器中；并将测试样品的洗脱时间与标准样品的校准曲线进行比较。此时，可以使用infinity ii 1260(agilent technologies,inc.)作为测量仪器，以及可以将流量和柱温分别设定为1.00ml/分钟和40.0℃。
23.在整个本说明书中，“玻璃化转变温度(tg)”可以使用差示扫描分析(differnetial scanning analysis，dsc)测量。具体地，玻璃化转变温度可以使用dsc(差示扫描量热仪，dscq2000，ta instrument korea)通过以下来测量：在
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60℃至150℃的温度范围内以5℃/分钟的加热速率对样品进行加热，在所述温度范围内进行双循环实验，并测
量绘制为其中存在热变化的量的点的dsc曲线的中点。
24.在常规切割过程的扩展过程中，发生其中切割的芯片的外围被举离的管芯举离现象，并且氧被捕获在举离的部分中。此后，在照射紫外(uv)光的过程中产生的自由基与捕获的氧反应形成过氧自由基，并因此在芯片的外围处发生氧抑制现象。其中发生氧抑制现象的表面保持具有高的粘附性，并且当拾取芯片时，产生芯片拾取的成功率由于膜的固定而降低的问题。
25.本发明的一个实施方案提供了用于切割胶带的粘合剂组合物，所述用于切割胶带的粘合剂组合物包含：粘结剂；还原剂；和光引发剂。
26.由于根据本发明的用于切割胶带的粘合剂组合物还包含还原剂，因此其可以通过引发过氧自由基的还原来减轻氧抑制现象。
27.根据本发明的一个实施方案，粘结剂可以包含具有以下玻璃化转变温度的基于(甲基)丙烯酸酯的树脂：
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28℃至
‑
58℃、29℃至
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57℃、
‑
30℃至
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56℃、
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30℃至
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55℃、
‑
31℃至
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54℃、
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32℃至
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53℃、
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33℃至
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52℃、
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34℃至
‑
51℃、或
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35℃至
‑
50℃。当如上所述选择粘结剂时，可以控制粘合剂组合物的粘合力，并且可以控制通过捕获的氧与紫外(uv)照射过程中产生的自由基的反应而产生的过氧自由基的浓度。
28.根据本发明的一个实施方案，基于(甲基)丙烯酸酯的树脂可以包含基于(甲基)丙烯酸酯的单体和含可交联官能团的单体的共聚物。当基于(甲基)丙烯酸酯的树脂包含上述共聚物时，可以实现粘合剂层的基本物理特性。
29.根据本发明的一个实施方案，基于(甲基)丙烯酸酯的单体可以为(甲基)丙烯酸烷基酯。更具体地，基于(甲基)丙烯酸酯的单体可以为以下作为具有含有1至12个碳原子的烷基的单体中的一者或者两者或更多者的混合物：(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸2
‑
乙基己酯、(甲基)丙烯酸十二烷酯和(甲基)丙烯酸癸酯。当基于(甲基)丙烯酸酯的单体选自以上描述的那些时，可以实现粘合剂层的基本物理特性。
30.根据本发明的一个实施方案，含可交联官能团的单体可以为含羟基的单体、含羧基的单体和含氮的单体中的一者或者两者或更多者的混合物。当含可交联官能团的单体选自以上描述的那些时，可以实现粘合剂层的基本物理特性。
31.根据本发明的一个实施方案，含羟基的单体可以为选自以下中的一者：(甲基)丙烯酸2
‑
羟乙酯、(甲基)丙烯酸2
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羟丙酯、(甲基)丙烯酸4
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羟丁酯、(甲基)丙烯酸6
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羟己酯、(甲基)丙烯酸8
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羟辛酯、2
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羟基乙二醇(甲基)丙烯酸酯、2
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羟基丙二醇(甲基)丙烯酸酯及其组合。当含羟基的单体选自以上描述的那些时，可以实现粘合剂层的基本物理特性。
32.根据本发明的一个实施方案，含羧基的单体可以为选自以下中的一者：(甲基)丙烯酸、2
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(甲基)丙烯酰氧基乙酸、3
‑
(甲基)丙烯酰氧基丙酸、4
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(甲基)丙烯酰氧基丁酸、丙烯酸二聚体、衣康酸、马来酸、马来酸酐及其组合。当含羧基的单体选自以上描述的那些时，可以实现粘合剂层的基本物理特性。
33.根据本发明的一个实施方案，含氮的单体可以为选自(甲基)丙烯腈、n
‑
乙烯基吡咯烷酮、n
‑
乙烯基己内酰胺及其组合中的一者。当含氮的单体选自以上描述的那些时，可以实现粘合剂层的基本物理特性。
34.根据本发明的一个实施方案，基于(甲基)丙烯酸酯的树脂还可以包含选自乙酸乙
烯酯、苯乙烯、丙烯腈及其组合中的一者。当基于(甲基)丙烯酸酯的树脂如上所述还包含乙酸乙烯酯、苯乙烯或丙烯腈时，另一些功能性例如相容性可以得到改善。
35.根据本发明的一个实施方案，还原剂可以为选自基于磷的还原剂、基于硫的还原剂、基于硼的还原剂及其组合中的一者。当还原剂选自以上描述的那些时，其可以通过引发过氧自由基的还原来减轻氧抑制现象，从而防止芯片拾取的成功率降低。
36.根据本发明的一个实施方案，还原剂可以包括选自以下中的一者：三苯基膦、亚磷酸三苯酯、三辛基膦、3,9
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双(十八烷氧基)
‑
2,4,8,10
‑
四氧杂
‑
3,9
‑
二磷杂螺[5,5]十一烷(botdbu)、亚硫酸乙烯酯(ets)、二甲基胺
‑
硼(me2nh*bh3)及其组合。当还原剂选自以上描述的那些时，其可以通过引发过氧自由基的还原来减轻氧抑制现象，从而防止芯片拾取的成功率降低。
[0037]
根据本发明的一个实施方案，基于100重量份的粘结剂，粘合剂组合物中的还原剂的含量可以为0.5重量份至15.0重量份、1.0重量份至14.0重量份、2.0重量份至13.0重量份、3.0重量份至12.0重量份、4.0重量份至11.0重量份、5.0重量份至10.0重量份、6.0重量份至9.0重量份、或7.0重量份至8.0重量份。优选地，基于100重量份的粘结剂，还原剂的含量可以为3.5重量份至14.0重量份。当还原剂的含量在上述范围内调节时，可以通过引发过氧自由基的还原来减轻氧抑制现象，从而防止芯片拾取的成功率降低。此外，可以使由添加过量的还原剂引起的副反应最小化。
[0038]
根据本发明的一个实施方案，光引发剂不限于特定实例，并且可以使用相关领域已知的常规光引发剂。所使用的光引发剂的量可以考虑所形成的粘合剂层的物理特性和特征以及所使用的粘结剂的种类和特征来确定。基于100重量份的粘结剂，粘合剂组合物中的光引发剂的含量可以为0.1重量份至20重量份、1重量份至19重量份、2重量份至18重量份、3重量份至17重量份、4重量份至16重量份、5重量份至15重量份、6重量份至14重量份、7重量份至13重量份、8重量份至12重量份、或9重量份至11重量份。具体地，基于100重量份的粘结剂，光引发剂的含量优选地为5.72重量份。此外，光引发剂可以包括选自以下中的一者：苯偶姻及其烷基醚、苯乙酮、蒽醌、噻吨酮、缩酮、二苯甲酮、α
‑
氨基苯乙酮、酰基膦氧化物、肟酯及其组合。当光引发剂的含量在上述范围内调节时，可以通过提高通过uv照射产生自由基的效率来改善粘合剂层和与其相邻的层之间的界面处的粘合力，并且可以防止未反应的光引发剂向与粘合剂层相邻的层中的转移发生。
[0039]
根据本发明的一个实施方案，用于切割胶带的粘合剂组合物还可以包含选自固化剂、溶剂及其混合物中的一者。当用于切割胶带的粘合剂组合物如上所述还包含选自固化剂、溶剂及其混合物中的一者时，可以在改善用于切割胶带的粘合剂组合物的可加工性的同时控制所述组合物的固化速率。
[0040]
根据本发明的一个实施方案，固化剂可以包括选自基于异氰酸酯的化合物、基于氮丙啶的化合物、基于环氧的化合物和基于金属螯合物的化合物中的一者或更多者。当固化剂选自以上描述的那些时，可以控制固化速率并防止粘合剂层的物理特性改变。
[0041]
根据本发明的一个实施方案，所使用的固化剂的量可以考虑所形成的粘合剂层的物理特性和特征以及所使用的粘结剂的种类和特征来确定。例如，基于100重量份的粘结剂，根据以上实施方案的用于形成切割胶带的粘合剂层的粘合剂组合物可以以以下量包含固化剂：0.1重量份至10重量份、1重量份至10重量份、2重量份至9重量份、3重量份至8重量
份、或4重量份至7重量份。具体地，基于100重量份的粘结剂，固化剂的含量优选为3.25重量份。
[0042]
根据本发明的一个实施方案，溶剂可以为有机溶剂。有机溶剂可以包括选自醇、醚、乙酸酯和酮中的一者或更多者。当溶剂选自以上描述的那些时，可以改善用于切割胶带的粘合剂组合物的可加工性。
[0043]
本发明的一个实施方案提供了切割胶带，所述切割胶带包括：基础膜；和形成在基础膜的至少一个表面上的粘合剂层，其中粘合剂层包含所述用于切割胶带的粘合剂组合物。
[0044]
通过在粘合剂层中包含所述用于切割胶带的粘合剂组合物，根据本发明的一个实施方案的切割胶带可以防止芯片拾取的成功率降低。
[0045]
根据本发明的一个实施方案，可以使用本领域已知的塑料膜或金属箔作为基础膜。或者，基础膜可以为选自以下中的一种聚合物膜：聚烯烃膜、聚酯膜、聚碳酸酯膜、聚氯乙烯膜、聚四氟乙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、氯乙烯共聚物膜、乙烯
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乙酸乙烯酯共聚物膜、乙烯
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丙烯共聚物膜和乙烯
‑
丙烯酸烷基酯共聚物膜。例如，基础膜可以包含低密度聚乙烯、线性聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、聚丙烯无规共聚物、聚丙烯嵌段共聚物、均聚丙烯、聚甲基戊烯、乙烯
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乙酸乙烯酯共聚物、乙烯
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甲基丙烯酸共聚物、乙烯
‑
甲基丙烯酸甲酯共聚物、乙烯
‑
离聚物共聚物、乙烯
‑
乙烯醇共聚物、聚丁烯、苯乙烯共聚物、或其两者或更多者的混合物。在此，包含两种或更多种聚合物的混合物的基础膜意指包括具有其中分别包含上述聚合物的两个或更多个膜彼此堆叠的结构的所有膜或者包含上述聚合物中的两者或更多者的单层膜。
[0046]
根据本发明的一个实施方案，基础膜通常形成为具有10μm至200μm，优选50μm至180μm的厚度。如果厚度小于10μm，则可能不能稳定地实现控制切割过程中的切割深度，而如果厚度大于200μm，则在切割过程中可能出现大量的毛刺，或者膜的伸长率可能降低，并因此可能不能精确地进行扩展过程。
[0047]
根据本发明的一个实施方案，如有必要，可以使基础膜经受常规的物理处理或化学处理，例如哑光处理、电晕放电处理、底漆处理、或交联处理。
[0048]
根据本发明的一个实施方案，粘合剂层的厚度可以为0.5μm至50μm、或5μm至30μm。当粘合剂层的厚度在上述范围内调节时，可以调节切割胶带的厚度。
[0049]
根据本发明的一个实施方案，与包含在粘合剂层中的用于切割胶带的粘合剂组合物有关的内容包括以上关于实施方案描述的所有内容。
[0050]
根据本发明的一个实施方案，由于切割胶带在粘合剂层中还包含还原剂，因此可以通过引发过氧自由基的还原来减轻氧抑制现象。因此，粘合剂层在uv光照射之后的粘合力相对于粘合剂层的初始粘合力的降低率可以为20％至80％。更具体地，由于切割胶带在粘合剂层中还包含还原剂，因此可以通过引发过氧自由基的还原来减轻氧抑制现象，并因此粘合剂层在氧暴露条件下在uv光照射之后的粘合力相对于粘合剂层的初始粘合力的降低率可以为20％至80％。
[0051]
发明实施方式
[0052]
在下文中，将参照实施例详细地描述本发明。然而，根据本发明的实施例可以被修改成各种不同的形式，并且本发明的范围不被解释为限于以下描述的实施例。提供本说明
书的实施例以向本领域技术人员更完整地说明本发明。
[0053]
[实施例和比较例：管芯接合膜、切割胶带和切割管芯接合膜的制造]
[0054]
实施例1
[0055]
(1)管芯接合膜的制造
[0056]
在搅拌下将由以下组成的组合物与甲基乙基酮混合：90g高分子量丙烯酸类树脂(tg：20℃；以及重均分子量：850,000)、30g环氧树脂(酚醛清漆型环氧树脂；软化点：94℃)、20g作为用于环氧树脂的固化剂的酚醛树脂(苯酚酚醛清漆树脂；软化点：94℃)、0.1g中温引发固化促进剂(2
‑
甲基
‑
咪唑)、0.5g高温引发固化促进剂(2
‑
苯基
‑4‑
甲基
‑
咪唑)以及20g作为填料的二氧化硅(平均粒径：75mm)。
[0057]
将该混合物施加至厚度为38μm的经离型处理的pet，并在110℃下干燥3分钟，从而制造涂层厚度为20μm的管芯接合膜。
[0058]
(2)切割胶带的制造
[0059]
通过向100g聚合物树脂(mw：700,000)中添加约3g的基于tdi的异氰酸酯固化剂、约6g的光引发剂(irgacure 184)和约3.5g的三苯基膦(tci，>95％，mw：262.29g/mol)来制备粘合剂组合物，所述聚合物树脂通过向基于丙烯酸酯的树脂的主链中增加20重量％的作为侧链的丙烯酸酯官能团而获得。
[0060]
将粘合剂组合物施加至厚度为38μm的经离型处理的pet，并在110℃下干燥3分钟以形成厚度为10μm的粘合剂层。将形成的粘合剂层层合在厚度为90μm的聚烯烃基础膜上，然后进行老化，从而制造切割胶带。
[0061]
(3)切割管芯接合膜的制造
[0062]
通过在5kgf/cm2的条件下进行层合将切割成圆形的管芯接合膜转移到所制造的切割胶带上，从而制造切割管芯接合膜。
[0063]
实施例2
[0064]
以与实施例1中相同的方式制造切割管芯接合膜，不同之处在于在切割胶带的制造中使用6.9g三苯基膦。
[0065]
实施例3
[0066]
以与实施例1中相同的方式制造切割管芯接合膜，不同之处在于在切割胶带的制造中使用13.8g三苯基膦。
[0067]
比较例1
[0068]
以与实施例1中相同的方式制造切割管芯接合膜，不同之处在于在切割胶带的制造中不使用三苯基膦。
[0069]
比较例2
[0070]
以与实施例1中相同的方式制造切割管芯接合膜，不同之处在于在切割胶带的制造中使用0.35g三苯基膦。
[0071]
比较例3
[0072]
以与实施例1中相同的方式制造切割管芯接合膜，不同之处在于在切割胶带的制造中使用20g三苯基膦。
[0073]
测试例
[0074]
对于实施例和比较例的切割管芯接合膜，评估各切割管芯接合膜的物理特性，并
且评估的结果示于下表1中。
[0075]
[测试例1：粘合力的测量]
[0076]
将实施例和比较例中制造的切割管芯接合膜切割成25mm的宽度，从而制备用于测量粘合力的样品。
[0077]
对于各制备的样品，使用质构分析仪(ta instrument)测量以300mm/分钟的剥离速度和180
°
的剥离角度将管芯接合膜从切割胶带上剥离的力(gf/英寸)。根据该方法，测量初始粘合力，并测量在用uv光以150mj/cm2的剂量(照射强度：70mw/cm2)照射切割胶带的基础表面之后的粘合力。
[0078]
为了模拟氧暴露条件，将各制备的样品剥离，然后用uv光以150mj/cm2的剂量(照射强度：70mw/cm2)照射切割胶带的基础表面。然后，将切割胶带和管芯接合膜彼此层合并测量它们之间的粘合力。测量的结果示于下表1中。
[0079]
[测试例2：粘合力的降低率的测量]
[0080]
基于测试例1中获得的初始粘合力和在氧暴露条件下的粘合力，计算粘合力的降低率。计算的结果示于下表1中。
[0081]
[测试例3：拾取性能]
[0082]
在将各实施例和比较例中制造的切割管芯接合膜的离型膜剥离之后，在70℃的温度下将管芯接合表面安装在镜面晶片(8英寸；35μm厚度)上，然后在下述条件下进行切割，使得芯片尺寸为13.3mm
×
9.1mm。
[0083]
此后，对于每个经切割的样品，用uv光以150mj/cm2的剂量(照射强度：70mw/cm2)照射切割胶带的基础表面，然后将切割胶带剥离并再次层合。在这之后，使用低温室和热收缩装置进行扩展，从而制备拾取测量样品。
[0084]
对于所制备的样品，使用spa
‑
400(shinkawa)在下述条件下进行芯片拾取。并且结果示于下表1中。
[0085]
具体地，关于用于评估芯片拾取性能的标准，在评估时测量全部单个芯片被拾取时的针销高度(needle pin height)，并根据以下标准进行评估：o：在0.2mm或更小的针销高度下所有(100％)芯片均被拾取(管芯从晶片上剥离)；x：不满足以上条件。
[0086]
‑
切割条件
‑
[0087]
仪器：dfd
‑
6361(disco)
[0088]
刀片类型：27hebb(disco)
[0089]
切割刀片高度(切割深度)：80μm
[0090]
切割速度：15mm/秒
[0091]
刀片旋转速度：45,000rpm
[0092]
‑
拾取条件
‑
[0093]
仪器：spa
‑
400(shinkawa)
[0094]
扩展高度：3.5mm
[0095]
针数：20个
[0096]
针上冲高度：0.2mm
[0097]
针上冲速度：10mm/秒
[0098]
[测试例4：起始温度和峰值温度的测量]
[0099]
通过差示扫描分析(dsc)测量各实施例和比较例中制造的切割管芯接合膜的起始温度和峰值温度。具体地，将各实施例和比较例中制造的切割管芯接合膜在60℃的烘箱中老化3小时，然后将切割胶带剥离。然后，从切割管芯接合膜中取约5mg的样品。然后，使用dsc(差示扫描量热仪，dscq2000，ta instrument)在
‑
40℃至300℃的温度范围内以10℃/分钟的加热速率对约5mg的样品进行加热，并测量起始温度和峰值温度，所述起始温度为峰形成温度与峰值温度之间的拐点处的斜率与x轴相交时的温度，所述峰值温度为峰的最大值处的温度。起始温度和峰值温度的测量结果示于下表1中。
[0100]
[表1]
[0101][0102]
如上表1中所示，可以看出实施例1至3中的每一者在氧暴露条件下在uv照射之后的粘合力的降低率显著高于比较例1的粘合力的降低率。这表明，由于在粘合剂层中还包含还原剂，因此还原剂通过减轻氧抑制现象而改善了拾取性能。
[0103]
当将实施例1至3与比较例2和3进行比较时，可以确定，由于比较例2在粘合剂层中没有包含足够量的还原剂，因此比较例2在氧暴露条件下在uv照射之后的粘合力的降低率显著低。此外，可以确定，由于比较例3在粘合剂层中包含过量的还原剂，因此比较例3的起始温度和峰值温度低于实施例1至3的起始温度和峰值温度。
[0104]
此外，可以确定，由于比较例3在粘合剂层中包含过量的还原剂，因此其具有引起
副反应的问题，其起始温度低，并且其峰值温度也低。由此可以预期，当切割管芯接合膜像比较例3一样包含过量的还原剂时，切割管芯接合膜可能暴露于可能引起副反应的问题，并且管芯接合膜易受依赖于时间的变化的影响。
[0105]
因此，当还原剂以0.5重量份至15重量份的量包含在粘合剂层中时，还原剂可以减轻氧抑制现象，并且可以在切割管芯接合膜的层合期间和层合之后使管芯接合膜层中的依赖于时间的变化或副反应最小化。
[0106]
虽然以上已经关于有限的实施方案描述了本发明，但是本发明不限于这些实施方案。本领域技术人员将意识到，在不脱离本发明的技术精神和所附权利要求及其等同方案的情况下，各种修改和变化是可能的。