半导体设备及半导体结构的制备方法与流程

技术特征：
1.一种半导体设备，其特征在于，包括：对晶圆进行处理的工艺腔室；进气装置，用于向所述工艺腔室内通入气体；气体分配盘，位于所述晶圆上方，且位于所述气体的流动路径上；至少部分所述气体穿过所述气体分配盘流向所述晶圆的表面。2.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述气体分配盘与所述晶圆平行。3.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述半导体设备包括显影设备。4.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述气体分配盘在所述晶圆表面的正投影至少覆盖所述晶圆。5.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述气体分配盘包括若干通气孔。6.根据权利要求5所述的半导体设备，其特征在于，所述气体分配盘中心区域的所述通气孔的面积大于边缘区域的所述通气孔的面积。7.根据权利要求5所述的半导体设备，其特征在于，所述通气孔包括第一通气孔、若干第二通气孔、若干第三通气孔、若干第四通气孔；所述第一通气孔位于所述气体分配盘的中心；若干个所述第二通气孔位于所述第一通气孔的外围，且沿所述气体分配盘的周向间隔排布；若干个所述第三通气孔位于所述第二通气孔的外围，且沿所述气体分配盘的周向间隔排布；若干个所述第四通气孔位于所述第三通气孔的外围，且沿所述气体分配盘的周向间隔排布；所述第一通气孔、所述第二通气孔、所述第三通气孔和所述第四通气孔的面积大小依次递减。8.根据权利要求7所述的半导体设备，其特征在于，所述第一通气孔、所述第二通气孔、所述第三通气孔和所述第四通气孔的形状包括圆形，所述第一通气孔的半径介于7mm～12mm之间，所述第二通气孔的半径介于6mm～10mm之间，所述第三通气孔的半径介于4mm～6mm之间，所述第四通气孔的半径介于2mm～6mm之间。9.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述气体分配盘的数量为多个，多个所述气体分配盘平行层叠间隔排布。10.根据权利要求9所述的半导体设备，其特征在于，相邻的所述气体分配盘之间的距离介于1cm～3cm之间。11.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，还包括：驱动装置，所述驱动装置与所述气体分配盘相连接，用于驱动所述气体分配盘旋转。12.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，还包括：抽气装置，所述抽气装置与所述工艺腔室内部相连通，用于排出废气。13.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供晶圆和如权利要求1～12中的任意一项所述的半导体设备，将所述晶圆放置于所述气体分配盘下方；对所述晶圆进行处理的过程中，通过所述进气装置向所述工艺腔室内通入所述气体，至少部分所述气体穿过所述气体分配盘流向所述晶圆表面。14.根据权利要求13所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，对所述晶圆进行显影处理的过程中，通过所述进气装置向所述工艺腔室内通入所述气体，至少部分所述气体穿过所述气体分配盘流向所述晶圆表面。

技术总结
本发明涉及一种半导体设备及半导体结构的制备方法，半导体设备包括：对晶圆进行处理的工艺腔室；进气装置，用于向工艺腔室内通入气体；气体分配盘，位于晶圆上方，且位于气体的流动路径上；至少部分气体穿过气体分配盘流向晶圆的表面。上述半导体设备，气体分配盘能够使得气体在晶圆表面的流速均匀，使得晶圆表面的温度均匀，减小晶圆表面中心区域和边缘区域的温度差，从而使得光刻形成的图形结构的线宽均匀。均匀。均匀。


技术研发人员：严勋
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2020.03.31
技术公布日：2021/10/7