一种双路参数设定霍尔离子源控制系统的制作方法

技术特征：
1.一种双路参数设定霍尔离子源控制系统，其特征在于，包括：第一气体源、第二气体源、真空反应腔、钝化气体源、霍尔离子源；第一气体源通过第一管道与所述真空反应腔相连，第二气体源通过第二管道与所述真空反应腔相连，所述钝化气体源通过钝化气体输送管道与所述真空反应腔相连，所述第一管道、第二管道、钝化气体输送管道上均设置有电磁阀；所述霍尔离子源延伸至所述真空反应腔内部，所述电磁阀、控制器、无线收发器依次相连。2.如权利要求1所述的双路参数设定霍尔离子源控制系统，其特征在于，所述系统还包括流量传感器，所述流量传感器分别设置于所述第一管道、第二管道、钝化气体输送管道内，所述流量传感器与所述控制器相连。3.如权利要求1所述的双路参数设定霍尔离子源控制系统，其特征在于，所述真空反应腔包括：用于提供真空环境的外腔体，以及位于所述外腔体内的用于进行工艺反应的内反应腔；所述内反应腔的侧壁上设有自动门，所述自动门连接所述控制器，工件自所述外腔体经所述自动门进入所述内反应腔。4.如权利要求3所述的双路参数设定霍尔离子源控制系统，其特征在于，所述系统还包括温控装置，所述温控装置设置于所述内反应腔内。5.如权利要求4所述的双路参数设定霍尔离子源控制系统，其特征在于，所述温控装置包括温控管，所述温控管连接位于外腔体外的所述控制器。6.如权利要求1所述的双路参数设定霍尔离子源控制系统，其特征在于，所述钝化气体源包括氯气、氟气中的一种或多种。7.如权利要求1
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6任意一项所述的双路参数设定霍尔离子源控制系统，其特征在于，所述控制器包括plc控制器。

技术总结
本实用新型公开了一种双路参数设定霍尔离子源控制系统，包括：第一气体源、第二气体源、真空反应腔、钝化气体源、霍尔离子源；第一气体源通过第一管道与所述真空反应腔相连，第二气体源通过第二管道与所述真空反应腔相连，所述钝化气体源通过钝化气体输送管道与所述真空反应腔相连，所述第一管道、第二管道、钝化气体输送管道上均设置有电磁阀；所述霍尔离子源延伸至所述真空反应腔内部，所述电磁阀、控制器、无线收发器依次相连。采用本实用新型，可以实现对气体用量的监测及有效去除真空腔的杂质。杂质。杂质。


技术研发人员：赵学正 高军政 马文鹏 党亚军 任海军 张国同 陈新 罗鹏
受保护的技术使用者：南阳清水科技有限公司
技术研发日：2020.12.17
技术公布日：2021/10/8