耐候性良好的硫化物荧光体及制备耐候性良好的荧光体的化学沉积法的制作方法

技术特征：
1.一种耐候性良好的硫化物荧光体，其特征在于：包括基底和沉积在所述基底的表面的分子沉积膜，所述基底为碱土硫化物发光材料，所述分子沉积膜中包括通式为a
x
b
y
的化合物，其中b选自o元素、n元素中的至少一种。2.如权利要求1所述耐候性好的硫化物荧光体，其特征在于：在所述a
x
b
y
中，b为o元素，a选自si元素、al元素中的至少一种。3.如权利要求1所述耐候性好的硫化物荧光体，其特征在于：在所述a
x
b
y
中，b为n元素，a选自si元素，所述a
x
b
y
为si3n4。4.如权利要求1所述耐候性好的硫化物荧光体，其特征在于：所述分子沉积膜包括两层以上的分子沉积层，相邻设置的两层所述分子沉积层具有不同的物质组成。5.如权利要求4所述耐候性好的硫化物荧光体，其特征在于：所述分子沉积层包括氧化物分子沉积层和氮化物分子沉积层，所述氧化物分子沉积层与所述氮化物分子沉积层复合构成所述分子沉积膜。6.如权利要求5所述耐候性好的硫化物荧光体，其特征在于：所述氧化物分子沉积层与所述基底的表面直接复合。7.如权利要求1～6任一项所述耐候性好的硫化物荧光体，其特征在于：所述分子沉积膜为通过等离子增强化学气相沉积形成于所述基底的表面。8.一种制备耐候性好的硫化物荧光体的化学沉积法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，通过惰性气体形成等离子体；步骤二，以碱土硫化物发光材料作为基底，使第一反应气体和第二反应气体与所述等离子体发生碰撞，形成分子结构为所述a
x
b
y
的沉积分子，所述沉积分子沉积在所述基底的表面并在所述基底的表面扩散，以在所述基底的表面形成物质组成为所述a
x
b
y
的分子沉积膜，由此制得所述硫化物荧光体；在所述a
x
b
y
中，b选自o元素、n元素中的至少一种,所述第一反应气体用于提供构成所述a
x
b
y
中的a元素，所述第二反应气体用于提供构成所述a
x
b
y
中的o元素或n元素。9.如权利要求8所述制备耐候性好的硫化物荧光体的化学沉积法，其特征在于：所述第一反应气体选自sih4、正硅酸丁酯、三甲基铝中的至少一种，所述第二反应气体选自n2o、o2、nh3中的至少一种。10.如权利要求9所述制备耐候性好的硫化物荧光体的化学沉积法，其特征在于：在所述步骤二中，所述第一反应气体和所述第二反应气体的气体流量比为1:5～200。

技术总结
本发明提供一种耐候性良好的硫化物荧光体：包括基底和沉积在基底的表面的分子沉积膜，基底为碱土硫化物发光材料，分子沉积膜中包括通式为A


技术研发人员：陈焰 胡广齐 叶炜浩 梁敏婷
受保护的技术使用者：佛山安亿纳米材料有限公司
技术研发日：2021.06.25
技术公布日：2021/9/16