背光模组、背光模组制作方法及显示装置与流程

1.本技术涉及显示领域，具体涉及一种背光模组、背光模组制作方法及显示装置。


背景技术：

2.微型发光二极管(miniled或microled)已经用于显示面板，例如miniled作为液晶显示面板的背光源，miniled背光目前越来越受到人们的关注，由于其具有高亮、高对比度、省功耗及高信赖性的优势，决定其在笔电、平板等多种消费类电子产品上具有显著的应用优势。
3.然而，由于miniled背光是直下式背光的发光架构，导致其需要较大的混光距离或者较多的膜片数量才能实现背光整体的均匀混光，这对于大多数消费类电子产品来说是不可接受的，与其轻薄的发展趋势相背离。微型发光二极管是点光源，在轻薄结构设置条件下，难以获得均匀混光的面光源。


技术实现要素：

4.本技术实施例提供了一种背光模组、背光模组制作方法及显示装置，可以解决miniled背光膜层厚度较厚、难以获得均匀混光的面光源的问题。
5.本技术实施例提供了一种背光模组，包括：
6.基底；
7.发光二极管，设于所述基底上；
8.半透反射层，设于所述基底上，所述半透反射层包括多个半透反射单元，所述半透反射单元包括至少一层透明承载膜层和至少一层半透反射膜层，所述半透反射单元围绕所述发光二极管设置；
9.封装层，覆盖在所述半透反射层远离所述基底的一侧。
10.可选的，在本技术的一些实施例中，所述半透反射单元为碗状形状，包括相对的顶部开口和底部开口，所述底部开口的长度小于所述顶部开口的长度，所述顶部开口位于所述底部开口远离所述基底的一侧。
11.可选的，在本技术的一些实施例中，所述半透反射单元包括透明承载膜层和半透反射膜层的多层间隔结构。
12.可选的，在本技术的一些实施例中，所述发光二极管设置于所述半透反射单元内，所述底部开口在所述基底上的正投影围绕所述发光二极管在所述基底上的正投影。
13.可选的，在本技术的一些实施例中，由靠近所述发光二极管指向远离所述发光二极管的方向上，同一所述半透反射单元的所述半透反射膜层的厚度逐渐增大或逐渐减小。
14.可选的，在本技术的一些实施例中，所述半透反射膜层包括氮化硅、氧化硅中的任一种。
15.可选的，在本技术的一些实施例中，所述透明承载膜层包括有机材料。
16.可选的，在本技术的一些实施例中，所述发光二极管包括衬底和设于所述衬底上
的发光芯片，所述衬底位于所述发光芯片远离所述基底的一侧，所述衬底上设有反射层。
17.相应的，本技术实施例还提供了一种背光模组制作方法，包括如下步骤：
18.步骤s100，提供一模具衬底，所述模具衬底包括多个凹陷；
19.步骤s200，在所述凹陷形成多个半透反射单元，所述半透反射单元为碗状形状，包括相对的顶部开口和底部开口，所述底部开口的长度小于所述顶部开口的长度，所述半透反射单元包括至少一层透明承载膜层和至少一层半透反射膜层；
20.步骤s300，将所述半透反射单元从所述模具衬底上剥离；
21.步骤s400，提供一基底，所述基底上设置有多个发光二极管；
22.步骤s500，在所述基底上设置半透反射层，所述半透反射层包括多个所述半透反射单元，所述发光二极管设置于所述半透反射单元内，所述底部开口在所述基底上的正投影围绕所述发光二极管在所述基底上的正投影，所述顶部开口位于所述底部开口远离所述基底的一侧；
23.步骤s600，在所述半透反射层上形成封装层。
24.相应的，本技术实施例还提供了一种显示装置，包括如述所述的任一项背光模组，所述显示装置还包括液晶显示面板，所述液晶显示面板设于所述背光模组的出光侧。
25.本技术实施例中，提供了一种背光模组、背光模组制作方法及显示装置，背光模组具有轻薄的结构设置，又能获得均匀混光的面光源。
附图说明
26.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
27.图1是本技术一实施例提供的背光模组的第一种截面结构示意图；
28.图2是本技术一实施例提供的背光模组的第一种俯视结构示意图；
29.图3是本技术一实施例提供的半透反射单元的截面结构示意图；
30.图4是本技术一实施例提供的半透反射单元对发光二极管发出的光线进行多次反射的示意图；
31.图5是本技术一实施例提供的半透反射膜层与发光二极管的角度关系示意图；
32.图6是本技术一实施例提供的背光模组的第二种截面结构示意图；
33.图7是本技术一实施例提供的背光模组的第三种截面结构示意图；
34.图8是本技术一实施例提供的背光模组制作方法的流程步骤示意图；
35.图9至图15是本技术一实施例提供的背光模组制作过程的示意图。
具体实施方式
36.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说
明和解释本技术，并不用于限制本技术。在本技术中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
37.本技术实施例提供一种背光模组，包括：基底；发光二极管，设于基底上；半透反射层，设于基底上，半透反射层包括多个半透反射单元，半透反射单元包括至少一层透明承载膜层和至少一层半透反射膜层，半透反射单元围绕发光二极管设置；封装层，封装层覆盖在半透反射层远离基底的一侧。
38.本技术实施例提供一种背光模组、背光模组制作方法及显示装置。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
39.实施例一、
40.请参阅图1、图2、图3，图1为本技术实施例提供的背光模组的第一种截面结构示意图，图2为本技术实施例提供的背光模组的第一种俯视结构示意图，图3为本技术实施例提供的半透反射单元的截面结构示意图。
41.申请实施例提供了一种背光模组10，背光模组10包括基底21、发光二极管22、半透反射层23和封装层24。发光二极管22设于基底21上；半透反射层23设于基底上，半透反射层23包括多个半透反射单元231，半透反射单元231包括至少一层透明承载膜层233和至少一层半透反射膜层232，半透反射单元231围绕发光二极管22设置；封装层24覆盖在半透反射层23远离基底21的一侧。
42.具体的，基底21可以为玻璃等材质的基底，在此不做限定。发光二极管22通过焊接等方式设置在基底21上，半透反射层23包括多个半透反射单元231，半透反射单元231包括至少一层透明承载膜层233和至少一层半透反射膜层232，半透反射单元231围绕发光二极管22设置，封装层24封装发光二极管22和半透反射层23。
43.在一些实施例中，半透反射单元231为碗状形状，包括相对的顶部开口235和底部开口234，底部开口234的长度小于顶部开口235的长度，顶部开口235位于底部开口234远离基底的一侧。
44.在一些实施例中，半透反射单元231包括透明承载膜层233和半透反射膜层232的多层间隔结构。
45.在一些实施例中，发光二极管22设置于半透反射单元231内，底部开口234在基底21上的正投影围绕发光二极管22在基底21上的正投影。
46.具体的，半透反射单元231为碗状、桶状等形状，包括相对的顶部开口235和底部开口234，底部开口234的长度小于顶部开口235的长度，底部开口234靠近基底21设置，此时设置发光二极管22位于底部开口234内，底部开口234在基底21上的正投影围绕发光二极管22在基底21上的正投影。可以优选的，发光二极管22在基底21上的正投影处于底部开口234在基底21上的正投影的中心位置，使得半透反射单元231以发光二极管22为圆心进行排布。
47.在一些实施例中，半透反射单元231包括至少一层透明承载膜层233和至少一层半透反射膜层232。
48.在一些实施例中，半透反射单元231包括透明承载膜层233和半透反射膜层232的多层间隔结构。多层间隔结构可以对发光二极管22发光的光线进行多次的反射，使得混光更加均匀。
49.在一些实施例中，半透反射膜层232包括氮化硅、氧化硅中的任一种。
50.在一些实施例中，透明承载膜层233包括有机材料，例如为聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate，简称pmma)、聚酰亚胺(polyimide，简称pi)、聚碳酸酯(polycarbonate，简称pc)等材料。
51.在一些实施例中，优选的，不同层的透明承载膜层233的厚度相同，使得相邻的半透反射膜层232之间的距离相同。
52.请继续参阅图4、图5，图4为半透反射单元231对发光二极管22发出的光线进行多次的反射的示意图，图5为半透反射膜层232与发光二极管22的角度关系的示意图。多层半透反射膜层232平行设置，半透反射膜层232与发光二极管22所在方向的平面夹角θ大于90度，发光二极管22发出的光线经过第一层半透反射膜层232反射一部分，一部分透过到达第二层半透反射膜层232，又被第二层半透反射膜层232反射一部分，一部分光线又透过，如此循环，经过多层半透反射膜层232的反射和透过，可以实现良好的均匀性混光。
53.具体的，以发光二极管22为中心的半透反射单元231排列与基底21形成的倾角θ大于90
°
，使得经过半透反射单元231的反射光线可向上出射，钝角大小与发光二极管22的发光张角相关，保证发光二极管22的发光光强最大的角度方向反射光线竖直向上出射。
54.在一些实施例中，请参阅图6，图6为本技术实施例提供的背光模组的第二种截面结构示意图，发光二极管22包括衬底和设于衬底上的发光芯片，衬底位于发光芯片远离基底的一侧，衬底上设有反射层221。
55.具体的，发光芯片的衬底可以为蓝宝石衬底，衬底表面镀有一层高反射膜层用作反射层221，用于压制发光芯片灯口位置的出光，保证灯口与通过半透反射单元231之间的出光强度相同。
56.具体的，请参阅图6，基底21上还设置有反射薄膜211，反射薄膜211用以反射发光芯片的光线，以及反射从半透反射单元231上反射至基底21上的光线。发光二极管22和半透反射单元231设置在反射薄膜211远离基底21的一侧。
57.可以理解的是，发光二极管22发出的光线被衬底表面的反射层221反射，使得有大量光线通过半透反射单元231，通过光线在基底21上反射薄膜211以及半透反射单元231之间反复的反射，最终在出光侧获得良好的均一性的混合光源。
58.具体的，出光侧是指背光模组10预设的出光方向，在图6中出光侧是指封装层24远离基底21的方向或一侧。
59.本技术实施例中，提供了一种背光模组及显示装置，背光模组只有基底、发光二极管、半透反射层和封装层结构，结构简单、轻薄，使得背光模组具有轻薄的结构设置，半透反射层的设置又能获得良好的均匀混光的面光源。
60.实施例二、
61.请参阅图7，图7为本技术实施例提供的背光模组的第三种截面结构示意图，本技术实施例的结构与实施例一相同或相似，相同之处不再赘述，不同之处在于：由靠近发光二极管22指向远离发光二极管22的方向上，同一半透反射单元231的半透反射膜层232的厚度逐渐增大或逐渐减小。
62.具体的，发光二极管22发出的光线在经过最近的第一层半透反射膜层232时亮度最大，在到达第二层半透反射膜层232时亮度减小，在到达第三层半透反射膜层232时亮度
又进一步减小，通过设置同一半透反射单元231的半透反射膜层232的厚度逐渐增大或逐渐减小，使得半透反射膜层232对光线的反射率由靠近发光二极管22指向远离发光二极管22的方向上，同一半透反射单元231的半透反射膜层232的反射率逐渐增大，以使得光线混合更加均匀，使得出光侧各位部位的光强均一性更好。
63.具体的，半透反射膜层232对于特定波长光(可见光范围内)具有一定透过率，由靠近发光二极管22指向远离发光二极管22的方向上，半透反射膜层232的透过率增大，反射率降低，可以使得半透反射单元231的半透反射膜层232的透过率和反射率与发光二极管22的光强随着距离增大而减小的趋势进行匹配，以使得光线混合更加均匀。
64.请继续参阅图4，发光二极管22灯口位置由于具有反射层221结构，出光光强为l0，发光二极管22主出光角度出射光经过半透反射单元231发生反射和透射，反射光沿着大致垂直于基底21的表面的方向出射，透过光则在半透反射单元231中按照既定方向沿直线传播。假设由靠近发光二极管22指向远离发光二极管22的方向上的透过光的光强依次为l1、l2到ln，经过半透反射膜层232后垂直出射光强依次为l11、l12到l1n，由靠近发光二极管22指向远离发光二极管22的方向上半透反射膜层232的透过率依次为t1、t2
…
tn，反射率依次为r1、r2
…
rn，则满足l1n＝ln*rn，且l0＝l11＝l12
…
＝l1n，t1>t2>
…
>tn，r1<r2<
…
<rn，即发光二极管22灯口和不同半透反射膜层232间位置出光光强相等，整面出光亮度均匀性较一致。为实现不同位置半透反射膜层232的不同透过率和反射率，需要对膜系中不同材质膜层的厚度及堆叠层数进行设计，达成以上透过率和反射率参数。
65.实施例三、
66.请参阅图8、图9至图15，本技术实施例还提供了一种背光模组制作方法，图8示意了本技术实施例提供的背光模组制作方法的流程步骤示意图，图9至图15示意了背光模组制作过程。采用本实施例的背光模组制作方法可以制作上述实施例中任一项的背光模组10，背光模组制作方法包括如下制作步骤：步骤s100、步骤s200、步骤s300、步骤s400、步骤s500、步骤s600。
67.步骤s100，如图9所示，提供一模具衬底30，在模具衬底30包括多个凹陷31。
68.具体的，如图9所示，提供一模具衬底30，模具衬底30包括多个凹陷31，多个凹陷31成碗状，凹陷31具有底部311和上部开口312，底部311的长度小于上部开口312的长度。
69.步骤s200，如图10、图11所示，在凹陷31形成多个半透反射单元231，半透反射单元231为碗状形状，包括相对的顶部开口235和底部开口234，底部开口234的长度小于顶部开口235的长度，半透反射单元231包括至少一层透明承载膜层233和至少一层半透反射膜层232。
70.具体的，如图10、图11所示，在模具衬底30形成包括至少一层透明承载膜层233和至少一层半透反射膜层232的多层结构，然后通过刻蚀等工艺，形成半透反射单元231，半透反射单元231包括相对的顶部开口235和底部开口234，底部开口234的长度小于顶部开口235的长度。
71.具体的，可以控制不同层的半透反射膜层232的厚度来控制不同层的半透反射膜层232的透过率和反射率。
72.步骤s300，如图12所示，将半透反射单元231从模具衬底30上剥离。
73.步骤s400，如图13所示，提供一基底21，基底21上设置有多个发光二极管22。
74.步骤s500，如图14所示，在基底21上设置半透反射层23，半透反射层23包括多个半透反射单元231，发光二极管22设置于半透反射单元231内，底部开口234在基底21上的正投影围绕发光二极管22在基底21上的正投影，顶部开口235位于底部开口234远离基底21的一侧。
75.优选，底部开口234比发光二极管22的尺寸大5％～10％，以便半透反射单元231刚好围绕发光二极管22设置。
76.步骤s600，如图15所示，在半透反射层23上形成封装层24。
77.本技术实施例提供的背光模组制作方法简单，制作的背光模组10结构简单，背光模组10具有轻薄的效果，同时背光模组10可以提供混光均一性良好的光源。
78.需要说明的是，模具衬底30、透明承载膜层233可以通过热模压塑形等工艺制作。半透反射单元231可以通过点胶工艺制作在基底21上。可以通过喷胶、旋涂等工艺形成封装层24，封装层24可以填平相邻半透反射单元231之间的间隙。
79.实施例四、
80.本技术实施例还提供了一种显示装置，包括上述实施例中的任一项背光模组10，显示装置还包括液晶显示面板，液晶显示面板设于背光模组10的出光侧，背光模组10为液晶显示面板提供光源。
81.以上对本技术实施例所提供的一种背光模组、背光模组制作方法及显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。