量测系统、光刻设备和方法与流程

技术特征：
1.一种量测系统，包括：辐射源，被配置为生成辐射；光学元件，被配置为将所述辐射导向包括非恒定节距的光栅结构；以及检测器，被配置为接收由所述光栅结构散射的辐射并且基于所接收的辐射生成测量，其中所述量测系统被配置为：生成测量集，所述测量集与所述光栅结构的、沿所述非恒定节距的方向上的位置集相对应，以及基于所述测量集确定光刻工艺的参数或针对所述量测系统的校正。2.根据权利要求1所述的量测系统，其中所述非恒定节距包括具有宽
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窄
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宽或窄
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宽
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窄布置的调制。3.根据权利要求2所述的量测系统，其中所述调制基本上是非对称的。4.根据权利要求2所述的量测系统，其中：所述位置集跨所述调制基本上均匀地分布；所述测量集是通过跨所述宽
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窄
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宽或所述窄
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宽
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窄布置扫描所述量测系统来生成的；以及与由所述光栅结构散射的所述辐射的衍射级相对应的光瞳平面中的光斑，在所述扫描期间经历第一位移和具有与所述第一位移相反的方向的第二位移。5.根据权利要求2所述的量测系统，其中所述非恒定节距还包括所述调制的一个或多个重复。6.根据权利要求5所述的量测系统，其中：所述测量集是通过在所述调制和所述调制的所述一个或多个重复上跨所述光栅结构扫描所述量测系统来生成的；以及与由所述光栅结构散射的所述辐射的衍射级相对应的光瞳平面中的光斑，在所述扫描期间经历第一位移、具有与所述第一位移相反的方向的第二位移，以及具有与所述第一位移的方向类似的第三位移。7.根据权利要求1所述的量测系统，其中所述光刻工艺的所述参数包括套刻误差、结构尺寸、线厚度、临界尺寸、层组成、层厚度、材料均匀度、层均匀度、损坏和/或污染。8.一种光刻设备，包括：照射系统，被配置为照射图案化装置的图案；投射系统，被配置为将所述图案的图像投射到衬底上；以及量测系统，包括：辐射源，被配置为生成辐射；光学元件，被配置为将所述辐射导向包括非恒定节距的光栅结构；以及检测器，被配置为接收由所述光栅结构散射的辐射并且基于所接收的辐射生成测量，其中所述量测系统被配置为：生成测量集，所述测量集与所述光栅结构的沿所述非恒定节距的方向上的位置集相对应，以及基于所述测量集确定光刻工艺的参数或针对所述量测系统的校正。9.根据权利要求8所述的光刻设备，其中所述非恒定节距包括具有宽
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窄
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宽或窄
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宽
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窄布置的调制。10.根据权利要求9所述的光刻设备，其中所述调制基本上是非对称的。11.根据权利要求9所述的光刻设备，其中：所述位置集跨所述调制基本上均匀地分布；所述测量集是通过跨所述宽
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窄
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宽或所述窄
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宽
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窄布置扫描所述量测系统来生成的；以及与由所述光栅结构散射的所述辐射的衍射级相对应的光瞳平面中的光斑，在所述扫描期间经历第一位移和具有与所述第一位移相反的方向的第二位移。12.根据权利要求9所述的光刻设备，其中所述非恒定节距还包括所述调制的一个或多个重复。13.根据权利要求12所述的光刻设备，其中：所述测量集是通过在所述调制和所述调制的所述一个或多个重复上跨所述光栅结构扫描所述量测系统来生成的；以及与由所述光栅结构散射的所述辐射的衍射级相对应的光瞳平面中的光斑，在所述扫描期间经历第一位移、具有与所述第一位移相反的方向的第二位移，以及具有与所述第一位移的方向类似的第三位移。14.根据权利要求8所述的光刻设备，其中所述光刻工艺的所述参数包括套刻误差、结构尺寸、线厚度、临界尺寸、层组成、层厚度、材料均匀度、层均匀度、损坏和/或污染。

技术总结
一种量测系统(400)包括：被配置为生成辐射(413)的辐射源(412)、被配置为将辐射(415)导向包括非恒定节距的光栅结构(418)的光学元件(414)，以及被配置为接收由光栅结构散射的辐射(429)并且基于所接收的辐射生成测量的检测器(428)。量测系统被配置为生成测量集，并且基于该组测量确定光刻工艺的参数或针对量测系统的校正，该组测量与光栅结构沿非恒定节距的方向上的位置集相对应。的方向上的位置集相对应。的方向上的位置集相对应。


技术研发人员：林宇翔 J
受保护的技术使用者：ASML控股股份有限公司
技术研发日：2020.02.11
技术公布日：2021/9/24