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一种防泼水TPU热熔胶薄膜及其制备方法与流程

2021-08-27 13:31:00 来源:中国专利 TAG:复合材料 薄膜 制备方法 热熔胶 泼水

技术特征:

1.一种防泼水tpu热熔胶薄膜,其特征在于,所述防泼水tpu热熔胶薄膜的制备原料按照重量份包括如下组分:

2.根据权利要求1所述的防泼水tpu热熔胶薄膜,其特征在于,所述异氰酸酯包括己二异氰酸酯、异氟尔酮二异氰酸酯、二环己基甲烷-4,4`-二异氰酸酯、四甲基苯二次甲基二异氰酸酯、苯二亚甲基二异氰酸酯或甲基环己烷二异氰酸酯中的任意一种或至少两种的组合;

优选地,所述聚醚多元醇包括聚四亚甲基醚二醇;

优选地,所述扩链剂包括1,4-丁二醇、乙二醇、1,3-丙二醇、2,3-丁二醇、二乙二醇或己二醇中的任意一种或至少两种的组合,进一步优选为1,4-丁二醇、二乙二醇或己二醇的中的任意一种或至少两种的组合。

3.根据权利要求1或2所述的防泼水tpu热熔胶薄膜,其特征在于,所述有机氟防水剂包括碳氟化合物;

优选地,所述交联剂包括乙烯基双硬酯酰胺;

优选地,所述天然多酚包括茶多酚和/或苹果多酚。

4.根据权利要求1~3任一项所述的防泼水tpu热熔胶薄膜,其特征在于,所述防泼水tpu热熔胶薄膜的制备原料中还包括聚乙二醇;

优选地,所述防泼水tpu热熔胶薄膜的制备原料中聚乙二醇的含量为20~40重量份;

优选地,所述聚乙二醇和聚四亚甲基醚二醇的质量比为1:(1~1.5);

优选地,所述聚乙二醇的数均分子量为2000~5000da。

5.根据权利要求1~4任一项所述的防泼水tpu热熔胶薄膜,其特征在于,所述防泼水tpu热熔胶薄膜的制备原料中还包括催化剂、抗氧剂、流平剂或增稠剂中的任意一种或至少两种的组合;

优选地,所述防泼水tpu热熔胶薄膜的制备原料中催化剂的含量为1~6重量份;

优选地,所述防泼水tpu热熔胶薄膜的制备原料中抗氧剂的含量为1~5重量份;

优选地,所述抗氧剂包括叔丁基羟基茴香醚、二叔丁基对甲酚或没食子酸丙酯中的任意一种或至少两种的组合;

优选地,所述防泼水tpu热熔胶薄膜的制备原料中流平剂的含量为1~4重量份;

优选地,所述流平剂包括异丙醇和/或乳化矿物油;

优选地,所述防泼水tpu热熔胶薄膜的制备原料中增稠剂含量为1~6重量份;

优选地,所述增稠剂包括改性纤维醚增稠剂和/或矿物油乳化增稠剂。

6.一种如权利要求1~5任一项所述防泼水tpu热熔胶薄膜的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括如下步骤:

(1)将聚四亚甲基醚二醇、异氰酸酯和任选地聚乙二醇进行反应,得到聚氨酯预聚物;

(2)将步骤(1)得到的聚氨酯预聚物、扩链剂、交联剂和任选地催化剂进行反应,挤出,得到tpu颗粒;

(3)将步骤(2)得到的tpu颗粒、有机氟防水剂、天然多酚、任选地抗氧剂、任选地流平剂和任选地增稠剂熔融挤出、冷却拉伸,得到所述防泼水tpu热熔胶薄膜。

7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述反应的温度为70~80℃;

优选地,步骤(1)所述反应的时间为2~3h。

8.根据权利要求6或7所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述反应的温度为40~60℃;

优选地,步骤(2)所述反应的时间为6~12h。

9.根据权利要求6~8任一项所述的制备方法,其特征在于,步骤(3)所述熔融挤出的温度为170~200℃;

优选地,步骤(3)所述熔融挤出的压力为10~20mpa;

优选地,步骤(3)所述熔融挤出通过单螺杆挤出机进行;

优选地,所述单螺杆挤出机的转速为20~100rpm。

10.根据权利要求6~9任一项所述的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括如下步骤:

(1)将聚四亚甲基醚二醇、异氰酸酯和任选地聚乙二醇在70~80℃下反应2~3h,得到聚氨酯预聚物;

(2)将步骤(1)得到的聚氨酯预聚物、扩链剂、交联剂和任选地催化剂在40~60℃下反应6~12h,挤出,得到tpu颗粒;

(3)将步骤(2)得到的tpu颗粒、有机氟防水剂、天然多酚、任选地抗氧剂、任选地流平剂和任选地增稠剂在10~20mpa、170~200℃下通过转速为20~100rpm的单螺杆挤出机熔融挤出、冷却拉伸,得到所述防泼水tpu热熔胶薄膜。


技术总结
本发明提供一种防泼水TPU热熔胶薄膜及其制备方法和应用,所述防泼水TPU热熔胶薄膜的制备原料包括聚醚多元醇、异氰酸酯、扩链剂、有机氟防水剂、交联剂和天然多酚的组合;通过在制备原料中添加特定份数的有机氟防水剂以及选择特定结构的多元醇,使得制备得到的TPU热熔胶薄膜具有优异的防泼水性能;同时加入天然多酚进一步提高了其机械性能,最终得到了兼具优异的防泼水性能和机械性能的TPU热熔胶薄膜,具有重要研究意义。

技术研发人员:何建雄
受保护的技术使用者:东莞市雄林新材料科技股份有限公司
技术研发日:2021.05.31
技术公布日:2021.08.27
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