光掩模坯料及光掩模的制造方法、以及显示装置的制造方法与流程

技术特征：
1.一种光掩模坯料，其是制作显示装置制造用光掩模时使用的光掩模坯料，该光掩模坯料具有：由对于曝光光实质上透明的材料形成的透明基板、和设置于所述透明基板上、且由对于所述曝光光实质上不透明的材料形成的遮光膜，所述遮光膜从所述透明基板侧起具备：第1反射抑制层、遮光层及第2反射抑制层，所述第1反射抑制层从所述透明基板侧起依次具备：含有铬、氧及氮，且氧的比例比氮的比例少的第1低度氧化铬层；和含有铬、氧及氮，且氧的比例比氮的比例多的的第1高度氧化铬层，所述第2反射抑制层从所述透明基板侧起依次具备：含有铬、氧及氮，且氧的比例比氮的比例少的第2低度氧化铬层；和含有铬、氧及氮，且氧的比例比氮的比例多的的第2高度氧化铬层，至少所述第1反射抑制层、所述遮光层及所述第2反射抑制层的组成及膜厚经过了设定，以使所述遮光膜的表面及背面对于所述曝光光的曝光波长300nm～436nm的反射率分别为15％以下、且光密度为3.0以上。2.根据权利要求1所述的光掩模坯料，其中，所述遮光层由铬的含有率为97原子％以上且100原子％以下的铬类材料形成。3.根据权利要求1或2所述的光掩模坯料，其中，所述第2高度氧化铬层中的氧相对于氮的比例为2.5以上且10以下。4.根据权利要求1～3中任一项所述的光掩模坯料，其中，所述第1高度氧化铬层中的氧相对于氮的比例为2.5以上且10以下。5.根据权利要求1～4中任一项所述的光掩模坯料，其中，所述第1反射抑制层中含有碳。6.根据权利要求1～5中任一项所述的光掩模坯料，其中，所述第2反射抑制层中含有碳。7.根据权利要求1～6中任一项所述的光掩模坯料，其中，所述第1反射抑制层中的铬的含有率为25原子％以上且75原子％以下、氧的含有率为15原子％以上且45原子％以下、氮的含有率为2原子％以上且30原子％以下，所述第2反射抑制层中的铬的含有率为25原子％以上且75原子％以下、氧的含有率为15原子％以上且60原子％以下、氮的含有率为2原子％以上且30原子％以下。8.根据权利要求1～7中任一项所述的光掩模坯料，其中，所述第1反射抑制层及所述第2反射抑制层分别具有氧及氮中的至少任一种元素的含有率沿着膜厚方向连续地或阶段性地发生组成变化的区域。9.根据权利要求1～8中任一项所述的光掩模坯料，其中，在所述透明基板与所述第1反射抑制层之间、所述第1反射抑制层与所述遮光层之间、及所述遮光层与所述第2反射抑制层之间具有构成所述第1反射抑制层、所述遮光层及所述第2反射抑制层的元素连续地具有组成梯度的组成梯度区域。10.根据权利要求1～9中任一项所述的光掩模坯料，其中，所述遮光膜的表面对于所述曝光光的曝光波长的反射率的面内均匀性为3％以下。11.根据权利要求1～10中任一项所述的光掩模坯料，其中，
在所述透明基板与所述遮光膜之间进一步具备半透光膜，该半透光膜的光密度低于所述遮光膜的光密度。12.根据权利要求1～10中任一项所述的光掩模坯料，其中，在所述透明基板与所述遮光膜之间进一步具备相移膜。13.一种光掩模的制造方法，该方法包括：准备权利要求1～12中任一项所述的光掩模坯料的工序；以及在所述遮光膜上形成抗蚀膜，并以由所述抗蚀膜形成的抗蚀图案为掩模对所述遮光膜进行蚀刻，在所述透明基板上形成遮光膜图案的工序。14.一种光掩模的制造方法，该方法包括：准备权利要求1～12中任一项所述的光掩模坯料的工序；在所述遮光膜上形成抗蚀膜，并以由所述抗蚀膜形成的抗蚀图案为掩模对所述遮光膜进行蚀刻，在所述透明基板上形成遮光膜图案的工序；以及以所述遮光膜图案为掩模对所述半透光膜进行蚀刻，在所述透明基板上形成半透光膜图案的工序。15.一种光掩模的制造方法，该方法包括：准备权利要求1～12中任一项所述的光掩模坯料的工序；在所述遮光膜上形成抗蚀膜，并以由所述抗蚀膜形成的抗蚀图案为掩模对所述遮光膜进行蚀刻，在所述透明基板上形成遮光膜图案的工序；以及以所述遮光膜图案为掩模对所述相移膜进行蚀刻，在所述透明基板上形成相移膜图案的工序。16.一种显示装置的制造方法，该方法包括：曝光工序，将通过权利要求13～15中任一项所述的光掩模的制造方法得到的光掩模载置于曝光装置的掩模台，将所述光掩模上形成的遮光膜图案、所述半透光膜图案、所述相移膜图案中的至少一种遮光膜图案曝光转印至形成于显示装置基板上的抗蚀剂。

技术总结
本发明的目的在于提供可以制造遮光膜图案的精度优异、并且具有通过曝光转印图案时可以实现高图案精度的光学特性的光掩模的光掩模坯料。为此，本发明的光掩模坯料是在制作显示装置制造用光掩模时使用的光掩模坯料，其具有：透明基板、和设置于透明基板上的遮光膜，遮光膜从透明基板侧起具备第1反射抑制层、遮光层及第2反射抑制层，第1反射抑制层从透明基板侧起依次具备氧相对于氮的比例相对较少的第1低度氧化铬层、和氧相对于氮的比例相对较多的第1高度氧化铬层，第2反射抑制层从透明基板侧起依次具备氧相对于氮的比例相对较少的第2低度氧化铬层、和氧相对于氮的比例相对较多的第2高度氧化铬层。2高度氧化铬层。2高度氧化铬层。


技术研发人员：安森顺一 浅川敬司 田边胜
受保护的技术使用者：HOYA株式会社
技术研发日：2021.03.23
技术公布日：2021/9/28